KR20220122557A - 유기 전계발광 물질 및 디바이스 - Google Patents

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타일러 플리탐
니콜라스 제이 톰슨
제이슨 브룩스
이반 밀라스
제랄드 펠드만
시바 쿠마르 탈루리
마헤시 파우디알
더글라스 윌리엄스
에릭 에이 마르굴리스
춘 린
빈 마
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유니버셜 디스플레이 코포레이션
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Abstract

발광층에 중수소화된 화합물을 포함하는 고성능 OLED가 개시된다. OLED는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함한다. OLED에서, 발광층은 제1 형광 이미터 및 제1 호스트를 포함하고; 제1 형광 이미터는 금속 착물이고; 제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고; 적어도 하나의 추가의 조건이 적용된다.

Description

유기 전계발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2020년 10월 6일에 출원된 미국특허출원 제17/063,884호의 일부 연속이며, 이는 35 U.S.C. § 119(e) 하에서 2019년 10월 25일에 출원된 미국 가특허 출원 제62/926,035호, 2020년 2월 7일에 출원된 미국 가특허 출원 제62/971,295호, 2020년 2월 28일에 출원된 미국 가특허 출원 제62/982,883호에 대한 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다. 본 출원은 또한 35 U.S.C. § 119(e) 하에 2021년 2월 26일에 출원된 미국 가특허 출원 제63/154,320호, 2021년 7월 9일에 출원된 제63/220,429호, 및 2021년 8월 5일에 출원된 제63/229,748호에 대한 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다.
분야
본 개시내용은 일반적으로 유기금속 화합물 및 배합물, 그리고 유기 발광 다이오드 및 관련 전자 디바이스와 같은 디바이스에서 이미터로서 포함되는 이들의 다양한 용도에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 이점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 이점을 가질 수 있다.
OLED는 디바이스에 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평면 패널 디스플레이, 조명 및 백라이팅과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 발광이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 발광을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 발광층(EML) 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
요약
일 양태에서, 본 개시내용은 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스(OLED)를 제공하며; 여기서 발광층은 제1 인광성 이미터 및 제1 호스트를 포함하고; 제1 인광성 이미터는 금속 착물이고; 제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 제1 인광성 이미터는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고, 제1 호스트는 독립적으로 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속 카르벤 착물이다.
일부 실시양태에서, OLED가 개시되며, 이는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하고; 발광층은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하고; 제1 화합물 및 제2 화합물은 엑시플렉스를 형성하고; 제1 화합물은 유기금속 화합물이 아니고; 제1 화합물은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고, 단, 제1 화합물도 제2 화합물도 하기 화합물이 아니다:
Figure pat00001
.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기재된 OLED를 포함하는 소비자 제품을 제공한다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
A. 용어
달리 명시된 바가 없다면, 본원에서 사용된 이하의 용어들은 하기와 같이 정의된다:
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 고분자 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.
용어 "할로", "할로겐" 및 "할라이드"는 상호교환적으로 사용되며, 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 지칭한다.
용어 "아실"은 치환된 카르보닐 라디칼 (C(O)-Rs)을 지칭한다.
용어 "에스테르"는 치환된 옥시카르보닐 (-O-C(O)-Rs 또는 -C(O)-O-Rs) 라디칼을 지칭한다.
용어 "에테르"는 -ORs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술파닐" 또는 "티오-에테르"는 상호교환적으로 사용되며, -SRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "셀레닐"은 -SeRs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술피닐"은 -S(O)-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "술포닐"은 -SO2-Rs 라디칼을 지칭한다.
용어 "포스피노"는 -P(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "실릴"은 -Si(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "게르밀"은 -Ge(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 Rs는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.
용어 "보릴"은 -B(Rs)2 라디칼 또는 이의 루이스 부가물 -B(Rs)3 라디칼을 지칭하고, 여기서 Rs는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 각각에서, Rs는 수소이거나 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 치환기일 수 있다. 바람직한 Rs는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
용어 "알킬"은 직쇄 및 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알킬기는 1 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "시클로알킬"은 단환, 다환, 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 3 내지 12개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로[3.1.1]헵틸, 스피로[4.5]데실, 스피로[5.5]운데실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로알킬" 또는 "헤테로시클로알킬"은 각각 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 시클로알킬 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 추가로, 헤테로알킬 또는 헤테로시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알케닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬기이다. 시클로알케닐기는 본질적으로 시클로알킬 고리 내에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 시클로알킬기이다. 본원에 사용되는 용어 "헤테로알케닐"은 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 바람직한 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 알키닐기는 본질적으로 알킬 쇄에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 알킬기이다. 바람직한 알키닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호교환적으로 사용되며, 아릴기로 치환된 알킬기를 지칭한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로시클릭기"는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 헤테로방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴과 상호교환적으로 사용될 수 있다. 바람직한 헤테로비방향족 시클릭기는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민, 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 테트라히드로티오펜 등과 같은 시클릭 에테르/티오-에테르를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "아릴"은 단일 고리 방향족 히드로카르빌기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 모두 지칭하고, 이를 포함한다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 방향족 히드로카르빌기이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
용어 "헤테로아릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 단일 고리 방향족기 및 폴리시클릭 방향족 고리계를 지칭하고, 이를 포함한다. 헤테로원자는, 비제한적으로, O, S, N, P, B, Si, 및 Se를 포함한다. 다수의 경우에서, O, S, 또는 N이 바람직한 헤테로원자이다. 헤테로 단일 고리 방향족계는 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 단일 고리이고, 상기 고리는 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 고리계는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 헤테로 폴리시클릭 방향족 고리계는 폴리시클릭 방향족 고리계의 고리당 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3 내지 30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3 내지 20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
앞서 열거된 아릴 및 헤테로아릴기 중에서, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 및 벤즈이미다졸의 기들, 및 이들 각각의 개개 아자-유사체가 특히 관심 대상이다.
본원에 사용되는 용어 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭기, 아릴 및 헤테로아릴은 독립적으로 비치환되거나, 또는 독립적으로 하나 이상의 일반 치환기로 치환된다.
다수의 경우에서, 일반 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴, 셀레닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 경우에서, 더 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 보릴, 아릴, 헤테로아릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
다른 경우에서, 가장 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
용어 "치환된" 및 "치환"은 관련된 위치, 예컨대 탄소 또는 질소에 결합되는 H 이외의 치환기를 나타낸다. 예를 들면, R1이 일치환을 나타내는 경우, 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다(즉, 치환). 유사하게, R1이 이치환을 나타내는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 영치환 또는 비치환을 나타내는 경우, R1은 예를 들어 벤젠의 탄소 원자 및 피롤의 질소 원자와 같이 고리 원자의 이용가능한 원자가에 대해 수소일 수 있거나, 또는 단순히 완전히 충전된 원자가를 갖는 고리 원자, 예컨대 피리딘의 질소 원자에 대해 아무 것도 나타내지 않을 수 있다. 고리 구조에서 가능한 최대수의 치환은 고리 원자에서 이용가능한 원자가의 총 개수에 따라 달라진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "이들의 조합"은 해당되는 목록 중 하나 이상의 구성요소가 조합되어 본 기술분야의 당업자가 해당하는 목록으로부터 구상할 수 있는 공지되거나 또는 화학적으로 안정한 배열을 형성하는 것을 나타낸다. 예를 들면, 알킬 및 중수소는 조합되어 부분적 또는 전체적 중수소화된 알킬기를 형성할 수 있고; 할로겐 및 알킬은 조합되어 할로겐화된 알킬 치환기를 형성할 수 있고; 할로겐, 알킬, 및 아릴은 조합되어 할로겐화된 아릴알킬을 형성할 수 있다. 하나의 경우에서, 용어 치환은 열거된 기들 중의 2 내지 4개의 조합을 포함한다. 다른 경우에서, 용어 치환은 2 내지 3개의 기의 조합을 포함한다. 또 다른 경우에서, 용어 치환은 2개의 기의 조합을 포함한다. 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 50개의 원자를 함유하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 40개의 원자를 포함하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 30개의 원자를 포함하는 것이다. 다수의 경우에서, 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 20개의 원자를 포함할 것이다.
본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 방향족 고리에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린을 모두 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 다른 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어들에 의해 포괄되는 것으로 의도된다.
본원에서 사용한 바와 같이, "중수소"는 수소의 동위원소를 지칭한다. 중수소화된 화합물은 본 기술분야에 공지된 방법을 사용하여 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들면, 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된 미국특허 제8,557,400호, 특허공개번호 WO　2006/095951, 및 미국특허출원 공개번호 US 2011/0037057은 중수소-치환된 유기금속 착물의 제조를 기술하고 있다. 추가로 문헌[Ming Yan, et al., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30] 및 문헌[Atzrodt et al., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65]을 참조하며, 이들은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되며, 각각 벤질 아민에서 메틸렌 수소의 중수소화 및 중수소로 방향족 고리 수소를 치환하기 위한 효율적인 경로를 기술하고 있다.
분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 부착되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 부착된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.
일부 경우에, 인접 치환기의 쌍은 임의로 결합(연결)되거나 융합되어 고리가 될 수 있다. 바람직한 고리는 5원, 6원 또는 7원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고, 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 포화되는 경우 및 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 불포화되는 경우를 모두 포함한다. 본원에 사용된 바와 같이, "인접"이란 안정한 융합된 고리계를 형성할 수 있는 한, 2개의 가장 근접한 치환가능한 위치, 예컨대 비페닐의 2, 2' 위치, 또는 나프탈렌의 1, 8 위치를 갖는 2개의 이웃하는 고리 상에, 또는 서로 옆에 있는 동일 고리 상에 관련된 2개의 치환기가 존재할 수 있다는 것을 의미한다.
B. 본 개시내용의 OLED 및 디바이스
청색 OLED는 디바이스에서의 여기된 종 중에서 일어나는 분자내 또는 분자간 화학 반응에 부분적으로 기인하여 낮은 디바이스 작동 수명을 나타낸다. 이러한 과정은 금속 카르벤 착물 및 다른 리간드 사이의 반응에서 특히 현저하다.
본원에 개시된 디바이스는 특별하게는 금속 착물을 중수소화된 호스트와 페어링하여 카르벤 착물을 손상시키는 분해 메커니즘을 지연시킴으로써 디바이스 수명을 크게 향상시키는 가능성을 다루도록 설계된다. 추가적으로, 일부 실시양태에서, OLED는 이러한 이분자 종에 대해 일어나는 분해 과정을 느리게 하도록 중수소화된 성분들 중 하나와 엑시플렉스를 형성하도록 설계된다. 추가적으로, 본원에 개시된 바와 같은 중수소화된 호스트 성분을 갖는 Pt 착물이 중요할 수 있으며, 그 이유는 Pt 착물의 3차원 구조가 호스트와의 반응에 이들이 보다 민감성이게 만들 수 있기 때문이다. 유사하게는, 분자 밖으로 추가로 돌출되는 펜던트 기를 갖는 Ir 착물은 반응성 부위일 수 있고, 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되는 하나 이상의 호스트를 사용하는 것으로부터 안정성의 향상을 달성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속 카르벤 착물일 수 있다.
일 양태에서, 본 개시내용은 애노드, 캐소드, 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하는 OLED를 제공한다. 이러한 실시양태에서, 발광층은 금속 카르벤 착물 및 제1 호스트를 포함하고, 여기서 제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다. 본원에 사용되는 바와 같이, "부분적으로 중수소화된"은 그것이 일반적인 의미를 갖고, 주어진 화합물의 경우 중수소에 의해 대체된 적어도 하나의 수소, 또는 중수소에 의해 대체된 적어도 2개의 수소, 또는 중수소에 의해 대체된 적어도 3개의 수소를 포함할 뿐만 아니라 화합물의 수소의 적어도 5%는 중수소에 의해 대체되거나, 또는 화합물에서의 수소의 적어도 10%, 또는 적어도 15%, 또는 적어도 25%, 또는 적어도 35%, 또는 적어도 50%, 또는 적어도 60%, 또는 적어도 70%, 또는 적어도 75%, 또는 적어도 80%, 또는 적어도 90%는 중수소에 의해 대체된다. 그러나, 부분적으로 중수소화는 전체적으로 중수소화를 포함하지 않는다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 백금 착물이다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 트리아진, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜, 트리페닐렌, 아자-트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 실릴, 보릴, 5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택된 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 카르바졸 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리를 형성한다. 일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다. 일례로서, 하기 구조는 고리
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내의 숫자들을 가진 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다. 일부 실시양태에서, 5-6-6 킬레이트 고리는 마크로시클릭 고리의 일부일 수 있고, 여기서 제4 킬레이트 고리가 존재한다. 제4 킬레이트 고리는 5원 고리 또는 6원 고리일 수 있다. 일부 실시양태에서, 5-6-6 킬레이트 고리는 3개 킬레이트 고리만을 형성하는 4좌 리간드의 일부이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 490 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 480 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 470 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 460 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 450 nm 이하의 피크 발광을 갖는다.
