KR970023402A - 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970023402A
KR970023402A KR1019950033822A KR19950033822A KR970023402A KR 970023402 A KR970023402 A KR 970023402A KR 1019950033822 A KR1019950033822 A KR 1019950033822A KR 19950033822 A KR19950033822 A KR 19950033822A KR 970023402 A KR970023402 A KR 970023402A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data
output node
data transmission
pair
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019950033822A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0153602B1 (ko
Inventor
박찬종
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950033822A priority Critical patent/KR0153602B1/ko
Priority to TW085111645A priority patent/TW312791B/zh
Priority to DE19640823A priority patent/DE19640823C2/de
Priority to JP26431596A priority patent/JP3627947B2/ja
Priority to GB9620676A priority patent/GB2306027B/en
Priority to US08/725,737 priority patent/US5818266A/en
Publication of KR970023402A publication Critical patent/KR970023402A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0153602B1 publication Critical patent/KR0153602B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
    • G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)

Abstract

본 발명은 데이타를 입력하는 데이타라인쌍과, 출력노드쌍 및 데이타전송라인쌍을 구비한 반도체 메모리 장치에서 데이타 전송전압을 사용하지 않고 데이타 전송라인의 전압 변동폭을 최소화하여 데이타를 고속으로 목적지까지 전송하는 데이타 전송회로에 관한 것이다. 상기의 데이타 전송회로는 제1 및 제2감지노드와, 상기 데이타전송라인쌍을 제1전원전압으로 프리차아지하고 상기 데이타라인쌍의 신호가 상보적일 때 응답하여 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인중 하나의 데이타전송라인의 임피던스를 가변하는 수단과, 제어전극으로 입력되는 전송펄스에 응답하여 상기 제1 및 제2감지노드의 프리차아지전압을 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인들로 각각 공급하는 레벨검출전압 공급수단과, 상기 출력노드쌍을 각각 제2전원전압의 레벨로 풀업하는 풀업수단과, 상기 출력노드쌍의 제1출력노드와 제2출력노드의 각각에 소오스가 접속되고 각각의 드레인이 제1 및 제2감지노드에 접속되며 각각의 제어전극이 상기 제2출력노드와 제1출력노드에 접속된 모오스 트랜지스터들로 구성되어 상기 제1 및 제2감지노드들이 전압변화를 감지증폭하는 데이타 검출수단을 포함하여 구성된다.

Description

반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로도.

Claims (12)

