KR970077123A - 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치 - Google Patents

도포막 형성방법 및 도포막 형성장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970077123A
KR970077123A KR1019970021263A KR19970021263A KR970077123A KR 970077123 A KR970077123 A KR 970077123A KR 1019970021263 A KR1019970021263 A KR 1019970021263A KR 19970021263 A KR19970021263 A KR 19970021263A KR 970077123 A KR970077123 A KR 970077123A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating film
substrate
resist
film thickness
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1019970021263A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토시 시라이시
유키오 기바
구니에 오가타
Original Assignee
히가시 데쓰로
동경엘렉트론 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데쓰로, 동경엘렉트론 가부시키가이샤 filed Critical 히가시 데쓰로
Publication of KR970077123A publication Critical patent/KR970077123A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막 형성방법 및 도포막 형성장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
장치를 소형화할 수 있고, 레지스트 도포막의 막두께를 균일하면서 고정밀도로 할 수 있는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
챔버 내의 스핀척으로 유지된 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성방법은, (a) 웨이퍼 회전수와 챔버 내에서 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악해 두는 공정과, (b) 웨이퍼를 챔버 내에 반입하고, 웨이퍼를 스핀척으로 유지하는 공정과, (c) 웨이퍼에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 웨이퍼를 스핀회전시키고, 이것에 의해 웨이퍼 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (d) 스핀척의 회전수를 센서에서 검출하는 공정과, (f) 이 검출 막두께 정보와 예비상건 데이터에 의거하여 스핀척의 설정회전수를 수정하고, 다음의 웨이퍼의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판과 같은 기판에 포토레지스트액과 같은 처리액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치에 이용됨.

Description

도포막 형성방법 및 도포막 형성장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 도포막 형성장치를 나타낸 단면 블록도, 제5도는 본 발명의 도포막 형성방법에 있어서의 막두께 제어의 절차를 나타낸 플로우챠트.

Claims (25)