일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다. 일부 실시양태에서, 발광층은 490 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다. 일부 실시양태에서, 발광층은 480 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다. 일부 실시양태에서, 발광층은 470 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다. 일부 실시양태에서, 발광층은 460 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다. 일부 실시양태에서, 발광층은 450 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다.
이미터의 발광 스펙트럼은 광발광에 의해 측정되어 발광층 내에 함유된 이미터의 피크 파장을 결정할 수 있다. 이 경우, 이미터의 광발광은 리터당 0.005 미만의 농도로 2-메틸 테트라히드로푸란의 용액 중에 실온 (~ 22 ℃)에서 측정된다. 발광 피크는 PL 강도의 목표 최대값이 1의 값으로 정규화될 때 0.1 초과의 강도를 갖는 광발광 스펙트럼에서 최고 에너지 (최저 파장) 피크의 파장이다. 일부 발광 스펙트럼에서, 복수의 발광 피크가 존재하고, 일부 경우에서 스펙트럼에서의 두 번째 최고 에너지 피크는 전체적으로 최고 강도를 갖지만, 본원에서의 정의를 위해, 본 발명자들은 스펙트럼이 1.0의 최대 값으로 정규화될 때 강도가 0.1 초과인 경우, 더 높은 에너지 피크의 파장으로 피크 발광을 정의한다.
최고 점유 분자 궤도(HOMO) 및 최저 비점유 분자 궤도(LUMO)는 중요한 물질 에너지 준위이다. 발광층 성분의 HOMO 및 LUMO 에너지의 올바른 선택은 고효율 및 고안정성 OLED 디바이스를 설계하기 위해 요구된다. 본원에서 본 발명자는 순환 전압전류법으로부터 유도된 제1 산화 전위로부터 HOMO 에너지를 추정하였다. LUMO 에너지는 순환 전압전류법으로부터 유도된 제1 환원 전위로부터 추정된다. 지지 전해질로서 무수 디메틸포름아미드 용매 및 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트를 사용하는 CH Instruments 모델 6201B 전위가변기를 사용하여 용액 순환 전압전류법 및 시차 펄스 전압전류법을 수행하였다. 유리상 탄소, 및 백금 및 은 와이어를 각각 작업, 상대 및 기준 전극으로서 사용하였다. 시차 펄스 전압전류법으로부터의 피크 전위 차이를 측정하는 것에 의해 내부 페로센-페로코늄 산화환원 커플(Fc+/Fc)에 대해 전기화학적 전위를 참조하였다. EHOMO = -[(Eox1 대 Fc+/Fc) + 4.8], 및 ELUMO = -[(Ered1 대 Fc+/Fc) + 4.8], 상기 식에서, Eox1은 제1 산화 전위이고, Ered1는 제1 환원 전위이다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트의 LUMO는 -2.3 eV 미만이다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트의 LUMO는 -2.4 eV 미만이다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트의 HOMO는 -5.8 eV 초과이다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트의 HOMO는 -5.7 eV 초과이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.8 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.3 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.7 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.4 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 적어도 하나의 트리-아릴 아민을 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 금속을 포함하는 고리의 일부인 O-링커(즉, -O-)를 포함한다. 일부 실시양태에서, O-링커는 금속에 직접 결합된다. 일부 실시양태에서, O-링커는 금속에 직접 결합되지 않는다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 부분적으로 중수소화된 알킬기, 부분적으로 중수소화된 시클로알킬기, 부분적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기, 전체적으로 중수소화된 알킬기, 및 전체적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 리간드와 금속 사이에 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 -5.2 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 -5.3 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다.
다른 양태에서, 본 개시내용은 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하는 OLED를 제공하고; 여기서 발광층은 제1 인광성 이미터 및 제1 호스트를 포함하고; 제1 인광성 이미터는 금속 착물이고; 제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다. OLED의 일부 실시양태에서, 하기 조건 중 적어도 하나가 적용된다:
(1) 금속 착물은 금속-카르벤 결합을 포함하는 Pt 착물이고;
(2) 금속 착물은 이미다졸 모이어티; 적어도 2개의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티; 적어도 하나의 6원 헤테로아릴 고리를 포함하는 적어도 3개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조; 적어도 4개의 고리를 갖는 융합된-고리 구조; 각각이 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기; 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리; 금속에 직접 결합되는 카르바졸 모이어티; 총 적어도 6개의 6원 방향족 고리; 적어도 하나의 붕소 원자; 적어도 하나의 불소 원자; 금속에 직접 결합되는 벤젠 고리를 포함하는 융합된 고리 구조; 또는 치환된 또는 치환되지 않은 아세틸아세토네이트 리간드; 규소 원자; 7개 이상의 원자를 포함하는 고리 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 특징을 포함하고;
(3) 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 적어도 2개의 이웃하는 킬레이트 고리의 크기가 동일한 적어도 3개의 인접한 5원 또는 6원 킬레이트 고리를 형성하고;
(4) 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 적어도 하나의 배위 산소 원자 또는 황 원자를 포함하고;
(5) 금속 착물은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고;
(6) 금속 착물은 Os, Ag, Au, Cu, 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하고;
(7) 금속 착물은 3개의 상이한 2좌 리간드를 포함하는 Ir(III) 착물이고;
(8) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; 금속 착물은 400-500 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 수직 쌍극자 비(VDR) 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 500-590 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 VDR 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 590-700 nm의 범위의 λmax 및 0.10 이하의 VDR 값을 갖고;
(9) 금속 착물은 최저 삼중항 에너지 T1em 및 최저 일중항 에너지 S1em을 갖고, 여기서 S1em-T1em 사이의 차이는 0.3 eV 이하이고;
(10) 제1 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티를 포함하고;
(11) 제1 호스트는 보릴 모이어티를 포함하고;
(12) 제1 호스트는 최저 삼중항 에너지 T1호스트 및 최저 일중항 에너지 S1호스트를 갖고, 여기서 S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 0.25 eV 이상 그리고 1.50 eV 이하이고;
(13) 금속 착물은 Pt 착물이고, 제1 호스트는 최저 삼중항 에너지 T1호스트 및 최저 일중항 에너지 S1호스트를 갖고, 여기서 S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 0.30 eV 이하이고;
(14) 제1 호스트는 발광층에서 유일한 호스트 물질이고, 제1 호스트는 적어도 2개의 질소 원자를 포함하는 헤테로아릴기를 포함하고;
(15) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax에서의 발광의 반치전폭은 40 nm 이하이고;
(16) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax는 적어도 30%의 PLQY 값으로 700-1000 nm의 범위이고;
(17) 발광층은 2개 이상 물질을 함유하고, 이는 엑시플렉스를 형성하고;
(18) OLED는 적어도 하나의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 물질을 포함하는 적어도 하나의 추가의 층을 추가로 포함하고;
(19) OLED는 10 mA/cm2에서 측정되는 제1 디바이스 수명 LT95를 갖고; 여기서 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않는 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 1.5 배 길고;
(20) 애노드, 캐소드, 또는 상기 발광층 상에 배치된 추가의 층 중 적어도 하나는 강화층으로서 역할을 하고; 여기서 강화층은 제1 인광성 이미터에 비방사성으로 커플링되고 여기 상태 에너지를 이미터 물질로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 비방사성 모드로 수송하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함하고; 강화층은 발광층로부터 임계 거리 이하로 떨어져 제공되고; 제1 인광성 이미터는 강화층의 존재로 인하여 총 비방사성 붕괴율 상수 및 총 방사성 붕괴율 상수를 갖고, 임계 거리는 총 비방사성 붕괴율 상수가 총 방사성 붕괴율 상수와 동일한 거리이고;
(21) 캐소드를 향하여 애노드에 수직하게 연장되는 방향에 따른 발광층에서의 금속 착물의 농도 수준은 예정된 일정하지 않은 구배 프로파일을 따르고;
(22) 상기 열거된 2개 이상 조건의 임의의 조합.
본원에 사용되는 바와 같이, "펜던트 기"는 금속에 결합되는 모이어티에 직접 결합되는 모이어티 또는 치환기를 지칭하고, 여기서 펜던트 기 자체는 금속에 직접 결합되지 않는다. 예로서, 페닐피리딘 리간드의 페닐기에 결합되는 메틸기는 펜던트 기이다.
본원에 사용되는 바와 같이, "이들 각각이 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기"의 예는 하기를 포함한다:
Figure pat00003
개별적인 이미터 화합물에서, 광 발광은 바닥 상태 전이 쌍극자 모멘트 (TDM)에 대한 삼중항에 대해 수직하게 일어난다. 이와 같이 이의 TDM 벡터가 OLED의 기판에 대해 수평하게 정렬된 이미터 화합물 분자의 수를 증가시키는 것은 더 높은 광 추출 효율, 이에 따른 더 높은 디바이스 효율(외부 양자 효율 - EQE)을 야기한다. 이러한 배향 인자(orientation factor)는 수직 및 수평 성분의 합에 대한 TDM 벡터의 수직 성분의 비(θ)에 의한 이미터 분자의 앙상블(ensemble)로 통계적으로 기술될 수 있다: θ = TDM┴/(TDM┴+TDM
Figure pat00004
), 이하, 수직 쌍극자 비 ("VDR").
수직 쌍극자 비(θ)는 각도 의존적 광발광 측정에 의해 측정될 수 있다. 계산적으로 모델링된 패턴에 대해 편광의 함수로서 광여기된 박막 샘플의 측정된 발광 패턴을 비교함으로써, 주어진 샘플에 대한 TDM 벡터의 배향을 결정할 수 있다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pt와 5원 킬레이트 고리를 형성하는 적어도 하나의 다좌 리간드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 다좌 리간드는 4좌 리간드이다.
일부 실시양태에서, 5원 킬레이트 고리는 카르벤 결합을 포함한다. 일부 이러한 실시양태에서, 카르벤은 이미다졸 또는 벤즈이미다졸로부터 유도된다. 일부 이러한 실시양태에서, 카르벤은 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있는 치환기 R로 치환된다. 일부 이러한 실시양태에서, 치환기 R은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 5원 킬레이트 고리는 카르벤 결합을 포함하지 않는다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pt 착물이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Ir 착물이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 추가로 치환되고 융합될 수 있는 이미다졸을 포함한다. 일부 실시양태에서, 이미다졸은 추가로 치환되고 융합될 수 있는 벤즈이미다졸이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 2개의 N 원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 N 및 적어도 하나의 O 또는 S를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 하나의 고리 상에 적어도 2개의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 2개의 상이한 고리 상에 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 3개의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티는 하나 이상의 5원 또는 6원 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 6원 헤테로아릴 고리를 포함하는 적어도 3개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조를 포함한다. 일부 실시양태에서 융합된-고리 구조는 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조셀레펜, 아자-디벤조플루오렌, 및 아자-카르바졸로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 4개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조를 포함한다. 일부 실시양태에서, 이러한 4개의 고리는 선형 방식으로 함께 융합된다. 일부 실시양태에서, 이러한 4개의 고리는 비선형 방식으로 함께 융합된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 5개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 6개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조를 포함한다.
융합된-고리 구조를 포함하는 일부 실시양태에서, 융합된-고리 구조는 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 및 이의 아자-유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 모이어티를 포함한다.
융합된-고리 구조를 포함하는 일부 실시양태에서, 융합된-고리 구조는 카르벤 모이어티를 포함한다.
융합된-고리 구조를 포함하는 일부 실시양태에서, 융합된 고리 구조에서의 각각의 고리는 독립적으로 5원 헤테로아릴 고리 또는 6원 아릴 또는 헤테로아릴 고리이다.
