KR970050003A - 전자 발광 소자의 제조 방법, 이 방법을 이용한 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법, 및 이들 방법에 이용되는 제조 장치 - Google Patents

전자 발광 소자의 제조 방법, 이 방법을 이용한 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법, 및 이들 방법에 이용되는 제조 장치 Download PDF

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Abstract

전자 방출 소자는 방출 영역을 포함하는 전도성 막과 상기 전도성 막에 전압을 인가하기 위한 한 쌍의 소자 전극을 포함한다. 전자 방출 영역은, 상기 전도성 막에 유기물막을 도포하고, 상기 전도성 막을 최소한 전기적으로 통전화하여 상기 유기물을 탄화하고, 상기 탄화 단계 이전에 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성함으로써 형성된다. 전자 방출 소자는 복수의 전자 방출 소자를 갖는 전자원으로 구성되고, 엔벨로프에 구성된 전자원을 포함하는 화상 형성 장치와 화상 형성 부재로 더욱 구성된다.

Description

전자 발광 소자의 제조 방법, 이 방법을 이용한 전자원 및 화상 형성 장치의 제조 방법, 및 이들 방법에 이용되는 제조 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 및 제1b도는 각각 본 발명에 따른 표면 전도 전자 방출 소자를 개략적으로 설명하는 평면도와 단면도.

Claims (58)