  1. 데이타를 입력하는 데이타라인쌍과, 출력노드쌍 및 데이타전송라인쌍을 구비한 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로에 있어서, 제1 및 제2감지노드와, 상기 데이타전송라인쌍을 제1전원전압으로 프리차아지하고 상기 데이타라인쌍의 신호가 상보적일 때 응답하여 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인중 하나의 데이타전송라인의 임피던스를 가변하는 수단과, 제어전극으로 입력되는 전송펄스에 응답하여 상기 제1 및 제2감지노드의 프리차아지전압을 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인들로 각각 공급하는 레벨검출전압 공급수단과, 상기 출력노드쌍을 각각 제2전원전압의 레벨로 풀업하는 풀업수단과, 상기 출력노드쌍의 제1출력노드와 제2출력노드의 각각에 소오스가 접속되고 각각의 드레인이 제1 및 제2감지노드에 접속되며 각각의 제어전극이 상기 제2출력노드와 제1출력노드에 접속된 모오스 트랜지스터들로 구성되어 상기 제1 및 제2감지노드들이 전압변화를 감지증폭하는 데이타 검출수단으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 임피던스 가변수단은 소오스가 제1전원전압에 공통으로 접속되며, 드레인이 상기 제1 및 제2데이타전송라인에 각각 접속되고, 각각의 제어전극이 상기 데이타라인쌍의 제1데이타라인 및 제2데이타라인에 각각 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터를 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레벨검출전압 공급수단은 상기 제1데이타전송라인과 제2데이타전송라인의 타측들과 상기 제1감지노드 및 제2감지노드들의 사이에 소오스-드레인간의 채널이 각각 접속되며 제어전극으로 입력되는 전송펄스의 활성화에 응답하여 상기 두 감지노드의 전압을 상기 데이타전송라인쌍으로 각각 공급하는 엔모오스 트랜지스터들로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 풀업수단은 제2전원전압과 상기 제1출력노드 및 제2출력노드들의 사이에 다이오드 접속된 피모오스 트랜지스터들임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1전원전압은 접지전압이며, 상기 제2전원전압은 동작전원전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  6. 데이타를 입력하는 데이타라인쌍과, 출력노드쌍 및 데이타전송라인쌍을 구비한 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로에 있어서, 제1 및 제2감지노드와, 제어펄스의 입력에 응답하여 상기 데이타전송라인쌍의 제1데이타전송라인과 제2데이타전송라인을 제1전원전압으로 프리차아지하는 프리차아지수단과, 상기 데이타라인쌍의 신호가 상보적일 때 응답하여 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인중 하나의 데이타전송라인의 임피던스를 가변하는 수단과, 제어전극으로 입력되는 전송펄스에 응답하여 상기 제1 및 제2감지노드의 프리차아지전압을 상기 데이타전송라인쌍의 제1 및 제2데이타전송라인들로 각각 공급하는 레벨검출전압 공급수단과, 상기 출력노드쌍을 각각 제2전원전압의 레벨로 풀업하는 풀업수단과, 상기 출력노드쌍의 제1출력노드와 제2출력노드의 각각에 소오스가 접속되고 각각의 드레인이 제1 및 제2감지노드에 접속되며 각각의 제어전극이 상기 제2출력노드와 제1출력노드에 접속된 모오스 트랜지스터들로 구성되어 상기 제1 및 제2감지노드들이 전압변화를 감지증폭하는 데이타 검출수단으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 임피던스 가변수단은 소오스가 제1전원전압에 공통으로 접속되며, 드레인이 상기 제1 및 제2데이타전송라인에 각각 접속되고, 각각의 제어전극이 상기 데이타라인쌍의 제1데이타라인 및 제2데이타라인에 각각 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터를 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 전송펄스는 상기 제어펄스가 비활성화 상태로 천이될 때 활성화의 상태로 천이되는 펄스임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 프리차아지수단은, 소오스가 제1전원전압에 공통으로 접속되며, 각각의 드레인이 상기 제1 및 제2데이타전송라인의 타측에 접속되고 각각의 제어전극이 상기 제어펄스에 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 레벨검출전압 공급수단은 상기 제1데이타전송라인과 제2데이타전송라인의 타측들과 상기 제1감지노드 및 제2감지노드들의 사이에 소오스-드레인간의 채널이 각각 접속되며 제어전극으로 입력되는 전송펄스의 활성화에 응답하여 상기 두 감지노드의 전압을 상기 데이타전송라인쌍으로 각각 공급하는 엔모오스 트랜지스터들로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 풀업수단은 제2전원전압과 상기 제1출력노드 및 제2출력노드들의 사이에 다이오드 접속된 피모오스 트랜지스터들임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
  12. 제6항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1전원전압은 접지전압이며, 상기 제2전원전압은 동작전원전압임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이타 전송 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950033822A 1995-10-04 1995-10-04 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로 Expired - Fee Related KR0153602B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033822A KR0153602B1 (ko) 1995-10-04 1995-10-04 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
TW085111645A TW312791B (ko) 1995-10-04 1996-09-23
DE19640823A DE19640823C2 (de) 1995-10-04 1996-10-02 Schnelle Datenübertragungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtungen
JP26431596A JP3627947B2 (ja) 1995-10-04 1996-10-04 半導体装置のデータ伝送回路
GB9620676A GB2306027B (en) 1995-10-04 1996-10-04 Fast data transmission circuits for semiconductor memory devices
US08/725,737 US5818266A (en) 1995-10-04 1996-10-04 Reference voltage generator made of BiMOS transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033822A KR0153602B1 (ko) 1995-10-04 1995-10-04 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023402A true KR970023402A (ko) 1997-05-30
KR0153602B1 KR0153602B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=19429134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950033822A Expired - Fee Related KR0153602B1 (ko) 1995-10-04 1995-10-04 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5818266A (ko)
JP (1) JP3627947B2 (ko)
KR (1) KR0153602B1 (ko)
DE (1) DE19640823C2 (ko)
GB (1) GB2306027B (ko)
TW (1) TW312791B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8467259B2 (en) 2010-08-31 2013-06-18 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2368434B (en) * 2000-05-05 2003-01-22 Ind Tech Res Inst Transmitter
TW499794B (en) 2000-05-05 2002-08-21 Ind Tech Res Inst Receiver and transmitter for signal transmission
US8149039B1 (en) * 2008-09-30 2012-04-03 Clemson University Integrated picosecond pulse generator circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114190A (ja) * 1985-11-13 1987-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
ATE73255T1 (de) * 1986-11-18 1992-03-15 Siemens Ag Digitalverstaerkeranordnung in integrierten schaltungen.
JPS6410493A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Mitsubishi Electric Corp Charge transfer type sense amplifier
JPH0762955B2 (ja) * 1989-05-15 1995-07-05 株式会社東芝 ダイナミック型ランダムアクセスメモリ
JP3101297B2 (ja) * 1990-03-30 2000-10-23 株式会社東芝 半導体メモリ装置
KR0121777B1 (ko) * 1994-05-23 1997-12-05 김영환 고속 동작용 감지 증폭기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8467259B2 (en) 2010-08-31 2013-06-18 Hynix Semiconductor Inc. Semiconductor memory device