일부 이러한 실시양태에서, 금속 착물은 이들 각각이 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기를 포함한다. 일부 이러한 실시양태에서, 금속 착물은 이들 각각이 적어도 4개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는 적어도 4개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기를 포함한다. 일부 이러한 실시양태에서, 금속 착물은 이들 각각이 적어도 5개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는 적어도 5개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기를 포함한다. 일부 이러한 실시양태에서, 금속 착물은 이들 각각이 적어도 6개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는 적어도 6개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 부분적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 전체적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 5원 헤테로아릴 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 6원 아릴 또는 헤테로아릴 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 7개의 6원 방향족 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 8개의 6원 방향족 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 9개의 6원 방향족 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 10개의 6원 방향족 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 11개의 6원 방향족 고리를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 총 적어도 12개의 6원 방향족 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물의 금속은 1-위치에서 카르바졸에 결합된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 붕소 원자를 포함한다. 일부 실시양태에서, 붕소 원자는 3가 붕소 원자이다. 일부 실시양태에서, 붕소 원자는 4가 붕소 원자이다. 일부 실시양태에서, 붕소 원자는 1개의 고리의 골격 내에 존재한다. 일부 실시양태에서, 붕소 원자는 2개의 고리의 골격 내에 존재한다. 일부 실시양태에서, 붕소 원자는 3개의 고리의 골격 내에 존재한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 방향족 또는 비방향족 고리의 고리 탄소에 직접 결합되는 적어도 하나의 불소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 고리의 일부가 아닌 탄소에 직접 결합되는 적어도 하나의 불소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 함께 융합된 적어도 2개의 벤젠 고리를 포함하는 모이어티를 포함한다. 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 함께 융합된 적어도 3개의 벤젠 고리를 포함하는 모이어티를 포함한다. 금속 착물은 금속에 직접 결합되는 함께 융합된 적어도 4개의 벤젠 고리를 포함하는 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 4-위치에서 치환되고 1 위치에서 금속에 배위되는 나프탈렌 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 아세틸아세토네이트 리간드를 포함하고, 여기서 아세틸아세토네이트 리간드의 적어도 하나의 메틸이 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 치환기 R로 치환된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 아세틸아세토네이트 리간드를 포함하고, 여기서 아세틸아세토네이트 리간드의 적어도 하나의 메틸이 2개의 치환기 R로 치환되고, 각각의 R은 독립적으로 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 아세틸아세토네이트 리간드를 포함하고, 여기서 아세틸아세토네이트 리간드의 각각의 메틸 모이어티는 하나의 치환기 R로 치환되고, 여기서 각각의 R은 독립적으로 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 규소 원자를 포함하고, 선택 사항 (2)의 일부 실시양태에서, 금속 착물은 테트라 아릴 실란을 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 7개 이상의 원자를 포함하는 고리 구조를 포함하고, 일부 실시양태에서, 금속 착물은 8개 이상의 원자를 포함하는 고리 구조를 포함하고, 일부 실시양태에서, 금속 착물은 9개 이상의 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, Pt 및 4좌 리간드는 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리 및 적어도 하나의 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, Pt 및 4좌 리간드는 5원 킬레이트 고리 및 2개의 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, Pt 및 4좌 리간드는 2개의 5원 킬레이트 고리 및 1개의 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 4좌 리간드는 마크로시클릭 리간드이고, 2개의 인접한 5원 킬레이트 고리 및 2개의 인접한 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 4좌 리간드는 마크로시클릭 리간드이고, 3개의 인접한 5원 킬레이트 고리 및 1개의 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 4좌 리간드는 마크로시클릭 리간드이고, 1개의 5원 킬레이트 고리 및 3개의 인접한 6원 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 4좌 리간드는 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 적어도 하나의 배위 산소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, 다른 2개의 배위 원자는 N이다.
일부 실시양태에서, 산소 또는 황 원자에 대해 트랜스인 배위 탄소 원자는 페닐 고리의 일부이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 10% 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 30% 중수소화되거나, 또는 적어도 50% 중수소화되거나, 또는 적어도 70% 중수소화되거나, 또는 적어도 85% 중수소화되거나, 또는 적어도 90% 중수소화되거나, 또는 적어도 95% 중수소화되거나, 또는 적어도 99% 중수소화되거나, 또는 적어도 100% 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Os 착물이다. 선택사항 (6)의 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Ag 착물이다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Au 착물이다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Cu 착물이다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pd 착물이다.
일부 실시양태에서, Ir(III) 착물은 0.15 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 모든 3개의 2좌 리간드는 C^N 리간드이다. 본원에 사용되는 바와 같이, X^Y 명명법은 이 경우 X 원자 및 Y 원자가 금속, Ir에 배위되는 리간드를 나타낸다. 예를 들어, 페닐피리딘 리간드는 C^N로 나타낼 것이고, 한편 아세틸아세토네이트 리간드는 O^O로 나타낼 것이다.
일부 실시양태에서, 2좌 리간드 중 2개는 C^N 리간드이고, 나머지 하나는 O^O 리간드이다.
일부 실시양태에서, 2좌 리간드는 1개의 C^N, 1개의 C^C, 및 1개의 O^O를 포함한다.
일부 실시양태에서, 2좌 리간드 중 3개 모두는 C^C 리간드이다.
일부 실시양태에서, 2좌 리간드 중 2개는 C^C 리간드이고, 나머지 하나는 C^N 리간드이다.
일부 실시양태에서, 2좌 리간드 중 2개는 C^N 리간드이고, 나머지 하나는 C^C 리간드이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 400-500 nm 범위의 λmax 및 0.12 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 400-500 nm 범위의 λmax 및 0.10 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 400-500 nm 범위의 λmax 및 0.08 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 400-500 nm 범위의 λmax 및 0.05 이하의 VDR 값을 갖는다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 500-590 nm 범위의 λmax 및 0.12 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 500-590 nm 범위의 λmax 및 0.10 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 500-590 nm 범위의 λmax 및 0.08 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 500-590 nm 범위의 λmax 및 0.05 이하의 VDR 값을 갖는다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 590-700 nm 범위의 λmax 및 0.08 이하의 VDR 값을 갖는다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 590-700 nm 범위의 λmax 및 0.05 이하의 VDR 값을 갖는다.
일부 실시양태에서, S1em-T1em 사이의 차이는 0.25 eV 이하이다. 일부 실시양태에서, S1em-T1em 사이의 차이는 0.20 eV 이하, 또는 0.18 eV 이하, 또는 0.16 eV 이하, 또는 0.14 eV 이하, 또는 0.12 eV 이하, 또는 0.10 eV 이하, 또는 0.08 eV 이하, 또는 0.06 eV 이하, 또는 0.05 eV 이하이다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 52-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센으로 이루어진 군으로부터 선택되는 2개의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-52-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 2개의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 52-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티; 및
아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-52-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 인돌 또는 카르바졸 모이어티를 포함하지 않는다.
일부 실시양태에서, 보릴 모이어티는 3가 붕소 원자이다.
일부 실시양태에서, 보릴 모이어티는 4가 붕소 원자이다.
일부 실시양태에서, 붕소 원자는 1개의 고리의 골격 내에 존재한다.
일부 실시양태에서, 붕소 원자는 2개의 고리의 골격 내에 존재한다.
일부 실시양태에서, 붕소 원자는 3개의 고리의 골격 내에 존재한다.
일부 실시양태에서, S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 0.30 eV 초과 그리고 1.25 eV 이하이다.
일부 실시양태에서, S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 0.35 eV 이상, 또는 0.40 eV 이상, 또는 0.45 eV 이상, 또는 0.50 eV 이상이다.
일부 실시양태에서, S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 1.15 eV 이하, 또는 1.10 eV 이하, 또는 1.00 eV 이하, 또는 0.90 eV 이하, 또는 0.80 eV 이하, 또는 0.70 eV 이하이다.
일부 실시양태에서, S1호스트 -T1호스트 사이의 차이는 0.25 eV 이하, 또는 0.20 eV 이하, 또는 0.15 eV 이하, 또는 0.10 eV 이하이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pt 착물이다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 프탈라진, 피리도피라진, 피리도피리다진, 나프티리딘, 및 나프티리딘으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 2개의 질소 원자를 포함하는 헤테로아릴기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax에서의 발광의 반치전폭은 35 nm 이하, 또는 30 nm 이하, 또는 25 nm 이하, 또는 20 nm 이하, 또는 15 nm 이하, 또는 10 nm 이하이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax는 적어도 30%의 PLQY 값으로 700-1000 nm의 범위이다. 일부 이러한 실시양태에서, λmax는 700-900 nm, 또는 700-800 nm의 범위이다. 일부 이러한 실시양태에서, PLQY 값은 적어도 40%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 50%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 60%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 70%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 80%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 90%이거나, 또는 PLQY 값은 적어도 99.9%이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 엑시플렉스를 형성하는 2개 이상 물질을 함유한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 엑시플렉스를 형성하는 2개 이상 호스트 물질을 함유한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 엑시플렉스를 형성하는 적어도 하나의 호스트 물질 및 적어도 하나의 인광성 이미터를 함유한다.
일부 실시양태에서, 2개 이상 물질은 동일한 추가의 물질과 엑시플렉스를 형성한다. 예를 들어, 제1 호스트 및 제2 호스트는 엑시플렉스를 형성하고, 제1 금속 착물 및 제2 호스트는 엑시플렉스를 형성한다.
일부 실시양태에서, 2개 이상 물질은 엑시플렉스를 형성하고, 추가의 물질은 발광층에 첨가되고 이는 엑시플렉스의 형성 정도를 감소시킨다. 예를 들어 제1 호스트 및 제2 호스트의 필름은 적색-편이 광발광 스펙트럼 또는 각 성분의 박막의 발광과 각각 비교하여 저 긴 파장 또는 더 낮은 에너지에서의 신규 피크를 포함하는 광발광 스펙트럼에서 보여지는 바와 같이 엑시플렉스를 형성한다. 그러나, 제3 호스트를 첨가한 후, 엑시플렉스로부터의 발광의 양은 크게 감소되고, 이는 엑시플렉스 형성 속도의 감소를 나타낸다.
일부 실시양태에서, 엑시플렉스의 청색 엣지(blue edge)는 제1 금속 착물의 피크 파장보다 에너지가 더 높고, 여기서 엑시플렉스의 청색 엣지는 최고 에너지 파장이며, 이에서 PL 스펙트럼의 최대값이 1의 값으로 정규화될 때 PL 스펙트럼은 0.1의 값을 갖는다.
일부 실시양태에서, 엑시플렉스의 청색 엣지는 제1 금속 착물의 피크 파장보다 에너지가 더 낮고, 여기서 엑시플렉스의 청색 엣지는 최고 에너지 파장이며, 이에서 PL 스펙트럼의 최대값이 1의 값으로 정규화될 때 PL 스펙트럼은 0.1의 값을 갖는다.
일부 실시양태에서, 2개 이상 물질에 의해 형성된 엑시플렉스는 30% 미만의 광발광 양자 수율(PLQY)로 약한 발광성이다. 여기서 PLQY는 340nm의 여기 파장으로 보정형 Hamamatsu Quantaurus-QY Plus UV-NIR 절대 PL 양자 수율 분광계 상에서 측정된다. PLQY 값은 여과되고 석영 기판에 드롭캐스팅되는 톨루엔 중의 PMMA를 갖는 1중량% 도펀트의 용액으로 제조된 박박으로부터 취해진다.
일부 실시양태에서, 2개 이상 물질에 의해 형성된 엑시플렉스는 50% 초과의 PLQY, 보다 바람직하게는 75% 초과의 PLQY로 강한 발광성이다.
일부 실시양태에서, 어느 물질도 엑시플렉스를 형성하지 않는다. 일부 실시양태에서,
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 추가의 층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 수송층, 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 추가의 층은 발광층에 인접한다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 추가의 층에서의 모든 물질은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다.
일부 실시양태에서, OLED는 10 mA/cm2에서 측정되는 제1 디바이스 수명 LT95를 갖고, 여기서 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않은 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 1.5배 더 길다. 일부 실시양태에서, 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않은 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 2.0배 더 길다. 일부 실시양태에서, 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않은 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 2.5배 더 길다. 일부 실시양태에서, 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않은 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 3.0배 더 길다. 일부 실시양태에서, 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않은 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 4.5배 더 길다.