  1. 챔버 내의 스핀척으로 유지된 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성방법으로서, (a) 상기 스핀척에 의해 회전되는 기판의 회전수와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타내는 예비상관 데이터를 파악해 두는 공정과, (b) 기판을 상기 챔버 내에 반입하고, 기판을 상기 스핀척으로 유지하는 공정과, (c) 기판에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 기판을 스핀회전시키고, 이것에 의해 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (d) 기판표면에 형성된 레지스트 도포막을 막두께를 막두께 검출수단에 의해 검출하는 공정과, (e) 상기 스핀척의 회전수를 회전수 검지수단에 의해 검지하는 공정과, (f) 상기 검출막 두께 및 상기 검출 회전수와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 스핀척이 설정회전수를 수정하고, 다음의 기판의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정(a)에서는, 기판에 도포될 레지스트액의 온도와 상기 챔버 내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상기 관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(e) 에서도, 기판에 도포되기 직전의 레지스트액의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(f) 에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 기판에 도포될 레지스트액의 온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정(a)에서는, 기판의 표면의 온도와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(e)에서는, 레지스트액이 도포되기 직전의 기판의 표면의 온도를 검출하고 또한 상기 공정(f)에서, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 기판의 표면온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 레지스트 도포막을 베이크 가열하고, 다시 이것을 냉각한 후에, 상기 막두께 검출공정(d)에서 레지스트 도포막의 막두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 레지스트 도포막의 막두께를 상기 챔버내에서 검출하고, 그 검출정보에 의거하여 그 이후의 기판에 있어서의 레지스트 도포막의 막두께를 차례를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공정(d)에서는 스핀척상의 기판과 막두께 검출수단을 상대적으로 이동시키면서, 복수 부위에서 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 1롯트 25매의 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(d)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 각 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(d)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공정(c)의 전에 챔버 내의 분위기를 제어하고, 스핀척상의 기판의 주위 분위기를 레지스트 도포처리에 적합한 분위기로 조정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  10. 챔버 내의 스핀척으로 유지된 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법으로서, (A) 상기 스핀척에 의해 회전되는 더미 기판의 회전수와 상기 챔버내에서 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하여 두는 공정과, (B) 제품기판을 상기 챔버내에 반입하고, 제품기판을 상기 스핀척으로 유지하는 공정과, (C) 제품기판에 레지스트액을 뿌림과 동시에, 제품기판을 스핀회전시키고, 이것에 의해 제품기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 공정과, (D) 제품기판상에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 막두께 검출수단에 의해 검출하는 공정과, (E) 상기 스핀척의 회전수를 회전수 검지수단에 의해 검지하는 공정과, (F) 상기 검출 막두께 및 상기 검출 회전수와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 스핀척의 설정회전수를 수정하고, 다음의 제품기판의 레지스트 도포처리를 피드백 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 공정(A)에서는, 더미 기판에 도포될 레지스트액의 온도와 상기 챔버내에서 더미기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타내는 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(E)에서는, 제품기판에 도포되기 직전의 레지스트액의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(F)에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 제품기판에 도포될 레지스트액의 온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 공정(A)에서는, 더미 기판의 표면의 온도와 상기 챔버내에서 더미 기판상에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하고, 또한 상기 공정(E)에서는, 레지스트액이 도포되기 직전의 제품기판의 표면의 온도를 검출하고, 또한 상기 공정(F)에서는, 이 검출온도 및 상기 검출 막두께와 상기 예비상관 데이터에 의거하여 다음의 제품기판의 표면온도를 수정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  13. 제10항에 있어서, 레지스트 도포막을 베이크 가열하고, 또한 이것을 냉각한 후에, 상기 막두께 검출공정(D)에서 레지스트 도포막의 막두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 더미 기판에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 검출한 후에, 더미 기판으로부터 레지스트 도포막을 제거하고, 이 더미 기판을 상기 공정(A)에서 다시 이용하여 다른 예비상관 데이터를 파악하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  15. 제13항에 있어서, 더미 기판에 형성된 레지스트 도포막의 막두께를 검출한 후에, 더미 기판으로부터 레지스트 도포막을 제거하고, 이 더미 기판을 상기 공정(A)에 다시 이용하여 다른 예비상관 데이터를 파악하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 공정(C) 전에 챔버내의 분위길를 제어하고, 스핀척 상의 기판의 주위 분위기를 레지스트 도포처리에 적합한 분위기로 조정하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  17. 제10항에 있어서, 1롯트 25매의 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(D)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  18. 제10항에 있어서, 각 기판에 레지스트 도포할 때마다, 상기 공정(D)의 레지스트 도포막의 막두께 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 공정(D)에서는, 스핀척 상의 기판과 막두께 검출수단을 상대적으로 이동시키면서, 복수부위에서 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성방법.
  20. 기판의 표면에 레지스트액을 공급함과 동시에, 기판을 스핀회전시키고, 기판의 표면에 레지스트 도포막을 형성하는 도포막 형성장치로서, 챔버와, 이 챔버 내에 설치되고, 기판을 유지하는 스핀척과, 이 스핀척을 스핀회전시키는 회전구동수단과, 상기 스핀척상의 기판에 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급수단과, 상기 챔버 내에 설치되고, 기판의 표면에 형성되는 레지스트 도포막의 막두께를 검출하는 막두께 센서와, 상기 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 회전구동수단을 제어하는 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  21. 제20항에 있어서, 레지스트액의 온도를 검출하는 제1의 온도센서와, 기판에 도포될 레지스트액의 온도를 조정하는 제1의 온도조정수단을 더욱 가지며, 상기 제어수단은 제1온도센서로부터의 검출신호 및 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 제1의 온도조정수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  22. 제20항에 있어서, 기판의 표면온도를 검출하는 제2온도센서와, 기판의 표면의 온도를 조정하는 제2의 온도조정수단을 가지며, 상기 제어수단은 제2온도센서로부터의 검출신호 및 막두께 센서로부터의 막두께 검출신호에 의거하여 상기 제2의 온도조정수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  23. 제20항에 있어서, 기판상에 형성될 레지스트 도포막의 막두께와의 상관을 나타낸 예비상관 데이터를 파악하기 위해 이용되는 더미 기판을 온도조정하기 위한 제3의 온도조정수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 더미 기판의 표면에 형성된 레지스트 도포막을 제거하기 위한 용제를 더미 기판을 향하여 뿌리는 용제공급수단을 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
  25. 제20항에 있어서, 상기 스핀척의 회전수를 검출하는 회전수 검출센서를 더욱 가지는 것을 특징으로 하는 도포막 형성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970021263A 1996-05-28 1997-05-28 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치 Ceased KR970077123A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-156176 1996-05-28
JP15617696 1996-05-28
JP96-262391 1996-09-11
JP26239196A JP3516195B2 (ja) 1996-05-28 1996-09-11 塗布膜形成方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970077123A true KR970077123A (ko) 1997-12-12

