KR850000799A - 호출 전용 메모리 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

호출 전용 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 ROM의 평면도.
제5도는 본 발명의 한의 ROM의 단면도.
제6도는 본 발명에 의한 ROM으로의 정보 기억 패턴을 도시한 평면도.

Claims (8)

  1. 절연 게이트 전계효과 트랜지스터(IGFET)를 사용한 호출 전용 메모리에 있어서, 반도체 기판 위에 직선 상으로 마련되고, 게이트 전극으로서 사용하는 워드선과, 해당 워드선 절연물을 거쳐서, 해당 워드선과 2점 이상에서 접속되여서 사용된 제1층째의 금속선과, 상기 반도체 기판에 상기 워드선을 적어도 1개의 마스크로하고, 또한 워드선과 평행으로 마련된 제 1층째의 확산층과, 해당 제1 층째의 확산층과 접속된 제 2층째의 금속선과, 상기 제 1층째의 확산층과 상기 워드선을 거쳐서 제1층째의 확산층과 동시에 형성되는 제 2층째의 확산층과, 상기 제2층째의 확산층과 접속된 제3층째의 금속선을 갖고, 상기 제2층째의 금속선을 접지선으로 하고, 상기 제3층째의 금속선을 데이터선으로 하여, 상기 워드선과 상기 데이터선으로서 특정 된 셀의 정보를 호출하는 것을 특징으로 하는 호출 전용 메모리.
  2. 특허 청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 제2층째의 금속선과 상기 제 3층째의 금속선가 동시에 형성 된 같은 층으로 되는 것을 특징으로 하는 호출 전용 메모리.
  3. 특허 청구의 범위 제 1항에 있어서, 상기 워드선과 상기 제1 층째의 금속선이 상기 제 2층째의 금속선과 상기 제 3층째의 금속선을 형성하는 것과, 같은 층에 의해서 형성된 제 4층째의 금속선을 거쳐서 접속 되여 있는 것을 특징으로 하는 호출 전용 메모리.
  4. IGFET를 사용한 호출 전용 메모리에 있어서, 반도체 기판위에 직선상으로 배치된 워드선과, 워드선에 평행으로 배치된 제 1층째의 금속층으로 되는 접지선과, 워드선과 직교하도록 배치된 제 2층째의 금속층으로 되는 데이터선을 가진 것을 특징으로 하는 호출 전용 메모리.
  5. 상기 접지선은 상기 워드선의 배열의 각격의 하나씩 걸러서 배치되는 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제4항의 호출 전용 메모리.
  6. 상기 워드선의 형성 영역의 간격의 상기 반도체 층의 표면 영역에는 메모리 셀을 구성하는 MOS트랜지스터의 드레인으로 되는 제1의 분순물 층과 소오스로 되는 제 2의 불순물 층이 번갈어서 형성 되고, 해당 제 1의 불순물 층에는 상기 데이터선이, 해당 제2의 불순물 층에는 상기 접지선이 접속되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제5항의 호출 전용 메모리.
  7. 상기 제1의 불순물층과 상기 데이터선과는 제1 층째의 금속층으로 되는 페드를 거쳐서 접속되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제6항의 호출 전용 메모리.
  8. 상기 제1의 불순물 층과 상기 데이터선과는 직접 접속되는 것을 특징으로 하는 특허 청구범위 제6항의 호출 전용 메모리.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840004348A 1983-07-29 1984-07-23 리드 전용메모리 Expired KR920010196B1 (ko)

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