본원에 사용되는 바와 같이, "LT95"는 10mA/cm2의 정전류 밀도에서 구동될 때 초기 디바이스 휘도의 95%에 도달되는 시간으로서 정의된다. 상기에서 이루어진 디바이스 수명 비교는 하나 초과의 호스트를 갖는 발광층에 적용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이러한 물질에서, 1.5배, 또는 2.0배, 또는 2.5배, 또는 3.0배, 또는 4.0배, 또는 5.0배 더 큰 개선은 호스트 화합물 중 하나 또는 호스트 화합물 중 하나 초과의 중수소화의 결과일 수 있다. 상기에서 이루어진 디바이스 수명 비교는 하나 초과의 호스트를 갖는 발광층에 적용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이러한 물질에서, 1.5배 더 큰 개선은 호스트 화합물 중 하나 또는 호스트 화합물 중 하나 초과의 중수소화의 결과일 수 있다.
일부 실시양태에서, 애노드, 캐소드, 또는 발광층 상에 배치된 추가의 층 중 적어도 하나는 강화층으로서 역할을 하고; 여기서 강화층은 제1 인광성 이미터에 비방사성으로 커플링되고 여기 상태 에너지를 이미터 물질로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 비방사성 모드로 수송하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함하고; 강화층은 발광층로부터 임계 거리 이하로 떨어져 제공되고; 제1 인광성 이미터는 강화층의 존재로 인하여 총 비방사성 붕괴율 상수 및 총 방사성 붕괴율 상수를 갖고, 임계 거리는 총 비방사성 붕괴율 상수가 총 방사성 붕괴율 상수와 동일한 거리이다.
일부 실시양태에서, 캐소드를 향하여 애노드에 수직하게 연장되는 방향에 따른 발광층에서의 금속 착물의 농도 수준은 예정된 일정하지 않은 구배 프로파일을 따른다.
일부 실시양태에서, (이들이 내부적으로 일관되는 한) 조건 (1) 내지 (21) 중 적어도 2개가 적용되거나, 또는 조건 (1) 내지 (21) 중 적어도 3개가 적용되거나, 또는 조건 (1) 내지 (21) 중 적어도 4개가 적용되거나, 또는 조건 (1) 내지 (21) 중 1 내지 21개가 적용된다.
하기 실시양태는 달리 일치되는 상기 실시양태 중 임의의 것에 적용된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Ir, Pt, 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Ir 또는 Pt 착물이다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pt 착물이다. 일부 실시양태에서, Pt 착물은 4좌 리간드를 포함한다. 일부 실시양태에서, 금속 착물은 Pt(II) 4좌 착물이다.
일부 실시양태에서, 금속 착물 및 호스트는 엑시플렉스를 형성한다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 적어도 10% 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트는 적어도 30% 중수소화되거나, 또는 적어도 50% 중수소화되거나, 또는 적어도 70% 중수소화되거나, 또는 적어도 85% 중수소화되거나, 또는 적어도 90% 중수소화되거나, 또는 적어도 95% 중수소화되거나, 또는 적어도 99% 중수소화되거나, 또는 100% 중수소화된다.
일부 실시양태에서, OLED는 제2 호스트를 포함한다. 일부 실시양태에서, 제2 호스트는 중수소화되지 않는다. 일부 실시양태에서, 제2 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다. 일부 실시양태에서, 제2 호스트는 적어도 50% 중수소화되거나, 또는 적어도 75% 중수소화되거나, 또는 적어도 90% 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 백금 착물이고, 제1 호스트는 트리아진, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜, 트리페닐렌, 아자-트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 실릴, 및 보릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 백금 착물이고, 제1 호스트는 트리아진 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 시아노 치환기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 부분적으로 불소화된다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 부분적으로 중수소화된 알킬기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 카르바졸 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는 이미터를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트의 LUMO는 -2.3 eV 미만이다. 일부 실시양태에서, 제1 호스트의 HOMO는 -5.8 eV 초과이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.8 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.3 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 적어도 하나의 트리-아릴 아민을 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 금속을 포함하는 킬레이트 고리의 일부인 O-링커(즉, 에테르)를 포함한다. 일부 실시양태에서, O-링커는 금속에 직접 결합된다. 일부 실시양태에서, O-링커는 금속에 직접 결합되지 않는다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 부분적으로 중수소화된 알킬기, 부분적으로 중수소화된 시클로알킬기, 부분적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기, 전체적으로 중수소화된 알킬기, 및 전체적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 리간드와 금속 사이에 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 -5.2 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 하기 목록 1에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
상기 식에서,
각각의 X1 내지 X11은 독립적으로 C 또는 N이고;
L'는 직접 결합이거나 유기 링커이고;
각각의 YA는 독립적으로 부재이거나, 또는 존재하는 경우, O, S, Se, CRR', SiRR', NR, BR, BRR'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 일치환, 최대 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각각의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
적어도 하나의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 또는 RG'는 중수소를 포함한다.
목록 1의 구조에서 보여지는 바와 같이, 존재하는 경우, YA는 2개의 페닐 고리 사이의 5원 고리의 일부이다. 따라서, YA가 부재하는 경우, 2개의 6원 고리는 기존 단일 결합에 의해 함께 결합된다.
일부 실시양태에서, 제1 호스트는 하기 목록 2에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
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Figure pat00051
Figure pat00052
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Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
일부 실시양태에서, 금속 착물은 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 모이어티를 포함하는 리간드 LA를 갖는다:
Figure pat00057
상기 식에서,
각각의 Y1 내지 Y8는 독립적으로 C 또는 N이고;
각각의 Rb, Rc, 및 Rd는 독립적으로 일치환, 최대 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이다.
일부 실시양태에서, 적어도 하나의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 중수소를 포함한다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 구조 M(LA)p(LB)q(LC)r을 갖고, 상기 식에서, p는 1, 2, 또는 3이고; q는 0, 1, 또는 2이고; r은 0, 1, 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태이고; 각각의 리간드 LB 및 리간드 LC는 독립적으로 하기 목록 3에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00058
Figure pat00059
상기 식에서,
T는 B, Al, Ga, 및 In으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 Y1 내지 Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Y'는 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 및 GeReRf로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Re 및 Rf는 융합되거나 결합되어 고리를 형성할 수 있고;
각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 독립적으로 그것의 연관된 고리에 대한 비치환, 일치환, 또는 최대 허용되는 수 이하의 치환을 나타내고;
각각의 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf는 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
임의의 2개의 인접한 Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf는 융합되거나 결합되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, M은 Ir, Pt, Os, Pd, Ag, Au, 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 각각의 리간드 LB 및 리간드 LC는 독립적으로 하기 목록 4에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
상기 식에서,
Ra', Rb', 및 Rc'는 각각 독립적으로 그것의 연관된 고리에 대한 비치환, 일치환, 또는 최대 허용되는 수 이하의 치환을 나타내고;
각각의 Ra1, Rb1, Rc1, Ra, Rb, Rc, RN, Ra', Rb', 및 Rc'는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
2개의 인접한 Ra', Rb', 및 Rc'는 융합되거나 결합되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, 금속 착물은 하기 목록 5에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00063
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
상기 식에서,
각각의 X12 내지 X19는 독립적으로 C 또는 N이고;
각각의 Y는 독립적으로 NR, O, S, 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 L은 독립적으로 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, O, S, Se, C=X', S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 X 및 X'는 독립적으로 O, S, Se, NR", 및 CR"R"'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 R, R', R", R'", RA", RB", RC", RD", RE", 및 RF"는 독립적으로 일치환, 최대 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
각각의 R, R', RA1', RA2', RA", RB", RC", RD", RE", RF", RG", RH", RI", RJ", RK", RL", RM", 및 RN"는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이다.
일부 실시양태에서, 금속 카르벤 착물은 하기 목록 6에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
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Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
일부 실시양태에서, 제2 호스트는 본원에 정의된 목록 1 및 목록 2에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
엑시플렉스를 갖는 OLED
본원에 기재된 또 다른 실시양태에서, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하는 OLED가 개시되어 있다. 발광층은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하고, 여기서 제1 화합물 및 제2 화합물은 엑시플렉스를 형성하고, 제1 화합물은 유기금속 화합물이 아니며, 제1 화합물은 전체적으로 또는 부분적으로 중수소화되고, 단, 제1 화합물도 제2 화합물도 하기의 것이 아니다:
Figure pat00089
.
일부 실시양태에서, 제1 및 제2 화합물 둘 모두는 유기물이다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물은 금속을 포함하지 않는다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물은 적어도 2개의 중수소 원자를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물은 적어도 5% 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 제1 및 제2 화합물 둘 모두는 호스트 물질이고, 발광층은 추가적으로 이미터를 포함한다.
일부 실시양태에서, 각각의 제1 화합물 및 제2 화합물은 독립적으로 본원에 정의된 목록 1에서의 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 각각의 제1 화합물 및 제2 화합물은 독립적으로 본원에 정의된 목록 2에서의 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 이미터는 인광성 화합물, 형광성 화합물, 및 열 활성화 지연 형광성(TADF) 화합물로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물은 호스트 물질이고, 제2 화합물은 이미터이다.
일부 실시양태에서, 이미터는 본원에 정의된 목록 3에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되는 리간드를 포함하는 인광성 화합물이다.
일부 실시양태에서, 이미터는 본원에 정의된 목록 4에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되는 리간드를 포함하는 인광성 화합물이다.
일부 실시양태에서, 이미터는 본원에 정의된 목록 5에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되는 리간드를 포함하는 인광성 화합물이다.
일부 실시양태에서, 이미터는 TADF 화합물이고, TADF 화합물은 다중-공명 열 활성화 지연 형광성(MR-TADF) 이미터이다.
일부 실시양태에서, 이미터는 TADF 화합물이고, TADF 화합물은 하기:
Figure pat00090
로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학 모이어티 중 적어도 하나를 포함하는 공여체 기; 및
하기:
Figure pat00091
로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학 모이어티 중 적어도 하나를 포함하는 수용체 기를 함유한다.
상기 식에서, X는 O, S, Se, 및 NR로 이루어진 군으로부터 선택되고;
각각의 R은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각의 R은 독립적으로 수용체 기, 상기 수용체 기에 결합된 유기 링커, 또는 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 말단 기이고;
각각의 R'는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각의 R'는 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 이미터는 하기 목록 10에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되는 TADF 화합물이다:
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
일부 실시양태에서, 이미터는 하기 목록 11에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택되는 형광성 화합물이다:
Figure pat00096
Figure pat00097
;
상기 식에서, R1 내지 R6는 각각 독립적으로 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R1 내지 R6는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 전체적으로 또는 부분적으로 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 백금 착물이고, 제1 화합물은 트리아진 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 카르바졸 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 490 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 480 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 470 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 460 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 450 nm 이하의 피크 발광을 갖는다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물의 LUMO는 -2.3 eV 미만이다. 일부 실시양태에서, 제1 화합물의 LUMO는 -2.4 eV 미만이다.
일부 실시양태에서, 제1 화합물의 HOMO는 -5.8 eV 초과이다. 일부 실시양태에서, 제1 화합물의 HOMO는 -5.7 eV 초과이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 화합물은 -5.8 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.3 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 화합물은 -5.7 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.4 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 적어도 하나의 시아노 치환기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 부분적으로 불소화된다. 일부 실시양태에서, 제2 화합물은 정확하게 하나의 F를 포함한다. 일부 실시양태에서, 제2 화합물은 적어도 2개의 F를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 적어도 하나의 트리-아릴 아민을 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 적어도 하나의 부분적으로 중수소화된 알킬기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 리간드와 금속 사이에 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 제2 화합물은 -5.2 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 제2 화합물은 -5.3 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다.
다른 양태에서, 유기 전계발광 디바이스(OLED)는 애노드, 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 발광층은 인광성 도펀트 및 호스트를 포함하고, 여기서 인광성 도펀트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고; 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된다.
일부 실시양태에서, 도펀트는 Ir 또는 Pt 착물이다. 일부 실시양태에서, 도펀트는 Pt 착물이다.
일부 실시양태에서, Pt 착물은 4좌 리간드를 포함한다. 일부 실시양태에서, 도펀트 및 호스트는 엑시플렉스를 형성한다.
