KR970053285A - 반도체 소자의 금속 배선 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는반도체 소자의 금속 배선 공정시 스텝 커버리지(step coverage)를 개선할 수있는 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것이다. 본 발명은 하층 배선 상의 절연층의 소정 영역에 콘택홀을 형성하고, 상층 배선을 형성하여 전기적 접속을 이루는 반도체 소자의 금속배선 방법에 있어서, 상기 상층 배선은 저온형성 알루미늄 금속막과, 알루미늄 산화막 및 고온 형성 알루미늄 금속막으로 이루어지므로써, 심한 토폴로지를 갖는 반도체 소자상에도 금속막이 고르게 피복됨은 물론, 스텝 커버리지 또한 개선되어 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 및 (나)는 본 발명에 따른 알루미늄 금속 배선을 나타낸 요부단면도.
Claims (5)
- 본도체 기본 전극이 형성된 반도체 기판상부에 절연층을 형성하고, 소정 부분 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 구조물 상부에 저온형성 알루미늄 금속막을 형성하는 단계; 상기 저온형성 알루미늄 금속막 상부에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 산화막 상부에 고온 형성 알루미늄 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저온 형성 알루미늄 금속막은 약 20 내지 70℃의 온도 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항에 있어서,상기 고온에서 형성된 알루미늄 금속막은 약 400 내지 900℃의 온도 범위에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상긱알루미늄 산화막은 저온 형성 알루미늄 금속막을 일정시간 공기중에 노출시켜, 저온 형성 알루미늄 금속막이 소정 깊이만큼 산화되어 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 알루미늄 산화막의 두께는 20 내지 30Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950056936A KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950056936A KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970053285A true KR970053285A (ko) | 1997-07-31 |
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ID=66617210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950056936A Withdrawn KR970053285A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053285A (ko) |
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1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056936A patent/KR970053285A/ko not_active Withdrawn
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