KR910016006A - Rom 회로 - Google Patents

Rom 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR910016006A
KR910016006A KR1019900002072A KR900002072A KR910016006A KR 910016006 A KR910016006 A KR 910016006A KR 1019900002072 A KR1019900002072 A KR 1019900002072A KR 900002072 A KR900002072 A KR 900002072A KR 910016006 A KR910016006 A KR 910016006A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
clock signal
rom circuit
mos transistor
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019900002072A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930000815B1 (ko
Inventor
안형근
김영철
이석정
유중재
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019900002072A priority Critical patent/KR930000815B1/ko
Priority to DE4007615A priority patent/DE4007615C2/de
Priority to JP2059795A priority patent/JPH03252995A/ja
Priority to GB9005372A priority patent/GB2241095A/en
Priority to US07/492,097 priority patent/US5012451A/en
Priority to FR9003324A priority patent/FR2658652A1/fr
Publication of KR910016006A publication Critical patent/KR910016006A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930000815B1 publication Critical patent/KR930000815B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

ROM 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 바람직한 일 실시예의 2x3 프리차지 앤드형 ROM의 회로도. 제3도는 제2도의 게이트수단에 채용된 앤드게이트의 상세 회로도, 제4도는 본 발명에 의한 바람직한 다른 실시예의 M x N 프리차지 노아형 ROM의 회로도.

Claims (10)

  1. Mbit(M은자연수)의 어드레스신호를 디코딩하여 L(=2M)개의 워드라인들과 N(N은 자연수)개의 출력라인들의 각 교차부에 프로그램된 Nbit의 데이타를 출력하는 ROM회로에 있어서, 상기 Mbit의 어드레스신호를 입력하여 Lbit의 워드신호를 발생하기 위한 디코더; 상기 Lbit의 워드신호를 클럭신호에 따라 상기 대응하는 워드라인상에 각각 공급하기 위한 게이트수단; 상기 L개의 워드라인들과 N개의 출력라인들의 각 교차부에 MOS 트랜지스터의 결합유무에 따라 소정 데이타가 기록된 메모리 셀 어레이; 그리고 상기 N개의 출력라인들 각각에 상기 클럭신호에 따라 프리차지시키기 위한 프리차지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 ROM회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프리차지수단은 제1전압공급전원과 상기 각 출력라인들 사이에 연결되어 상기 클럭신호에 따라 턴온/턴오프되는 스위칭소자를 구비한 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스위칭소자는 제1전도형의 MOS 트랜지스터로 구성하고 상기 메모리 셀 어레이의 MOS 트랜지스터는 제2전도형인 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1전도형 MOS트랜지스터는 P채널 MOS트랜지스터이고 제2전도형 MOS트랜지스터는 N채널 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 ROM회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 게이트수단은 일측입력단자에 클럭신호가 가해지고, 타측입력단자에 상기 디코더의 대응하는 출력신호가 가해지며 출력단자에 대응하는 워드라인이 연결되는 L개의 앤드게이트를 구비한 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  6. 제1항 있어서, 상기 게이트수단은 일측입력단자에 클럭신호가 가해지고, 타측입력단자에 상기 디코더의 대응하는 출력신호가 인버터를 통하여 가해지며, 출력단자에 대응하는 워드라인이 연결되는 L개의 노아게이트를 구비하고, 상기 프리차지수단은 상기 클럭신호를 반전시켜 입력하는 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 프리차지수단은 상기 게이트수단의 L개의 노아게이트중 어느 하나를 통하여 클럭신호를 공급받는것을 특징으로 하는 ROM회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 어드레스신호는 3bit이상이고 출력라인은 8bit이상인 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 게이트수단은 클럭신호의 논리 “1”상태에서 디코더의 출력상태“1”을 워드라인상에 공급하고,상기 프리차지수단은 클럭신호의 논리 “0”상태에서 출력라인을 프리차지시키는 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 게이트수단은 클럭신호의 논리“0”상태에서 디코더의 출력상태 “1”을 워드라인상에 공급하고, 상기 프리차지수단은 클럭신호의 논리“1”상태에서 출력라인을 프리차지시키는 것을 특징으로 하는 ROM 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900002072A 1990-02-20 1990-02-20 Rom 회로 Expired - Lifetime KR930000815B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900002072A KR930000815B1 (ko) 1990-02-20 1990-02-20 Rom 회로
DE4007615A DE4007615C2 (de) 1990-02-20 1990-03-09 ROM Schaltung
JP2059795A JPH03252995A (ja) 1990-02-20 1990-03-09 Ｒｏｍ回路
GB9005372A GB2241095A (en) 1990-02-20 1990-03-09 Precharging the bit lines of a ROM
US07/492,097 US5012451A (en) 1990-02-20 1990-03-12 ROM circuit
FR9003324A FR2658652A1 (fr) 1990-02-20 1990-03-15 Circuit de memoire morte.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900002072A KR930000815B1 (ko) 1990-02-20 1990-02-20 Rom 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910016006A true KR910016006A (ko) 1991-09-30
KR930000815B1 KR930000815B1 (ko) 1993-02-05

