KR970051285A - 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 장치의 센스 증폭기(sense amplifier)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 더미 선과 비트선 사이에서 여기되는 차동진압(difference voltage;△V)을 증가시키는 센스 증폭기의 타동 전압증가 장치에 관한 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 센스증폭기의 차동 전압 증가 장치는 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 비트선과 비트선 사이에서 여기되는 차동 전압이 충분히 센싱할 수 있는 전압이 도도록 하기 위해 비트 선 및 비트선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 것을 특징으로 한다.

Description

센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 게이트 옥사이드 캐패시터의 캐패시턴스 변화 특성을 도시한 도면, (나) 본 발명에 따른 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치의 구성을 도시한 도면

Claims (4)

  1. 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 비트 선과 비트 선 사이에서 여기되는 차동 전압이 센싱 가능한 전압이 되도록 하기 위해 비트 선 및 비트 선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치
  2. 제1항에 있어서, 상기의 가변 캐패시터는 각각의 게이트가 연결되고 시리얼 하게 결합되는 PMOS와 NMOS의 결합 및 상기의 PMOS와 상기의 NMOS의 연결 노드에 소오스와 드레인이 연결된 노드가 연결되고 게이트가 비트 라인 또는 비트 라인에 연결되는 NMOS로 구성되는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치.
  3. 센스 증폭부, 상기의 센스 증폭부에 신호를 인가하는 더미 선과 더미 선 사이에서 여기되는 차동 전압이 센싱 가능한 전압이 되도록 하기 위해 더미 선 및 더미 선에 각각 연결되는 가변 캐패시터를 포함함하는 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치
  4. 제3항에 있어서, 상기의 가변 캐패시터는 각각의 게이트가 연결되고 시리얼 하게 결합되는 PMOS와 NMOS의 결합 및 상기의 PMOS의 상기의 NMOS의 연결 노드에 소오스와 드레인이 연결된 노드가 연결되고 게이트가 더미 라인 또는 더미 라인에 연결되는 NMOS로 구성되는 것을 특징으로 하는 센스 증폭기의 차동 전압 증가 장치.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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