일부 실시양태에서, 호스트는 본원에 정의된 목록 1에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 호스트는 본원에 정의된 목록 2에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 백금 착물이고, 호스트는 트리아진 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 카르바졸 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 500 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 490 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 480 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 470 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 460 nm 이하의 피크 발광을 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 450 nm 이하의 피크 발광을 갖는다.
일부 실시양태에서, 호스트의 LUMO는 -2.3 eV 미만이다. 일부 실시양태에서, 제1 화합물의 LUMO는 -2.4 eV 미만이다.
일부 실시양태에서, 호스트의 HOMO는 -5.8 eV 초과이다. 일부 실시양태에서, 제1 화합물의 HOMO는 -5.7 eV 초과이다.
일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.8 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.3 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.7 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.4 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 적어도 하나의 시아노 치환기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 부분적으로 불소화된다. 일부 실시양태에서, 제2 화합물은 정확하게 하나의 F를 포함한다. 일부 실시양태에서, 제2 화합물은 적어도 2개의 F를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 적어도 하나의 트리-아릴 아민을 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 적어도 하나의 부분적으로 중수소화된 알킬기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 리간드와 금속 사이에 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 -5.2 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다. 일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 -5.3 eV 미만의 HOMO 준위를 갖는다.
또 다른 양태에서, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스(OLED)가 기재되어 있다. 발광층은 인광성 도펀트 및 제1 호스트를 포함하고, 여기서 제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고, 인광성 도펀트는 적어도 하나의 금속-산소 결합을 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 Ir 또는 Pt 착물이다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 Pt 착물이다.
일부 실시양태에서, Pt 착물은 4좌 리간드를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트 및 호스트는 엑시플렉스를 형성한다.
일부 실시양태에서, 호스트는 본원에 정의된 목록 1에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 호스트는 본원에 정의된 목록 2에서의 구조들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 백금 착물이고, 호스트는 트리아진 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 벤즈이미다졸 모이어티를 포함한다.
일부 실시양태에서, 인광성 도펀트는 4좌 리간드를 포함하는 백금 착물이고, 4좌 리간드 및 백금 원자는 5-6-6 킬레이트 고리를 형성한다.
일부 실시양태에서, 발광층은 제2 호스트를 추가로 포함하고, 여기서 제1 호스트는 -5.8 eV 초과의 HOMO 준위를 갖고, 제2 호스트는 -2.3 eV 미만의 LUMO 준위를 갖는다.
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 OLED는 추가의 특징을 포함할 수 있다.
일반 용어(예를 들어, 이미터, 발광성 도펀트, 호스트 등)이 사용되는 경우, 하나의 실시양태로부터의 화합물이 다른 실시양태에서 사용될 수 있다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 추가로 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란을 포함하며, 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기이거나, 또는 호스트는 치환기를 가지지 않으며, 여기서 n은 1 내지 10이고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이들의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 추가로 포함할 수 있고, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자-트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화학기를 포함한다.
일부 실시양태에서, 호스트는 하기 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 호스트 그룹으로부터 선택될 수 있다:
Figure pat00098
Figure pat00099
Figure pat00100
일부 실시양태에서, 유기층은 호스트를 추가로 포함할 수 있고, 호스트는 금속 착물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 본원에 기재된 화합물은 증감제일 수 있으며; 디바이스는 억셉터를 추가로 포함할 수 있고, 억셉터는 형광 이미터, 지연 형광 이미터, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용의 OLED는 또한 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 화합물을 함유하는 발광 영역을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 본 개시내용의 OLED는 캐소드와 애노드 사이에 발광 영역을 포함하고, 여기서 발광 영역은 제1 형광 이미터 및 제1 호스트를 포함하는 본원에 기재된 발광층을 포함한다.
일부 실시양태에서, 애노드, 캐소드, 또는 유기 발광층 위에 배치된 새로운 층 중 적어도 하나는 강화층으로서 기능한다. 강화층은, 이미터 물질에 비방사적으로 결합하고 여기된 상태 에너지를 이미터 물질로부터 비방사 모드의 표면 플라즈몬 폴라리톤으로 전달하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함한다. 강화층은 유기 발광층으로부터 임계 거리 이내에 제공되며, 여기서 이미터 물질은 강화층의 존재로 인해 총 비방사성 붕괴 속도 상수와 총 방사성 붕괴 속도 상수를 가지며 임계 거리는 총 비방사성 붕괴 속도 상수가 총 방사성 붕괴 속도 상수와 동일한 곳이다. 일부 실시양태에서, OLED는 아웃커플링층을 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 유기 발광층의 반대측의 강화층 위에 배치된다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 강화층으로부터 발광층의 반대측에 배치되지만 여전히 강화층의 표면 플라즈몬 모드로부터 에너지를 아웃커플링한다. 아웃커플링층은 표면 플라즈몬 폴라리톤으로부터의 에너지를 산란시킨다. 일부 실시양태에서 이 에너지는 광자로서 자유 공간에 산란된다. 다른 실시양태에서, 에너지는 표면 플라즈몬 모드로부터 유기 도파로 모드, 기판 모드, 또는 다른 도파 모드와 같은 (이에 한정되지 않음) 디바이스의 다른 모드로 산란된다. 에너지가 OLED의 비자유 공간 모드로 산란되는 경우, 다른 아웃커플링 스킴을 통합하여 해당 에너지를 자유 공간으로 추출할 수 있다. 일부 실시양태에서, 강화층과 아웃커플링층 사이에 하나 이상의 개재층이 배치될 수 있다. 개재층(들)의 예는 유기, 무기, 페로브스카이 트, 산화물을 포함한 유전체 재료일 수 있고, 이들 재료의 스택 및/또는 혼합물을 포함할 수 있다.
강화층은 이미터 물질이 존재하는 매체의 유효 특성을 변경하여, 하기의 어느 것 또는 모두를 초래한다: 발광 속도 저하, 발광 라인 형상의 변경, 각도에 따른 발광 강도 변화, 이미터 물질의 안정성 변화, OLED의 효율 변화, 및 OLED 디바이스의 감소된 효율 롤-오프. 캐소드측, 애노드측, 또는 양측 모두에 강화층을 배치하면 앞서 언급한 효과 중 어느 것을 이용하는 OLED 디바이스가 생성된다. 본원에서 언급되고 도면에 도시된 각종 OLED 예에서 설명된 특정 기능성 층 외에도, 본 개시내용에 따른 OLED는 OLED에서 흔히 마련되는 임의의 다른 기능성 층을 포함할 수 있다.
강화층은 플라즈몬 물질, 광학 활성 메타물질, 또는 하이퍼볼릭 메타물질로 구성될 수 있다. 본원에서 사용시, 플라즈몬 물질은 전자기 스펙트럼의 가시 광선 또는 자외선 영역에서 유전 상수의 실수부가 0과 교차하는 물질이다. 일부 실시양태에서, 플라즈몬 물질은 적어도 하나의 금속을 포함한다. 이러한 실시양태에서 금속은 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이들 재료의 합금 또는 혼합물, 및 이들 재료의 스택 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일반적으로, 메타물질은, 상이한 물질로 구성된 매체로서, 매체 전체가 그 물질 부분의 합과는 상이하게 작용하는 매체이다. 특히, 본 출원인은 광학 활성 메타물질을 음의 유전율과 음의 투과율을 모두 가진 물질로서 정의한다. 한편, 하이퍼볼릭 메타물질은 유전율 또는 투과율이 다른 공간 방향에 대해 다른 부호를 갖는 이방성 매체이다. 광학 활성 메타물질 및 하이퍼볼릭 메타물질은 매체가 빛의 파장 길이 규모에서 전파 방향으로 균일하게 나타나야 한다는 점에서 분산 브래그 반사경(Distributed Bragg Reflector, "DBR")과 같은 다른 많은 포토닉 구조와 엄격하게 구분된다. 당업자가 이해할 수 있는 용어를 사용하여: 전파 방향에서 메타물질의 유전 상수는 유효 매체 근사치로 설명될 수 있다. 플라즈몬 물질과 메타물질은 다양한 방식으로 OLED 성능을 향상시킬 수 있는 빛의 전파를 제어하는 방법을 제공한다.
일부 실시양태에서, 강화층은 평면층으로서 제공된다. 다른 실시양태에서, 강화층은, 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 사이즈의 피처, 또는 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 서브파장 사이즈의 피처를 갖는다. 일부 실시양태에서, 파장 사이즈의 피처 및 서브파장 사이즈의 피처는 샤프한 엣지를 갖는다.
일부 실시양태에서, 아웃커플링층은, 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 파장 사이즈의 피처, 또는 주기적으로, 준-주기적으로, 또는 무작위로 배열되는 서브파장 사이즈의 피처를 갖는다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은 복수의 나노입자로 구성될 수 있으며 다른 실시양태에서 아웃커플링층은 재료 위에 배치된 복수의 나노입자로 구성된다. 이들 실시양태에서 아웃커플링은 복수의 나노입자의 사이즈를 변화시키는 것, 복수의 나노입자의 형상을 변화시키는 것, 복수의 나노입자의 재료를 변화시키는 것, 상기 재료의 두께를 조정하는 것, 복수의 나노입자 상에 배치된 상기 재료 또는 추가 층의 굴절률을 변화시키는 것, 강화층의 두께를 변화시키는 것, 및/또는 강화층의 재료를 변화시키는 것 중 적어도 하나에 의해 조정가능하다. 디바이스의 복수의 나노입자는 금속, 유전체 재료, 반도체 재료, 금속의 합금, 유전체 재료의 혼합물, 하나 이상의 재료의 스택 또는 층, 및/또는 1종의 재료의 코어로서, 상이한 종류의 재료의 쉘로 코팅된 코어 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일부 실시양태에서, 아웃커플링층은, 금속이 Ag, Al, Au, Ir, Pt, Ni, Cu, W, Ta, Fe, Cr, Mg, Ga, Rh, Ti, Ru, Pd, In, Bi, Ca, 이들 재료의 합금 또는 혼합물, 및 이들 재료의 스택으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 나노입자로 구성된다. 복수의 나노입자는 그 위에 배치되는 추가 층을 가질 수 있다. 일부 실시양태에서, 발광의 편광은 아웃커플링층을 사용하여 조정될 수 있다. 아웃커플링층의 차원 및 주기성을 변화시킴으로써 공기에 우선적으로 아웃커플링되는 편광의 타입을 선택할 수 있다. 일부 실시양태에서 아웃커플링층은 또한 디바이스의 전극으로서 작용한다.
또 다른 양태에서, 본 개시내용은 또한 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 갖는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품을 제공하며, 여기서 유기층은 본 개시내용의 상기 화합물 섹션에서 개시된 화합물을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 본원에 기재된 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함한다.
일부 실시양태에서, 소비자 제품은 평면 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 대각선이 2인치 미만인 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판 중 하나일 수 있다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
여러가지의 OLED 재료 및 구성은 미국특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 인광은 인용에 의해 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 인용에 의해 포함되는 미국특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합이 미국특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 m-MTDATA가 F4-TCNQ로 도핑된 것이 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 그 전문이 인용에 의해 포함되는 미국특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국특허 제6,097,147호 및 미국특허출원 공개공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 주입층의 예는 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 보호층의 설명은 미국특허출원 공개공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다.
도 2는 역구조 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역구조" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 개시내용의 실시양태는 다양한 다른 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 다른 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 추가로 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액 기반 공정을 포함한다. 용액 기반 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 인용에 의해 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)과 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 추가로 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 아래에서 또는 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국특허 제7,968,146호, PCT 특허출원번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 개시내용의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 몇몇 예로는 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 스트레처블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이(대각선이 2인치 미만인 디스플레이), 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광요법 디바이스, 및 간판이 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 개시내용에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 인용에 의해 본원에 포함된다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
일부 실시양태에서, OLED는 플렉시블, 롤러블, 폴더블, 스트레처블 및 곡면 특성으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명하다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 추가로 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열, 또는 화이트 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 미만이거나 면적이 50 제곱인치 미만인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선이 10 인치 이상이거나 면적이 50 제곱인치 이상인 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
일부 실시양태에서, 상기 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨; 예를 들면 그 전문이 인용에 의해 본원에 포함되는 미국특허출원 제15/700,352호를 참조함), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다. 일부 실시양태에서, 발광 도펀트는 라세믹 혼합물일 수 있거나, 또는 하나의 거울상 이성질체가 농후할 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 동종리간드성(각 리간드가 동일)일 수 있다. 일부 실시양태에서, 화합물은 이종리간드성(적어도 하나의 리간드가 나머지와 상이)일 수 있다. 금속에 배위된 하나 초과의 리간드가 존재하는 경우, 리간드는 일부 실시양태에서 모두 동일할 수 있다. 일부 다른 실시양태에서는, 적어도 하나 리간드가 나머지 리간드와 상이하다. 일부 실시양태에서는, 모든 리간드가 서로 상이할 수 있다. 이것은 또한, 금속에 배위된 리간드가 그 금속에 배위된 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 형성할 수 있는 실시양태의 경우에도 해당된다. 따라서, 배위 리간드들이 함께 연결되는 경우, 모든 리간드가 일부 실시양태에서 동일할 수 있고, 연결되는 리간드 중 적어도 하나는 일부 다른 실시양태의 경우에 나머지 리간드(들)와 상이할 수 있다.