  1. 전자 방출 영역을 포함하는 전도성 막과 상기 전도성 막에 전압을 인가하기 위한 한 쌍의 소자 전극을 포함하는 전자 방출 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 영역은, 상기 전도성 막에 유기물막을 도포하는 단계와, 상기 전도성 막을 최소한 전기적으로 통전화하여 상기 유기물을 탄화하는 단계와, 상기 탄화 단계 이전에 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성하는 단계로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 균열 또는 균열들 형성 단계는 상기 전도성 막에 유기물을 도포하는 상기 단계 이전에 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 균열 또는 균열들 형성 단계는 상기 전도성 막에 유기물을 도포하는 상기 단계 이후에 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기물의 탄화 단계는 상기 전도성 막을 전기적으로 통전화하고 상기 유기물막을 가열함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기물 탄화 단계는 상기 유기물 막으로부터 흑연을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기물 탄화 단계는 상기 유기물 막으로부터 유리 탄소를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유기물 막은 열경화성 수지로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법
  8. 제7항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 푸르푸릴 알코올, 푸란 수지, 페놀 수지, 폴리아크릴니트릴 및 레이온 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 유기물 막은 전자 빔 중합 가능한 레지스트로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전자빔 중합 가능한 레지스트는 글리시딜 아크릴레이트-에틸 아크릴레이트 공중합체, 디아릴 폴리프탈레이트, 글리시딜 아크릴레이트-스티렌 공중합체, 폴리이미드 타입 바니시, 에폭시데이티드 1,4-폴리부타딘 및 글리시딜 폴리메타크릴레이트중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전도성 막은 플라티늄군과 철군으로부터 선택된 금속원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제 11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제 11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  14. 복수의 전자 방출 소자로 이루어지는 전자원을 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 청구항 1 내지 11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  17. 엔벨로프, 복수의 전자 방출 소자를 갖는 전자원 및 상기 전자원으로부터 방출된 전자에 의해 조사될 때 화상을 형성하며 상기 전자원과 함께 상기 엔벨로프에 배치되는 화상 형성 부재를 포함하는 화상 형성 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 청구항 1 내지 청구항 11중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  20. 전자 방출 영역을 포함하는 전도성 막과 상기 전도성 막에 전압을 인가하기 위한 한 쌍의 소자 전극을 포함하는 전자 방출 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전도성 막에 유기물 막을 도포하는 단계와, 상기 전도성 막을 최소한 전기적으로 통전화하여 상기 유기물을 탄화하는 단계와, 상기 탄화 단계 이전에 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성하는 단계를 포함하는 전자 방출 영역의 형성 단계와, 반응 가스를 함유하는 분위기에서 상기 전자 방출 소자를 가열하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 반응성 가스는 산소인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 가열 단계는 공기중에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 대기압하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 가열 단계는 감압하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  25. 제20항에 있어서, 상기 가열 단계는 산소와 불활성 가스의 혼합 가스의 분위기에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 가열 단계는 감압하에서 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  27. 제20항에 있어서, 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성하는 상기 단계는 상기 전도성 막에 유기물을 도포하는 상기 단계 이후에 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  28. 제20항에 있어서, 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성하는 상기 단계는 상기 전도성 막에 유기물을 도포하는 상기 단계 이후에 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  29. 제20항에 있어서, 상기 유기물을 탄화하는 상기 단계는 상기 전도성 막을 전기적으로 통전화하고 상기 유기물 막을 가열함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  30. 제20항에 있어서, 상기 유기물을 탄화하는 상기 단계는 상기 유기물 막으로부터 흑연을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  31. 제20항에 있어서, 상기 유기물을 탄화하는 상기 단계는 상기 유기물 막으로부터 유리 탄소를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  32. 제20항에 있어서, 상기 유기물 막은 열경화성 수지로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 푸르푸릴 알코올, 푸란 수지, 페놀 수지, 폴리아크릴니트릴 및 레이온중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  34. 제20항에 있어서, 상기 유기물 막은 전자빔 중합 가능한 레지스트로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 전자빔 중합 가능한 레지스트는 글리시딜 메타크릴레이트-에틸 아크릴레이트 공중합체, 디아릴 폴리프탈레이트, 글리시딜 아크릴레이트-스티렌 공중합체, 폴리이미드 타입 바니시, 에폭시데이티드 1,4-폴리부타딘 및 글리시딜 폴리메타크릴레이트중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  36. 제20항에 있어서, 상기 전도성 막은 플라티늄군과 상기 철군중에서 선택된 금속원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  37. 제20항 내지 제36항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  38. 제20항 내지 제 36항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자 제조 방법.
  39. 복수의 전자 방출 소자로 이루어지는 전자원을 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 청구항 20 내지 26중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  40. 제39항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  41. 제39항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 전자원 제조 방법.
  42. 엔벨로프, 복수의 전자 방출 소자를 갖는 전자원, 상기 전자원으로부터 방출된 전자에 의해 조사될 때 화상을 형성하며 상기 전자원과 함께 상기 엔벨로프에 배치되는 화상 형성 부재를 포한하는 화상형성 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 청구항 20 내지 36중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 만들어지는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  44. 제42항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  45. 제42항에 있어서, 상기 가열 단계는 상기 엔벨로프를 시일링하기 위한 가열 단계인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 전도성 막은 미세 입자로 만들어지는 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  47. 제45항에 있어서, 상기 전자 방출 소자는 표면 전도 전자 방출 소자인 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치 제조 방법.