Also Published As

Publication number Publication date
KR0153602B1 (ko) 1998-12-01
GB2306027B (en) 1997-11-26
US5818266A (en) 1998-10-06
JP3627947B2 (ja) 2005-03-09
JPH09153784A (ja) 1997-06-10
DE19640823A1 (de) 1997-04-10
GB2306027A (en) 1997-04-23
TW312791B (ko) 1997-08-11
GB9620676D0 (en) 1996-11-20
DE19640823C2 (de) 2001-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980004950A (ko) 반도체 메모리장치의 감지증폭기
KR940012398A (ko) 집적회로 메모리용 감지 증폭기, 집적회로 메모리 및 집적회로 메모리 감지 증폭기 작동 방법
KR930001226A (ko) 고속 센싱 동작을 수행하는 센스 앰프
KR910014947A (ko) 메모리장치
KR920001542A (ko) 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리
KR960042742A (ko) 센스앰프회로
KR950009718A (ko) 고속 감지 증폭기
KR970055264A (ko) 차동 증폭기
KR970707552A (ko) 비트라인 레벨 둔감형 센스 증폭기(bitline level insensitive sense amplifier)
KR950034259A (ko) 전류차 감지 방식의 고속 감지 증폭기
KR920001517A (ko) 선충전수단을 구비한 라이트 드라이버(write driver)
KR950021601A (ko) 반도체 집적회로
KR100299522B1 (ko) 고속 센스 증폭기
KR970031240A (ko) 출력하한값에 대한 리미트기능을 갖는 증폭회로 및 상보형 증폭회로(amplifier circuit and complementary amplifier circuit with limiting function for output lower limit)
KR970023402A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR970029813A (ko) 비트라인 프리차아지회로
KR930008848A (ko) 반도체 집적회로
KR950001773A (ko) 반도체 메모리 장치
KR100422820B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 감지 증폭기
KR960002755A (ko) 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로
KR970013313A (ko) 데이터 전송 장치 및 다이나믹 반도체 메모리 디바이스
KR19980046509A (ko) 외부전원전압 변화에 안정된 동작을 가지는 반도체 메모리 장치
KR970017646A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR100223734B1 (ko) 마스크 롬의 센스증폭기
KR100233279B1 (ko) 반도체 장치의 센스 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080701

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20090707

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20090707

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000