일부 실시양태에서, 화합물은 OLED에서 인광성 증감제로서 사용될 수 있고, 이때 OLED 내 하나 또는 복수의 층이 하나 이상의 형광 및/또는 지연 형광 이미터 형태의 억셉터를 함유한다. 일부 실시양태에서, 화합물은 증감제로서 사용되는 엑시플렉스의 하나의 성분으로서 사용될 수 있다. 인광성 증감제로서, 화합물은 억셉터로 에너지를 전달할 수 있어야 하고 억셉터는 에너지를 방출하거나 추가로 최종 이미터로 에너지를 전달한다. 억셉터 농도는 0.001% 내지 100%의 범위일 수 있다. 억셉터는 인광성 증감제와 동일한 층 또는 하나 이상의 상이한 층에 있을 수 있다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 TADF 이미터이다. 일부 실시양태에서, 억셉터는 형광 이미터이다. 일부 실시양태에서, 발광은 증감제, 억셉터 및 최종 이미터 중 어느 것 또는 전부로부터 일어날 수 있다.
다른 양태에 따르면, 본원에 기재된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시되어 있다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고, 상기 화합물은 일부 실시양태에서 발광 도펀트일 수 있고, 한편 상기 화합물은 다른 실시양태에서 비발광 도펀트일 수 있다.
본 개시내용의 또 하나의 다른 양태에서는, 본원에 개시된 신규 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본원에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 차단 물질, 정공 차단 물질, 및 전자 수송 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
본 개시내용은 본 개시내용의 신규 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체를 포함하는 임의의 화학 구조를 포함한다. 즉, 본 발명의 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체는 더 큰 화학 구조의 일부일 수 있다. 그러한 화학 구조는 단량체, 중합체, 거대분자 및 초분자(초거대분자로도 알려짐)로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 1가 변형체"는 하나의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합으로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 다가 변형체"는 하나 초과의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합 또는 결합들로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 초분자의 경우, 본 발명의 화합물은 또한 공유 결합 없이 초분자 착물에 혼입될 수도 있다.
본 개시내용의 또 다른 양태에서, 화합물은 상기 기재된 목록 1에서의 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, 화합물은 상기 기재된 목록 2에서의 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택된다.
C. 본 개시내용의 화합물과 다른 물질의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 매우 다양한 기타 물질과의 조합으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 매우 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 언급된 물질은 본원에 개시된 화합물과의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
a) 전도성 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, 및 US2012146012.
Figure pat00101
b) HIL/HTL:
본 개시내용에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:
Figure pat00102
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00103
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00104
여기서 Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드 최대수이다.
한 양태에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 양태에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 양태에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 양태에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
Figure pat00109
Figure pat00110
Figure pat00111
Figure pat00112
c) EBL :
전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 준위에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 한 양태에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
d) 호스트:
본 개시내용의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질이 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용되는 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00113
여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 부착될 수 있는 리간드의 최대 수이다.
한 양태에서, 금속 착물은
Figure pat00114
이며, 여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 양태에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 양태에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
일 양태에서, 호스트 화합물은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된 군 중 적어도 하나를 함유한다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, 호스트 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
Figure pat00115
Figure pat00116
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 독립적으로 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 독립적으로 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
e) 추가의 이미터 :
하나 이상의 추가의 이미터 도펀트가 본 개시내용의 화합물과 결합하여 사용될 수 있다. 추가의 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 물질로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 일으킬 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
Figure pat00122
Figure pat00123
Figure pat00124
Figure pat00125
Figure pat00126
Figure pat00127
f) HBL :
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 준위로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다.
한 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.
또 다른 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:
Figure pat00128
여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
g) ETL :
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물이 사용될 수 있다.
한 양태에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
Figure pat00129
여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 양태에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:
Figure pat00130
여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위된 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 부착될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,
Figure pat00131
Figure pat00132
Figure pat00133
h) 전하 생성층 ( CGL ):
탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각각 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 그 후, 바이폴라 전류가 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는 임의의 상기 언급한 화합물들에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화될 수 있다. 중수소화되는 화합물 중의 수소의 최소 양은 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 99%, 및 100%로 이루어진 군으로부터 선택된다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.
본원에 기술된 다양한 실시양태는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본원에 기술된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 특허 청구된 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이, 본원에 기술된 특정 실시예 및 바람직한 실시양태로부터 유래하는 변형예를 포함할 수도 있다. 본 발명이 왜 효과가 있는지에 관한 다양한 이론을 한정하려는 의도는 없음을 이해하여야 한다.
실험 데이터
15-Ω/sq의 시트 저항을 갖는 인듐-주석-산화물(ITO)로 예비-코팅된 유리 기판 상에서 OLED를 성장시켰다. 임의의 유기층 증착 또는 코팅 전에 기판을 용매로 탈지시키고, 이후 100 mTorr에서 50W로 1.5분 동안 산소 플라즈마로 처리하고 5분 동안 UV 오존으로 처리하였다. 고진공(< 10-6 Torr) 하에서 열증착에 의해 디바이스를 제작하였다. 애노드 전극은 750 Å의 인듐 주석 산화물(ITO)이었다. 모든 디바이스를 질소 글로브 박스(<1ppm의 H2O 및 O2)에서 에폭시 수지를 사용하여 밀봉된 유리 뚜껑으로 캡슐화하였고, 제작 직후 수분 게터(moisture getter)를 패키지 내에 포함시켰다. 도핑 백분율은 부피%이다. 하기 물질을 사용하여 디바이스를 여러 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다:
Figure pat00134
Figure pat00135
Figure pat00136
.
표 1은 DH1 내지 DH4에 대한 계산된 일중항 및 삼중항 에너지를 나타낸다. 효과적인 핵심 성능을 포함하는 CEP-31G 기저 집합 및 B3LYP 하이브리드 범함수를 사용하는 가우시간 09 소프트웨어 패키지에서 지오메트리 최적화 계산을 수행하였다. 본원에서 확인된 DFT 범함수 집합 및 기저 집합으로 얻은 이러한 계산들은 이론적인 것으로 이해되어야 한다. 컴퓨터 복합 프로토콜, 예컨대 본원에 사용되는 CEP-31G 기저 집합을 사용하는 가우시안은, 전자 효과가 부가적이라는 가정에 따르고, 이에 따라 더 큰 기저 집합이 완전한 기저 집합(CBS) 한계값에 대해 외삽하기 위해 사용될 수 있다. 그러나, 본 연구의 목적이 일련의 구조적으로 관련된 화합물에 대해 HOMO, LUMO, S1, T1, 결합 해리 에너지 등의 변화를 이해하기 위한 경우, 부가적인 효과는 유사한 것으로 예상된다. 따라서, B3LYP를 사용하는 것으로부터의 절대 오차는 다른 컴퓨터 방법과 비교하여 유의미할 수 있는 한편, B3LYP 프로토콜을 사용하여 계산된 HOMO, LUMO, S1, T1, 및 결합 해리 에너지 값 사이의 상대적인 차이는 실험을 상당히 잘 재현할 수 있을 것으로 예상된다. 예를 들어, 문헌[Hong et al., Chem. Mater. 2016, 28, 5791-98, 5792-93] 및 보충 정보(OLED 재료의 맥락에서의 DFT 계산의 신뢰성을 논의함)을 참조한다. 또한, OLED 기술분야에서 유용한 이리듐 또는 백금 착물과 관련하여, DFT 계산으로부터 얻은 데이터는 실제 실험 데이터와 매우 잘 상관된다. 문헌[Tavasli et al., J. Mater. Chem. 2012, 22, 6419-29, 6422 (표 3)](다양한 발광 착물에 대한 실제 데이터와 밀접하게 상관되는 DFT 계산을 나타냄); 문헌[Morello, G.R., J. Mol. Model. 2017, 23:174](다양한 DFT 범함수 집합 및 기저 집합을 연구하여 B3LYP 및 CEP-31G의 조합이 발광 착물에 대해 특히 정확하다는 것으로 결론 내림)을 참조한다.
[표 1] 계산된 일중항 및 삼중항 에너지 및 상응하는 일중항-삼중항 갭
Figure pat00137
실온에서의 도핑된 PMMA 필름의 광발광 발광 스텍트럼을 Pt-1, Pt-2, Pt-3, Pt-4, Pt-5, 및 Pt-7에 대해 측정하였다. 필름의 발광 스펙트럼을 340nm의 여기 파장으로 보정형 Hamamatsu Quantaurus-QY Plus UV-NIR 절대 PL 양자 수율 분광계 상에서 측정하였다. 여과되고 석영 기판에 드롭캐스팅되는 톨루엔 중의 PMMA를 가진 1중량% 이미터의 용액으로부터 필름을 제조하였다. 상응하는 피크 발광 파장(λmax) 및 반치전폭(FWHM)은 표 2에 나타나 있다.
[표 2] 1% 도핑된 PMMA 필름의 광발광 발광 스펙트럼 데이터
Figure pat00138
실시예 1-10 및 비교예 1-2의 경우, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 1은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 HH1 (EBL), 도펀트의 X%인 고정 백분율의 HH2로 도핑된 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 HH2 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 2는 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 HH1 (EBL), 도펀트의 X%인 고정 백분율의 DH2로 도핑된 300 Å의 DH1 (EML), 50Å의 HH2 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 실시예 1-7, 실시예 10-11, 및 비교예 1의 경우, HH2 또는 DH2의 도핑 백분율은 50%이었다. 실시예 8-9 및 비교예 2의 경우, HH2 또는 DH2의 도핑 백분율은 40%이었다. 각 디바이스의 도펀트 및 도핑 백분율은 표 4 및 표 5에 주어진다.
실시예 1-6 및 비교예 1의 경우, 측정된 수명 (LT90)은 20mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 90%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 3에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 1의 LT90에 대한 디바이스 구조 2의 LT90의 비이다.
[표 3] 중수소화된 호스트에서의 청색 발광 백금 착물의 증강 인자(enhancement factor)
Figure pat00139
상기 데이터는 디바이스 실시예 1-7 각각이 비교예 1보다 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타내었음을 보여준다. 60%-100% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 디바이스가 인광성 도펀트의 선택만이 차이가 있고 동일한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 특정 분자 구조 모티프 또는 특정 발광 특성을 갖는 도펀트와 중수소화된 호스트 사이의 분자간 분해 반응의 억제에 기인할 수 있다. 실시예 1-5 및 실시예 7에서, 형광체는 금속-카르벤 결합을 포함하는 Pt-착물이고, 카르벤을 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 3에서 형광체는 선형 방식으로 융합된 4개의 고리를 갖는 융합된-고리 구조를 포함하고, 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 1-4에서, 터페닐 치환된 카르벤 형광체는 각각 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것에 직접적으로 융합되지 않은, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기를 포함하고, 이는 각각 터페닐 치환을 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시에 1-7에서, 각 형광체는 금속에 직접 결합된 카르바졸 모이어티를 포함하고, 카르바졸 모이어티를 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시에 6에서, 형광체는 붕소 원자를 포함하고, 붕소 원자를 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 1-7에서, 각 형광체는 하나의 5원 킬레이트 및 2개의 인접한 6원 킬레이트이고 적어도 2개의 이웃하는 킬레이트 고리의 크기가 동일한 적어도 3개의 인접한 5원 또는 6원 킬레이트 고리를 형성하는 4좌 리간드를 포함하고, 각각은 동일한 크기의 임의의 2개의 이웃하는 킬레이트 고리를 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 7에서, 형광체는 규소 원자를 포함하고, 규소 원자를 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 1-4에서, 형광체 각각은 중수소화된 페닐 고리를 포함하고, 임의의 중수소화를 포함하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 5에서, 형광체는 호스트 물질과 엑시플렉스를 형성하고, 호스트와 엑시플렉스를 형성하지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 1-5에서, 형광체 각각은 40 nm 미만인 λmax에서의 발광의 반치전폭을 나타내고 표 2에 나타난 바와 같이 1% 도핑된 PMMA 필름을 포함하고, 이들 각각은 40 nm 초과인 λmax에서의 발광의 반치전폭을 나타내는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다.