  48. 제17항에 따른 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치에 있어서, 상기 단계들을 실행하기 위한 복수의 챔버를 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  49. 제48항에 있어서, 화상 형성 장치를 제조하기 위한 부재를 챔버에서 다른 챔버로 이송하기 위한 이송 수단을 포함하는 것을 특징을 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  50. 제48항에 있어서, 상기 엔벨로프를 시일링하는 상기 단계를 실행하기 위한 쳄버를 더 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  51. 제48항에 있어서, 상기 엔벨로프를 구성하는 상기 부재들을 베이크하는 상기 단계를 실행하기 위한 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  52. 제48항 내지 제 51항중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄화 단계를 실행하기 위한 상기 챔버와 상기 전도성 막에 균열 또는 균열들을 형성하기 위한 상기 챔버로서 동일한 챔버가 사용되는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  53. 제42항에 있어서, 상기 단계들을 실행하기 위한 복수의 챔버들을 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  54. 제53항에 있어서, 화상 형성 장치를 제조하는 부재를 챔버에서 다른 챔버로 이송하기 위한 이송 수단을 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  55. 제53항에 있어서, 상기 엔벨로프를 시일링하는 상기 단계를 실행하기 위한 쳄버를 더 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  56. 제55항에 있어서, 반응성 가스를 함유하는 분위기에서 상기 전자 방출 소자를 가열하기 위한 상기 챔버와 상기 엔벨로프를 시일링하기 위한 상기 챔버로서 동일한 챔버가 사용되는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  57. 제53항에 있어서, 상기 엔벨로프를 구성하는 상기 부재들을 베이크하는 상기 단계를 실행하기 위한 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
  58. 제53항 내지 제 57항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄화 단계를 실행하기 위한 상기 챔버와 상기 도전성 막에 균열 또는 균열들을 형성하기 위한 상기 챔버로서 동일한 챔버가 사용되는 것을 특징으로 화상 형성 장치를 제조하는 방법을 실현하기 위한 제조 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3352385B2 (ja) 1997-03-21 2002-12-03 キヤノン株式会社 電子源基板およびそれを用いた電子装置の製造方法
EP0865931B1 (en) 1997-03-21 2002-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Production processes of printed substrate, electron-emitting element, electron source and image-forming apparatus
JPH11135018A (ja) 1997-08-29 1999-05-21 Canon Inc 画像形成装置の製造方法、製造装置および画像形成装置
JP3619024B2 (ja) 1997-09-16 2005-02-09 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
EP0908916B1 (en) * 1997-09-16 2004-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Electron source manufacture method and electron source manufacture apparatus
DE69919242T2 (de) 1998-02-12 2005-08-11 Canon K.K. Verfahren zur Herstellung eines elektronenemittierenden Elementes, Elektronenquelle und Bilderzeugungsgerätes
US6213834B1 (en) 1998-04-23 2001-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Methods for making electron emission device and image forming apparatus and apparatus for making the same
JP3102787B1 (ja) 1998-09-07 2000-10-23 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、及び画像形成装置の製造方法
JP3154106B2 (ja) * 1998-12-08 2001-04-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源並びに該電子源を用いた画像形成装置
JP3131781B2 (ja) 1998-12-08 2001-02-05 キヤノン株式会社 電子放出素子、該電子放出素子を用いた電子源並びに画像形成装置
US6492769B1 (en) 1998-12-25 2002-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, electron source, image forming apparatus and producing methods of them
JP3323847B2 (ja) 1999-02-22 2002-09-09 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP3323849B2 (ja) * 1999-02-26 2002-09-09 キヤノン株式会社 電子放出素子およびこれを用いた電子源およびこれを用いた画像形成装置
KR100491913B1 (ko) * 1999-03-31 2005-05-27 가부시끼가이샤 도시바 평판형 화상 표시 장치의 제조 방법 및 평판형 화상 표시장치
US7449081B2 (en) * 2000-06-21 2008-11-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the emission of electron field emitters
DE60140241D1 (de) 2000-09-01 2009-12-03 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung, Elektronenquelle und Verfahren zur Herstellung eines Bilderzeugungsgeräts
JP3793014B2 (ja) * 2000-10-03 2006-07-05 キヤノン株式会社 電子源の製造装置、電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
IL157406A0 (en) * 2001-02-26 2004-03-28 Yeda Res And Dev Company Ltd Y Method and apparatus for detecting and quantifying a chemical substance employing a spectral propertty of metallic islands
JP3634805B2 (ja) 2001-02-27 2005-03-30 キヤノン株式会社 画像形成装置の製造方法
JP3667301B2 (ja) 2001-06-15 2005-07-06 キヤノン株式会社 真空容器および該真空容器を用いた画像形成装置の製造方法
JP3634828B2 (ja) 2001-08-09 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像表示装置の製造方法
JP3902995B2 (ja) 2001-10-11 2007-04-11 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3902998B2 (ja) 2001-10-26 2007-04-11 キヤノン株式会社 電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3647436B2 (ja) 2001-12-25 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び電子放出素子の製造方法
JP3634852B2 (ja) 2002-02-28 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像表示装置の製造方法
JP3634850B2 (ja) * 2002-02-28 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP3902964B2 (ja) 2002-02-28 2007-04-11 キヤノン株式会社 電子源の製造方法
JP3884980B2 (ja) 2002-02-28 2007-02-21 キヤノン株式会社 電子源及び該電子源を用いた画像形成装置の製造方法
JP3884979B2 (ja) 2002-02-28 2007-02-21 キヤノン株式会社 電子源ならびに画像形成装置の製造方法
US7445535B2 (en) * 2003-12-11 2008-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Electron source producing apparatus and method
JP2005340133A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Sony Corp カソードパネル処理方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
US20060042316A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing hermetically sealed container and image display apparatus
TWI452304B (zh) * 2010-01-08 2014-09-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 電子裝置之生產方法
CN102137589A (zh) * 2010-01-21 2011-07-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子装置的生产方法
WO2017004055A1 (en) * 2015-07-02 2017-01-05 Sabic Global Technologies B.V. Process and material for growth of adsorbed compound via nanoscale-controlled resistive heating and uses thereof

