KR870000764A - 누설 전류개선형 mis fet 반도체장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

누설 전류개선형 MIS FET 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 형광표시관의 드라이버(driver)로 사용된 MIS FET의 응용을 나타내는 회로도.
제3도 a는 기생 트랜지스터와 누설전류를 방지하기 위한 부가 트랜지스터를 설명하는 MIS FET의 등가회로도이고, 여기에서
제3도 a는 기생트랜지스터 Tr'가 종래 회로의 주트랜지스터 Tr과 병렬로 구성된 종래예에 대한 등가회로도.
제4도 a는 본 발명의 첫번째 실시예의 MIS FET에 대한 패턴의 평면도로서 여기에서 연장된 케이트는 주FET의 소오스 영역으로 제공되는 평면도.

Claims (9)

  1. 첫번쌔 도전형을 갖는 반도체기판, 상기 기판내에 형성되고 소오스 영역(4), 드레인 영역(5,5')와 채널영역(6,6')으로 구성된 액티브 영역(3), 상기 소오스 영역과 드레인 영역은 첫번째 도전형에 반대되는 두번째 도전형을 가지며, 상기 기판상에 형성되고 상기 액티브영역(3)을 포위하는 전게산화막(2), 상기 채널영역(6,6')상에 형성된 게이트 절연막(7,7'), 상기 게이트 절연막(7,7')상에 형성된 게이트 전극(8,8'), 상기 기판 전체를 덮고 있는 절연층(9), 상기 절연층(9)내에 형성된 접촉호올(hole)을 통하여 상기 드레인 영역과 접촉하기 위하여 상기 절연층(9)상에 형성된 드레인 전극(11), 상기 드레인 전극(11)과 연결하기 위하여 상기 절연층(9)상에 형성된 드레인 배선(11'), 상기 절연층(9)하의 상기 게이트 전극(8,8')으로부터 연장되고 상기 액티브 영역(3)과 상기 전계산화 영역 사이의 경게 영역을 따라 형성된 억제게이트 전극(8')을 포함하여 상기 억제게이트 전극(8")은 상기 드레인 배선(11')하에 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극(8")이 상기 소오스 영역(4)과 상기 전게산화막(2) 사이의 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.(제4도)
  3. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제 게이트 전극이 상기 드레인 영역(5,5')과 상기 전게산화막 사이의 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.(제5도)
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 전게 산화막(2)과 상기 소오스영역(4) 사이, 그리고 상기 전게 산화막과 상기 드레인영역(5,5') 사이의 두 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  5. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 경게영역을 따라 형성되고 상기 경계영역이 상기 액티브 영역(3) 내부에 있는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  6. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 경게영역을 따라 형성되고 상기 경계영역은 상기 액티브 영역(3)과 상기 전게산화막(2) 영역둘을 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  7. 청구범위 제1항에 있어서, 더우기 상기 전게 산화막(2)하에 형성된 채널스토퍼(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  8. 청구범위 제1항에 있어서, 더우기 상기 전게 산화막(2)의 개공내에 형성된 채널스토퍼(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막이 이산화 실리콘 막인 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003971A 1985-06-07 1986-05-21 누설 전류 개선형 mis fet 반도체 장치 Expired KR900000062B1 (ko)

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