실시예 8-11 및 비교예 2의 경우, 측정된 수명 (LT95)은 60mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 95%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 4 및 5에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 1의 LT95에 대한 디바이스 구조 2의 LT95의 비이다. Ir-1 내지 Ir-3 및 Ir-5를 사용한 디바이스의 증강 인자는 표 5에 나타나 있다.
[표 4] 중수소화된 호스트에서의 녹색 및 적색 발광 이리듐 착물의 증강 인자
Figure pat00140
상기 데이터는 디바이스 실시예 8-10 모두가 중소소화로부터의 큰 증강을 나타내었고 비교예 2보다 80% 더 큰 증강 인자를 가지는 것을 나타낸다. 20%-110% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 디바이스 실시예 8-10이 형광체의 선택만이 상이하고 비교예 2와 동일한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 특정 분자 구조 모티프 또는 특정 발광 특성을 갖는 도펀트와 중수소화된 호스트 사이의 분자간 분해 반응의 억제에 기인할 수 있다. 실시예 8에서, 형광체는 적어도 하나의 6원 헤테로아릴 고리를 포함하는 적어도 3개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조 또는 금속에 직접 결합된 벤젠 고리를 포함하는 융합된 고리 구조를 포함하고, 임의의 융합된 고리 구조를 함유하지 않는 비교예 2에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 9에서, 형광체는 3개의 상이한 2좌 리간드를 포함하는 Ir(III) 착물이고, 동종리간드 Ir(III) 착물인 비교예 2에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 10에서, 형광체는 아세틸아세토네이트 리간드를 포함하고, 아세틸아세토네이트 리간드를 포함하지 않는 비교예 2에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다.
[표 5] 중수소화된 호스트에서의 적외 발광 착물의 증강 인자
Figure pat00141
실온에서의 도핑된 PMMA 필름의 광발광 양자 수율(PLQY)을 Ir-4에 대해 측정하였다. 340nm의 여기 파장으로 보정형 Hamamatsu Quantaurus-QY Plus UV-NIR 절대 PL 양자 수율 분광계 상에서 PLQY를 측정하였다. 여과되고 석영 기판에 드롭캐스팅되는 톨루엔 중의 PMMA를 가진 1중량% Ir-4의 용액으로부터 필름을 제조하였다. 상응하는 피크 발광 파장(λmax) 및 PLQY는 표 6에 나타나 있다.
[표 6] Ir-4의 λmax 및 PLQY
Figure pat00142
실시예 11에서, 표 6에 나타난 바와 같이 1% 도핑된 PMMA 필름에서 적어도 30%의 PLQY 값으로 700-1000 nm 범위의 λmax를 갖고, 적어도 2개의 헤테로원자뿐만 아니라 적어도 하나의 불소 원자를 포함하는 헤테로아릴 모이어티를 포함하는 불소화된 퀴나졸린을 함유하는 형광체는 호스트가 중수소화된 경우에 유의미한 수명 증강을 나타낸다.
실시예 12에서, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 3은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 400 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 30% HH2, 12%의 Pt-8로 도핑된 400 Å의 HH1 (EML), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 4는 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 400 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 30% DH2, 12%의 Pt-8로 도핑된 400 Å의 DH1 (EML), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 측정된 수명 (LT95)은 80mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 95%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 7에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 3의 LT95에 대한 디바이스 구조 4의 LT95의 비이다.
[표 7] Pt-8의 증강 인자
Figure pat00143
상기 데이터는 디바이스 실시예 12가 비교예 2보다 더 큰 수명 증강을 나타내었음을 보여준다. 80% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 실시예 12가 형광체의 선택이 디바이스들 간의 주요 차이점이고 비교예 2와 동일한 호스트 물질을 사용한다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 배위 산소 원자를 포함하는 4좌 리간드를 갖는 Pt-8를 갖는 중수소화된 호스트의 억제된 반응성에 기인할 수 있다. 또한, Pt-8에 대한 수직 쌍극자 비(VDR)는 0.15 미만이고, 이는 528nm에서의 λmax 및 0.15 미만의 VDR을 갖는 이 형광체가 0.15 초과의 VDR을 갖는 비교예 2보다 호스트의 중수소화로부터 수명의 더 큰 증강을 나타내는 것을 보여준다.
실시예 13의 경우, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 5는 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 HH1 (EBL), 30% HH3, 12%의 Pt-2로 도핑된 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 HH3 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 6은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 HH1 (EBL), 30% DH3, 12%의 Pt-2로 도핑된 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 HH3 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 측정된 수명 (LT90)은 20mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 90%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 8에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 5의 LT90에 대한 디바이스 구조 6의 LT90의 비이다.
[표 8] 중수소화된 붕소 함유 호스트에서의 Pt-2의 상대적 수명
Figure pat00144
상기 데이터는 디바이스 실시예 13이 호스트가 중수소화되지 않은 디바이스와 비교하여 연장된 수명을 나타내었음을 보여준다. 30% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 형광체와의 중수소화된 붕소 함유 호스트의 억제된 반응성에 기인할 수 있다.
실시예 14의 경우, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 7은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 50% HH4, 12%의 Pt-2로 도핑된 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 DH4 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 8은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 50% DH4, 12%의 Pt-2로 도핑된 300 Å의 DH1 (EML), 50Å의 DH4 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 측정된 수명 (LT90)은 20mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 90%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 9에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 7의 LT90에 대한 디바이스 구조 8의 LT90의 비이다.
[표 9] 중수소화된 TADF 호스트에서의 Pt-2의 상대적 수명
Figure pat00145
상기 데이터는 디바이스 실시예 14가 호스트의 중수소화와 비교하여 연장된 수명을 나타내었음을 보여준다. 180% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 작은 S1호스트 -T1호스트를 갖는 DH4를 사용하는 실시예 14에서의 증강은 더 큰 S1호스트 -T1호스트를 갖는 DH2를 사용하여 관측된 것 중 임의의 것보다 훨씬 더 크다. DH4 및 DH2가 DH4에 대해 S1호스트 -T1호스트가 더 작다는 주요 차이점을 가지며 유사한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 호스트가 0.30 eV 미만이 S1호스트 -T1호스트 사이의 차이를 가질 때 특히 영향을 미치는 중수소화 호스트와 백금 착물 간의 억제된 반응에 기인할 수 있다.
실시예 15-16의 경우, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 9는 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 52% HH2, 13%의 도펀트로 도핑된 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 DH2 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 10은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), 50 Å의 DH1 (EBL), 52% DH2, 13%의 도펀트로 도핑된 300 Å의 DH1 (EML), 50Å의 DH2 (BL), 35%의 화합물 4로 도핑된 300 Å의 화합물 3 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 측정된 수명 (LT90)은 20mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 90%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 10에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 9의 LT90에 대한 디바이스 구조 10의 LT90의 비이다.
[표 10] 중수소화된 호스트에서의 청색 발광 착물의 증강 인자
Figure pat00146
실시예 15-16에서, 각각은 비교예 1보다 중소소화로부터 더 큰 증강을 나타내었다. 90%-130% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. 디바이스가 인광성 도펀트가 선택되는 주요 차이점을 가지고 유사한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 특정 분자 구조 모티프 또는 특정 발광 특성을 갖는 도펀트와 중수소화된 호스트 사이의 분자간 분해 반응의 억제에 기인할 수 있다. Pt-10 및 Pt-11 둘 모두는 9원 고리를 포함하고, 7개 이상의 원자를 포함하는 고리를 갖지 않는 비교예 1에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다.
실시예 15 내지 실시예 16을 비교하면, Pt-10를 사용한 디바이스는 Pt-11를 사용한 디바이스보다 더 큰 증강을 나타낸다. 인광성 도펀트가 Pt-10가 Pt-11보다 더 많은 중수소 원자를 함유하는 유일한 차이점을 가지고 동일한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, Pt-10에 대한 더 큰 증강 인자는 EML로부터 추가의 수소 원자의 제거에 의해 유래될 수 있다. 일부 실시양태에서, 바람직한 발광 착물은 중수소화된 20% 초과의 양성자, 더 바람직하게는 중수소화된 50% 초과의 양성자, 가장 바람직하게는 중수소화된 75% 초과의 양성자를 갖는다.
실시예 17 및 비교예 3의 경우, 디바이스를 2개의 상이한 디바이스 구조로 성장시켰다. 디바이스 구조 11은 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), X%의 도펀트를 갖는 300 Å의 HH1 (EML), 50Å의 화합물 5 (BL), 300 Å의 화합물 6 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 디바이스 구조 12는 ITO 표면으로부터 순차적으로 하기의 것으로 구성된 유기층을 가졌다: 100 Å의 화합물 1 (HIL), 250 Å의 화합물 2 (HTL), X%의 도펀트를 갖는 300 Å의 DH1 (EML), 50Å의 화합물 5 (BL), 300 Å의 화합물 6 (ETL), 10 Å의 화합물 3 (EIL) 그 다음 1,000 Å의 Al (캐소드). 각 디바이스에 대한 도펀트 및 도핑 농도는 표 11에 주어져 있다. 측정된 수명 (LT90)은 20mA/cm2의 정전류 밀도에서의 초기 휘도의 90%로 밝기가 감소하는 시간이다. 표 10에 기록된 증강 인자는 디바이스 구조 11의 LT90에 대한 디바이스 구조 12의 LT90의 비이다.
[표 11] 중수소화된 호스트에서의 청색 발광 착물의 증강 인자
Figure pat00147
상기 데이터는 디바이스 실시예 17이 호스트의 중수소화로부터 큰 증강을 나타내었고 비교예 2보다 60% 초과의 증강을 가지는 것을 보여준다. 90% 수명 증강은 실험 오차에 기인할 수 있는 임의의 값을 상회하는 것이고, 관측된 개선은 유의미하다. Ir-6는 Ir-6의 융합된 고리 구조가 주요 차이점이고 Ir-7에 대해 유사한 구조를 갖는다는 사실에 기초하여, 상기 데이터에서 관측된 유의미한 성능 개선은 예상 외의 것이었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 4개 이상의 융합된 고리를 포함하는 융합된 고리 구조를 갖는 도펀트와 중수소화된 호스트 사이의 분자간 분해 반응의 억제에 기인할 수 있고, 실시예 17은 임의의 융합된 고리 구조를 함유하지 않는 비교예 3에서의 비교 화합물보다 호스트의 중수소화로부터 더 큰 증강을 나타낸다.
각각의 실시예 1-17 및 비교예 1-3에서, 시험되는 디바이스는 중수소화된 카르바졸을 갖는 호스트를 함유하고, 이들 모두는 디바이스 수명에서 유의미한 증강을 나타내었다. 임의의 이론에 구속되지 않고, 이러한 개선은 도펀트와 중수소화된 카르바졸의 억제된 반응성에 기인할 수 있고, 실시예 1-17에서 나타난 특정 도펀트 화학물질은 비교예 1-3보다 유의미하게 더 큰 증강을 나타낸다. 실시예 1-13 및 실시예 15-16에서, 중수소화된 호스트는 0.25 eV 초과이고 1.50 eV 미만인 S1호스트 -T1호스트 사이의 차이를 갖는다. 실시예 12 및 실시예 14-16은 이들 각각이 무엇보다도 가장 큰 증강 인자를 갖는 중수소화된 물질을 포함하는 차단층을 추가로 포함한다.

