KR970052280A - 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 있어서; 반도체 기판 상에 게이트 산화막, 게이트 전극, 접합층을 차례로 형성하고, 전체구조 상부 표면을 따라 소정 두께로 제1절연막을 형성하는 제1단계; 전체구조 상부에 감광막을 코팅하고, 상기 제1절연막의 탑 부위가 노출되도록 상기 감광막을 에치백하는 제2단계; 노출된 상기 제1절연막을 상기 게이트 전극 상부가 드러나도록 식각하는 제3단계; 잔여 감광막을 제거하는 제4단계; 전체구조 상부에 평탄화된 제2절연막을 형성하는 제5단계; 콘택 마스크를 사용하고 상기 제2절연막을 식각하는 제6단계; 전체구조 상부 표면을 따라 소정 두께로 제3절연막을 형성하는 제7단계; 및 상기 제3절연막을 전면식각하면서 상기 접합층의 소정부위가 노출되도록 과도식각하여 콘택홀을 형성하는 제8단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2H도는 본 발명의 일실시예에 따른 콘택홀 형성 공정도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 있어서; 반도체 기판 상에 게이트 산화막, 게이트 전극, 접합층을 차례로 형성하고, 전체구조 상부 표면을 따라 소정 두께로 제1절연막을 형성하는 제1단계; 전체구조 상부에 감광막을 코팅하고, 상기 제1절연막의 탑 부위가 노출되도록 상기 감광막을 에치백하는 제2단계; 노출된 상기 제1절연막을 상기 게이트 전극 상부가 드러나도록 식각하는 제3단계; 잔여 감광막을 제거하는 제4단계; 전체구조 상부에 평탄화된 제2절연막을 형성하는 제5단계; 콘택 마스크를 사용하고 상기 제2절연막을 식각하는 제6단계; 전체구조 상부 표면을 따라 소정 두께로 제3절연막을 형성하는 제7단계; 및 상기 제3절연막을 전면식각하면서 상기 접합층의 소정부위가 노출되도록 과도식각하여 콘택홀을 형성하는 제8단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 제1절연막은 PECVD 계열의 질화막 또는 산화질화막 또는 LPCVD 계열의 질화막중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서; 상기 제2절연막은 LPCVD 계열의 산화막 또는 오존(O3)BPSG 또는 BPSG 또는 PSG 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서; 상기 제3절연막은 PECVD 계열의 산화막 또는 LPCVD 계열의 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서; 상기 제6단계는 상기 제2절연막 및 상기 제1절연막의 식각 선택비를 사용한 식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서; 상기 제8단계는 제1절연막, 제2절연막 및 제3절연막의 식각선택비가 거의 없는 식각방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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