JPH02114533A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02114533A
JPH02114533A JP63268600A JP26860088A JPH02114533A JP H02114533 A JPH02114533 A JP H02114533A JP 63268600 A JP63268600 A JP 63268600A JP 26860088 A JP26860088 A JP 26860088A JP H02114533 A JPH02114533 A JP H02114533A
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JP
Japan
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diffusion layer
diffusion
distance
layer
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP63268600A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Koshimaru
越丸　茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to KR1019890015245A priority patent/KR920010827B1/ko
Publication of JPH02114533A publication Critical patent/JPH02114533A/ja
Priority to US07/733,020 priority patent/US5105256A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01—Manufacture or treatment
    • H10W20/031—Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に外部入力端子付近のパ
ターン配置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は、電源電位或いは、接地電
位となる不純物拡散層と、電位を供給するアルミ配線と
の接続を取る為の開孔部は、第２図に示す様に製造条件
で定められた一律のマージンをもって拡散層上に形成さ
れており、その値は、装置上の場所に依らず一定であっ
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置では、拡散層と開孔部とのマ
ージンが狭くなっているので、集積度が向上し、大容量
化が進んできている現在、外部入力端子付近に配置され
ている電源或いは接地電位を有する拡散層に於ては、静
電気雑音が入力端子に加わった時、入力拡散層から注入
された不純物が、入力拡散層に最も近い電源或いは接地
電位の拡散層に集中した場合、更にその内設も近い開孔
部を通して、アルミ配線に不純物が逃げる為、拡散層と
基板間の接合を破壊したり、漏れ電流が発生し易くなっ
てしまうという欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は入力端子付近に配置された電源電
位或いは接地電位である拡散層領域と、その拡散層領域
に形成され、金属配線層と拡散層とを電気的に接続する
為の開孔部と、金属配線層とを有し、開孔部から拡散層
の端までの距離が、他の領域での開孔部から拡散層端ま
での距離よりも十分に大きくなっている。
〔実施例〕
第１図は、本発明の一実施例を示す平面図である。２は
入力電位を入力端子１から内部回路へ伝達する為の入力
拡散層、４，６は入力端子付近に配置された内部回路内
の電源電位拡散層、５は前記内部回路内の信号電位拡散
層、７，８．９は各々の拡散層と１０のアルミ配線とを
接続する開孔部である。今、入力端子に外部より拡散層
２と基板との接合に順方向となる雑音が加えられた場合
を考える。基板内に注入された不純物は拡散電流として
基板内を漂ってゆき、最も近くにある定電位の拡散層（
４或いは６）に吸収されてゆく。
この時、基板のインピーダンス、開孔部、拡散層のイン
ピーダンスの相関関係にも微妙に影響されるが、通常は
、不純物を吸収する拡散層（４或いは６）内の最も入力
端子に近い開孔部（７或いは９）よりアルミ配線に不純
物が吸収されてゆく。
この時、−時的に第電流が拡散層端から開孔部に集中す
る為、その間の距離１１は、通常の距離１２よりも十分
大きくとっておけば、その拡散層抵抗のフランプ作用に
より不純物電流による接合破壊を防ぐ事が出来る。ｌ、
の値としては、前述した様に製造プロセスからくる各種
のインピーダンスにより最適化されるべきであるが、他
の領域での距離１２に比し２〜５倍、値としては２〜５
μｍ程度は必要であるとのデータがある。
第３図は本発明の実施例２の平面図である。ここで２４
の接地電位拡散層に設けられた開孔部は実施例１では縦
方向のみ拡散層端との距離を通常領域よりも十分大きく
とっていたが、ここでは、横方向にも十分な距離（、ｆ
ｆ２＋）をとっている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、従来実施さ九ていた半
導体装置に於けるパターン配置に、若干の修正を加える
事により、外部から加わる静電気雑音に対して十分強く
、従って信頼性上安定な半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１を示す平面図、第２図は従来
法による実施例の平面図、＄３図は本発明の実施例２の
平面図である。 １．１０．２１・・・・・・入力端子、２，２０゜２２
・・・・・・入力拡散層、３，３０．２３・・・・・・
開孔部、４．４０・・・・・・電源電位拡散層、２４・
・・・・・接地電極拡散層、５，５０．２５・・・・・
・信号電位拡散層、６゜６０・・・・・・電源電位拡散
層、７，８，９，７０，８０゜９０．２６．２７・・・
・・・開孔部、１０，１００゜２８・・・・・・アルミ
配線、１１，１１０．２９・・・・・・他結晶シリコン
ゲート電極。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第１　図 翳 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板中に形成された半導体装置に於て、外部入力
    端子が同電位の拡散層を有し、該拡散層に最も近い電源
    電位及び接地電位となる拡散層領域では、該領域中に形
    成される金属配線層との接続の為の開孔部と、拡散層端
    との距離が、他の領域に於ける該距離よりも大きい事を
    特徴とする半導体装置。
JP63268600A 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置 Pending JPH02114533A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63268600A JPH02114533A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置
KR1019890015245A KR920010827B1 (ko) 1988-10-24 1989-10-24 반도체 소자
US07/733,020 US5105256A (en) 1988-10-24 1991-07-19 Semiconductor device having improved element arrangement strong against external surge voltage

Applications Claiming Priority (1)

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JP63268600A JPH02114533A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JPH02114533A true JPH02114533A (ja) 1990-04-26

Family

ID=17460787

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JP63268600A Pending JPH02114533A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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US (1) US5105256A (ja)
JP (1) JPH02114533A (ja)
KR (1) KR920010827B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3184298B2 (ja) * 1992-05-28 2001-07-09 沖電気工業株式会社 Ｃｍｏｓ出力回路
US5439841A (en) * 1994-01-12 1995-08-08 Micrel, Inc. High value gate leakage resistor

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Also Published As

Publication number Publication date
US5105256A (en) 1992-04-14
KR920010827B1 (ko) 1992-12-17
KR900007099A (ko) 1990-05-09

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