Family

ID=19296224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900002072A Expired - Lifetime KR930000815B1 (ko) 1990-02-20 1990-02-20 Rom 회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5012451A (ko)
JP (1) JPH03252995A (ko)
KR (1) KR930000815B1 (ko)
DE (1) DE4007615C2 (ko)
FR (1) FR2658652A1 (ko)
GB (1) GB2241095A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940005688B1 (ko) * 1991-09-05 1994-06-22 삼성전자 주식회사 메모리 소자에 있어서 데이터 라인의 프리챠아지 자동 검사 장치
JPH06196746A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Canon Inc 光電変換装置、駆動回路、半導体発光素子駆動回路、記憶装置、及びシーケンシャルアクセスメモリー
US7177212B2 (en) * 2004-01-23 2007-02-13 Agere Systems Inc. Method and apparatus for reducing leakage current in a read only memory device using shortened precharge phase
US7623367B2 (en) * 2006-10-13 2009-11-24 Agere Systems Inc. Read-only memory device and related method of design

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3691538A (en) * 1971-06-01 1972-09-12 Ncr Co Serial read-out memory system
US4044341A (en) * 1976-03-22 1977-08-23 Rca Corporation Memory array
JPS56156993A (en) * 1980-05-08 1981-12-03 Fujitsu Ltd Read only memory
US4404660A (en) * 1980-05-23 1983-09-13 National Semiconductor Corporation Circuit and method for dynamically adjusting the voltages of data lines in an addressable memory circuit
FR2535886A1 (fr) * 1982-11-09 1984-05-11 Labo Cent Telecommunicat Procede d'acces rapide a une memoire a lecture seule et memoire a acces rapide utilisant ce procede
JPS60187997A (ja) * 1984-03-06 1985-09-25 Nec Corp 読み出し専用メモリ
EP0179351B1 (en) * 1984-10-11 1992-10-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory
US4804871A (en) * 1987-07-28 1989-02-14 Advanced Micro Devices, Inc. Bit-line isolated, CMOS sense amplifier
JPH01119982A (ja) * 1987-10-31 1989-05-12 Toshiba Corp スタティック型ランダムアクセスメモリ
US4922461A (en) * 1988-03-30 1990-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Static random access memory with address transition detector

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03252995A (ja) 1991-11-12
US5012451A (en) 1991-04-30
GB2241095A (en) 1991-08-21
GB9005372D0 (en) 1990-05-02
DE4007615A1 (de) 1991-08-29
FR2658652A1 (fr) 1991-08-23
KR930000815B1 (ko) 1993-02-05
DE4007615C2 (de) 1994-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960011206B1 (ko) 반도체메모리장치의 워드라인구동회로
KR970051247A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR940018874A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR960019702A (ko) 강전계용의 mos 회로를 갖춘 반도체 회로
KR0167295B1 (ko) 저전력용 센스앰프회로
KR900006979A (ko) 반도체 기억장치
KR960702157A (ko) 반도체 장치
KR950020703A (ko) 반도체 기억 장치(Semiconductor Memory Device)
KR890015265A (ko) 불휘발성 메모리 회로장치
US4641286A (en) Auxiliary decoder for semiconductor memory device
KR950020704A (ko) 반도체 메모리 장치
KR950004268A (ko) 인에이블/리세트 신호로 제어가능한 간단한 일시 정보 기억 회로
KR970016535A (ko) 어드레스 디코더
KR0155986B1 (ko) 반도체 기억장치
KR970012788A (ko) 반도체 기억장치
KR910006997A (ko) 기생용량에 의해 야기된 오동작을 방지하기 위한 eprom의 디코더 회로
KR950034795A (ko) 스태틱램 메모리셀
KR910016006A (ko) Rom 회로
KR920018754A (ko) 반도체 메모리 회로
KR950015394A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리
KR960025787A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR970049568A (ko) 순차엑세스를 위한 메모리장치
KR900005447A (ko) 반도체 정적 기억장치
JPH03125397A (ja) 論理定義用メモリ
KR100470162B1 (ko) 전원전압에따른프리차지동작을개선한반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19900220

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19900220

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19930107

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19930504

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19930804

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19930804

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19960205

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19970129

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19971230

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19990119

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20000114

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010116

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020107

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030107

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040107

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050110

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060105

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070125

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080201

Start annual number: 16

End annual number: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090202

Start annual number: 17

End annual number: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100114

Year of fee payment: 18

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100114

Start annual number: 18

End annual number: 18

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term