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2715312B2 (ja) 1988-01-18 1998-02-18 キヤノン株式会社 電子放出素子及びその製造方法、及び該電子放出素子を用いた画像表示装置
US4986943A (en) * 1989-02-28 1991-01-22 The Aerospace Corporation Method for oxidation stabilization of pitch-based matrices for carbon-carbon composites
JP2769002B2 (ja) 1989-11-30 1998-06-25 富士通株式会社 カメラレンズの光軸測定方法
JP3170828B2 (ja) 1990-11-14 2001-05-28 富士通株式会社 組合せ問題処理装置
CA2141043A1 (en) * 1991-04-12 1994-02-17 Roger Y. Leung Black glss ceramic from rapid pyrolysis in oxygen-containing atmospheres
ATE194727T1 (de) * 1993-12-17 2000-07-15 Canon Kk Herstellungsverfahren einer elektronen emittierenden vorrichtung, einer elektronenquelle und eine bilderzeugungsvorrichtung
ATE179276T1 (de) * 1993-12-22 1999-05-15 Canon Kk Herstellungsverfahren einer elektronemittierenden vorrichtung
CA2418595C (en) * 1993-12-27 2006-11-28 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device and method of manufacturing the same as well as electron source and image-forming apparatus
JP3416266B2 (ja) * 1993-12-28 2003-06-16 キヤノン株式会社 電子放出素子とその製造方法、及び該電子放出素子を用いた電子源及び画像形成装置
JP3062990B2 (ja) * 1994-07-12 2000-07-12 キヤノン株式会社 電子放出素子及びそれを用いた電子源並びに画像形成装置の製造方法と、電子放出素子の活性化装置
JP3072825B2 (ja) * 1994-07-20 2000-08-07 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、及び、画像形成装置の製造方法
AU710259B2 (en) * 1994-08-11 1999-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Solution for fabrication of electron-emitting devices, manufacture method of electron-emitting devices, and manufacture method of image-forming apparatus
US6246168B1 (en) * 1994-08-29 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus as well as method of manufacturing the same
JP2916887B2 (ja) * 1994-11-29 1999-07-05 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法
EP0736892B1 (en) * 1995-04-03 2003-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for electron-emitting device, electron source, and image forming apparatus
DE69622618T2 (de) * 1995-04-04 2003-03-20 Canon K.K., Tokio/Tokyo Metallenthaltende Zusammensetzung zum Bilden einer elektronenemittierenden Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronenemittierenden Vorrichtung, einer Elektronenquelle und eines Bilderzeugungsgerätes
JP3174999B2 (ja) * 1995-08-03 2001-06-11 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、それを用いた画像形成装置、及びそれらの製造方法
JP3241613B2 (ja) * 1995-10-12 2001-12-25 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
JP3102787B1 (ja) * 1998-09-07 2000-10-23 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、及び画像形成装置の製造方法

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