Claims (20)

  1. 유기 전계발광 디바이스(OLED)로서,
    애노드;
    캐소드; 및
    상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층
    을 포함하고,
    여기서 발광층은 제1 인광성 이미터 및 제1 호스트를 포함하고;
    제1 인광성 이미터는 금속 착물이고;
    제1 호스트는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고;
    하기 조건 (1) 내지 (22) 중 적어도 하나가 적용되는 유기 전계발광 디바이스(OLED):
    (1) 금속 착물은 금속-카르벤 결합을 포함하는 Pt 착물이고;
    (2) 금속 착물은 이미다졸 모이어티; 적어도 2개의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티; 적어도 하나의 6원 헤테로아릴 고리를 포함하는 적어도 3개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조; 적어도 4개의 고리를 갖는 융합된-고리 구조; 각각이 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기; 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리; 금속에 직접 결합되는 카르바졸 모이어티; 총 적어도 6개의 6원 방향족 고리; 적어도 하나의 붕소 원자; 적어도 하나의 불소 원자; 금속에 직접 결합되는 벤젠 고리를 포함하는 융합된 고리 구조; 또는 치환된 또는 치환되지 않은 아세틸아세토네이트 리간드; 규소 원자; 7개 이상의 원자를 포함하는 고리 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 특징을 포함하고;
    (3) 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 적어도 2개의 이웃하는 킬레이트 고리의 크기가 동일한 적어도 3개의 인접한 5원 또는 6원 킬레이트 고리를 형성하고;
    (4) 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 적어도 하나의 배위 산소 원자 또는 황 원자를 포함하고;
    (5) 금속 착물은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되고;
    (6) 금속 착물은 Os, Ag, Au, Cu, 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하고;
    (7) 금속 착물은 3개의 상이한 2좌 리간드를 포함하는 Ir(III) 착물이고;
    (8) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; 금속 착물은 400-500 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 수직 쌍극자 비(VDR) 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 500-590 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 VDR 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 590-700 nm의 범위의 λmax 및 0.10 이하의 VDR 값을 갖고;
    (9) 금속 착물은 최저 삼중항 에너지 T1em 및 최저 일중항 에너지 S1em을 갖고, 여기서 S1em-T1em 사이의 차이는 0.3 eV 이하이고;
    (10) 제1 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조셀레노펜, 아자-5λ2-벤조[d]벤조[4,5]이미다조[3,2-a]이미다졸, 및 아자-(5,9-디옥사-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 모이어티를 포함하고;
    (11) 제1 호스트는 보릴 모이어티를 포함하고;
    (12) 제1 호스트는 최저 삼중항 에너지 T1호스트 및 최저 일중항 에너지 S1호스트를 갖고, 여기서 S1호스트-T1호스트 사이의 차이는 0.25 eV 이상 그리고 1.50 eV 이하이고;
    (13) 금속 착물은 Pt 착물이고, 제1 호스트는 최저 삼중항 에너지 T1호스트 및 최저 일중항 에너지 S1호스트를 갖고, 여기서 S1호스트-T1호스트 사이의 차이는 0.30 eV 이하이고;
    (14) 제1 호스트는 발광층에서 유일한 호스트 물질이고, 제1 호스트는 적어도 2개의 질소 원자를 포함하는 헤테로아릴기를 포함하고;
    (15) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax에서의 발광의 반치전폭은 40 nm 이하이고;
    (16) 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; λmax는 적어도 30%의 PLQY 값으로 700-1000 nm의 범위이고;
    (17) 발광층은 2개 이상 물질을 함유하고, 이는 엑시플렉스를 형성하고;
    (18) OLED는 적어도 하나의 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 물질을 포함하는 적어도 하나의 추가의 층을 추가로 포함하고;
    (19) OLED는 10 mA/cm2에서 측정되는 제1 디바이스 수명 LT95를 갖고; 여기서 제1 디바이스 수명은 제1 호스트가 중수소화되지 않는 것을 제외하고 제1 디바이스 수명과 동일한 조건 하에 얻은 제2 디바이스 수명보다 적어도 1.5 배 길고;
    (20) 애노드, 캐소드, 또는 상기 발광층 상에 배치된 추가의 층 중 적어도 하나는 강화층으로서 역할을 하고; 여기서 강화층은 제1 인광성 이미터에 비방사성으로 커플링되고 여기 상태 에너지를 이미터 물질로부터 표면 플라즈몬 폴라리톤의 비방사성 모드로 수송하는 표면 플라즈몬 공명을 나타내는 플라즈몬 물질을 포함하고; 강화층은 발광층로부터 임계 거리 이하로 떨어져 제공되고; 제1 인광성 이미터는 강화층의 존재로 인하여 총 비방사성 붕괴율 상수 및 총 방사성 붕괴율 상수를 갖고, 임계 거리는 총 비방사성 붕괴율 상수가 총 방사성 붕괴율 상수와 동일한 거리이고;
    (21) 캐소드를 향하여 애노드에 수직하게 연장되는 방향에 따른 발광층에서의 금속 착물의 농도 수준은 예정된 일정하지 않은 구배 프로파일을 따르고;
    (22) 상기 열거된 2개 이상 조건의 임의의 조합.
  2. 제1항에 있어서, 금속 착물은 금속-카르벤 결합을 포함하는 Pt 착물이거나; 또는 금속 착물은 Pt와 5원 킬레이트 고리를 형성하는 적어도 하나의 다좌 리간드를 포함하는 OLED.
  3. 제2항에 있어서, 적어도 하나의 다좌 리간드는 4좌 리간드이고, 여기서 5원 킬레이트 고리는 카르벤 결합을 포함할 수 있는 OLED.
  4. 제3항에 있어서, 카르벤은 치환기 R로 치환되고, 여기서 치환기 R은 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화되는 OLED.
  5. 제4항에 있어서, 치환기 R은 적어도 2개의 6원 방향족 고리를 포함하고, 이의 각각은 다른 6원 방향족 고리와 직접적으로 융합되지 않는 OLED.
  6. 제1항에 있어서, 금속 착물은 이미다졸 모이어티; 적어도 2개의 헤테로원자를 포함하는 융합된 또는 융합되지 않은 헤테로아릴 모이어티; 적어도 하나의 6원 헤테로아릴 고리를 포함하는 적어도 3개의 고리를 포함하는 융합된-고리 구조; 적어도 4개의 고리를 갖는 융합된-고리 구조; 각각이 적어도 3개의 6원 방향족 고리의 다른 것과 직접적으로 융합되지 않는, 적어도 3개의 6원 방향족 고리를 포함하는 펜던트 기; 금속에 직접 결합되는 부분적으로 또는 전체적으로 중수소화된 5원 또는 6원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리; 금속에 직접 결합되는 카르바졸 모이어티; 총 적어도 6개의 6원 방향족 고리; 적어도 하나의 붕소 원자; 적어도 하나의 불소 원자; 금속에 직접 결합되는 벤젠 고리를 포함하는 융합된 고리 구조; 또는 치환된 또는 치환되지 않은 아세틸아세토네이트 리간드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 특징을 포함하는 OLED.
  7. 제1항에 있어서, 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 적어도 2개의 이웃하는 킬레이트 고리의 크기가 동일한 적어도 3개의 인접한 5원 또는 6원 킬레이트 고리를 형성하고,
    여기서 Pt 및 4좌 리간드는 적어도 하나의 5원 킬레이트 고리 및 적어도 하나의 6원 킬레이트 고리를 형성하는 OLED.
  8. 제7항에 있어서, Pt 및 4좌 리간드는 5원 킬레이트 고리 및 2개의 6원 킬레이트 고리를 형성하거나, 또는 2개의 5원 킬레이트 고리 및 1개의 6원 킬레이트 고리를 형성하는 OLED.
  9. 제1항에 있어서, 금속 착물은 4좌 Pt 착물이고, 여기서 4좌 리간드는 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 적어도 하나의 배위 산소 원자 또는 황 원자를 포함하거나, 또는 4좌 리간드는 배위 탄소 원자에 대해 트랜스인 적어도 하나의 배위 산소 원자를 포함하는 OLED.
  10. 제1항에 있어서, 금속 착물은 실온에서의 광여기시 광을 방출하고; 여기서 방출되는 광은 PMMA 필름에서 1%의 질량 농도에서 측정될 때 피크 발광 파장 λmax를 특징으로 하는 발광 스펙트럼을 갖고; 금속 착물은 400-500 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 VDR 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 500-590 nm의 범위의 λmax 및 0.15 이하의 VDR 값을 갖거나, 또는 금속 착물은 590-700 nm의 범위의 λmax 및 0.10 이하의 VDR 값을 갖는 OLED.
  11. 제1항에 있어서, 제1 호스트는 3가 붕소 원자인 보릴 모이어티를 포함하는 OLED.
  12. 제11항에 있어서, 붕소 원자는 1개의 고리 골격 내에, 2개의 고리 골격 내에, 또는 3개의 고리 골격 내에 존재하는 OLED.
  13. 제1항에 있어서, 제1 호스트는 적어도 10% 중수소화되는 OLED.
  14. 제1항에 있어서, 중수소화되지 않거나, 부분적으로 중수소화되거나, 또는 전체적으로 중수소화되는 제2 호스트를 포함하는 OLED.
  15. 제1항에 있어서, 금속 착물은 백금 착물이고, 제1 호스트는 트리아진, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜, 트리페닐렌, 아자-트리페닐렌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 아자-카르바졸, 아자-인돌로카르바졸, 실릴, 및 보릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 모이어티를 포함하는 OLED.
  16. 제1항에 있어서, 금속 착물은 부분적으로 중수소화된 알킬기, 부분적으로 중수소화된 시클로알킬기, 부분적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기, 전체적으로 중수소화된 알킬기, 및 전체적으로 중수소화된 아릴 또는 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 모이어티를 포함하는 OLED.
  17. 제1항에 있어서, 제1 호스트는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 OLED:
    Figure pat00148

    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    상기 식에서,
    각각의 X1 내지 X11은 독립적으로 C 또는 N이고;
    L'는 직접 결합이거나 유기 링커이고;
    각각의 YA는 독립적으로 부재이거나, 또는 존재하는 경우, O, S, Se, CRR', SiRR', NR, BR, BRR'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    각각의 RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 일치환, 최대 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
    각각의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
    적어도 하나의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 또는 RG'는 중수소를 포함한다.
  18. 제1항에 있어서, 금속 착물은 구조 M(LA)p(LB)q(LC)r을 갖고, 상기 식에서, p는 1, 2, 또는 3이고; q는 0, 1, 또는 2이고; r은 0, 1, 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태이고; 각각의 리간드 LB 및 리간드 LC는 독립적으로 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 OLED:
    Figure pat00152

    Figure pat00153

    상기 식에서,
    T는 B, Al, Ga, 및 In으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    각각의 Y1 내지 Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Y'는 BRe, BReRf, NRe, PRe, P(O)Re, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NRe, C=CReRf, S=O, SO2, CReRf, SiReRf, 및 GeReRf로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Re 및 Rf는 융합되거나 결합되어 고리를 형성할 수 있고;
    각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 독립적으로 그것의 연관된 고리에 대한 비치환, 일치환, 또는 최대 허용되는 수 이하의 치환을 나타내고;
    각각의 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf는 독립적으로 수소이거나, 또는 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
    임의의 2개의 인접한 Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf는 융합되거나 결합되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
  19. 제1항에 있어서, 제2 호스트는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 OLED:
    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

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    Figure pat00202

    Figure pat00203

    Figure pat00204

    Figure pat00205

    상기 식에서,
    각각의 X1 내지 X11은 독립적으로 C 또는 N이고;
    각각의 YA는 독립적으로 부재이거나, 또는 존재하는 경우, O, S, Se, CRR', SiRR', NR, BR, BRR'로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    각각의 RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 일치환, 최대 이하의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
    각각의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 및 RG'는 독립적으로 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기이고;
    적어도 하나의 R, R', RA', RB', RC', RD', RE', RF', 또는 RG'는 중수소를 포함한다.
  20. 유기 전계발광 디바이스(OLED)로서,
    애노드;
    캐소드; 및
    상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광층
    을 포함하고,
    여기서 발광층은 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하고;
    제1 화합물 및 제2 화합물은 엑시플렉스를 형성하고;
    제1 화합물은 유기금속 화합물이 아니고;
    제1 화합물은 전체적으로 또는 부분적으로 중수소화되고, 단, 제1 화합물도 제2 화합물도,
    Figure pat00206
    이 아닌 것인 유기 전계발광 디바이스(OLED).
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