Family

ID=26483988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970021263A Ceased KR970077123A (ko) 1996-05-28 1997-05-28 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5939130A (ko)
EP (1) EP0810633B1 (ko)
JP (1) JP3516195B2 (ko)
KR (1) KR970077123A (ko)
DE (1) DE69725648T2 (ko)
TW (1) TW340961B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558508B1 (ko) * 1999-10-25 2006-03-07 동경 엘렉트론 주식회사 기판의 처리시스템 및 기판의 처리방법
KR100797721B1 (ko) * 2000-11-06 2008-01-23 동경 엘렉트론 주식회사 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383414B (en) * 1997-03-05 2000-03-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system and evaluation method and processing apparatus for photoresist agent film
US5926690A (en) 1997-05-28 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Run-to-run control process for controlling critical dimensions
DE19722407A1 (de) * 1997-05-28 1998-12-03 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Schichtdicken- insbesondere Bondschichtdickenregelung
US6266125B1 (en) * 1998-05-25 2001-07-24 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
US6642155B1 (en) * 1998-06-05 2003-11-04 Micron Technology, Inc. Method for applying a fluid to a rotating silicon wafer surface
US6387825B2 (en) 1998-11-12 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Solution flow-in for uniform deposition of spin-on films
US6225240B1 (en) 1998-11-12 2001-05-01 Advanced Micro Devices, Inc. Rapid acceleration methods for global planarization of spin-on films
US6530340B2 (en) * 1998-11-12 2003-03-11 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for manufacturing planar spin-on films
US6200913B1 (en) 1998-11-12 2001-03-13 Advanced Micro Devices, Inc. Cure process for manufacture of low dielectric constant interlevel dielectric layers
US6317642B1 (en) * 1998-11-12 2001-11-13 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and methods for uniform scan dispensing of spin-on materials
US6407009B1 (en) 1998-11-12 2002-06-18 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of manufacture of uniform spin-on films
US6281962B1 (en) 1998-12-17 2001-08-28 Tokyo Electron Limited Processing apparatus for coating substrate with resist and developing exposed resist including inspection equipment for inspecting substrate and processing method thereof
AT408930B (de) * 1999-01-13 2002-04-25 Thallner Erich Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
JP3455458B2 (ja) 1999-02-01 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
GB9903474D0 (en) 1999-02-17 1999-04-07 Univ Newcastle Process for the conversion of a fluid phase substrate by dynamic heterogenous contact with an agent
KR100604024B1 (ko) 1999-04-19 2006-07-24 동경 엘렉트론 주식회사 도포막 형성방법 및 도포장치
JP4426024B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
US6248175B1 (en) * 1999-10-29 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6270579B1 (en) * 1999-10-29 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
KR100589914B1 (ko) * 2000-01-29 2006-06-15 삼성전자주식회사 외부기기와의 동기를 위한 스피너 제어장치 및 그 제어방법
JP3792986B2 (ja) 2000-04-11 2006-07-05 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
US6549822B1 (en) * 2000-07-25 2003-04-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for control of multi-cup semiconductor manufacturing tracks
US6560506B2 (en) * 2000-12-04 2003-05-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for control for semiconductor processing for reducing effects of environmental effects
US6500755B2 (en) 2000-12-06 2002-12-31 Advanced Micro Devices, Inc. Resist trim process to define small openings in dielectric layers
JP3943828B2 (ja) * 2000-12-08 2007-07-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びパターン形成方法
AU2002240098A1 (en) * 2001-02-23 2002-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method of controlling the thickness of layers of photoresist
JP2002373843A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Nec Corp 塗布装置及び塗布膜厚制御方法
US6680078B2 (en) * 2001-07-11 2004-01-20 Micron Technology, Inc. Method for dispensing flowable substances on microelectronic substrates
KR20030026862A (ko) 2001-09-25 2003-04-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 처리장치 제어 시스템 및 기판 처리장치
TW594421B (en) * 2002-01-30 2004-06-21 Toshiba Corp Film forming method/device, image-forming method and semiconductor device manufacturing method
JP3838964B2 (ja) * 2002-03-13 2006-10-25 株式会社リコー 機能性素子基板の製造装置
JP2003338499A (ja) * 2002-05-20 2003-11-28 Tokyo Electron Ltd 膜形成方法及び膜形成装置
JP2004321946A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Oki Electric Ind Co Ltd 処理装置、及びそれを用いた被処理体の処理方法
KR100568032B1 (ko) * 2003-06-24 2006-04-05 동부아남반도체 주식회사 포토레지스트 코팅불량 감지방법 및 그 검출장치
DE10339992B4 (de) 2003-08-29 2008-07-03 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung eines Strukturelements kritischer Abmessung bzw. einer Gateelektrode eines Feldeffekttransistors sowie Ätzsteuerung
DE602004007089T2 (de) * 2003-11-14 2008-02-21 Sharp K.K. Vorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmen
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP5058449B2 (ja) * 2005-03-31 2012-10-24 芝浦メカトロニクス株式会社 塗布膜の形成方法及び装置
JP2007012782A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理方法
US7632542B2 (en) * 2005-10-26 2009-12-15 University Of Maryland Method for controlling uniformity of thin films fabricated in processing systems
JP2008210980A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Toshiba Corp パターン形成方法
EP2128701A1 (en) 2008-05-30 2009-12-02 ASML Netherlands BV Method of determining defects in a substrate and apparatus for exposing a substrate in a lithographic process
JP4748192B2 (ja) * 2008-08-07 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP2010239013A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP2011062740A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP5478173B2 (ja) * 2009-09-18 2014-04-23 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2014217805A (ja) * 2013-05-08 2014-11-20 株式会社ディスコ 液状樹脂被覆装置
KR101621484B1 (ko) * 2014-04-11 2016-05-17 세메스 주식회사 기판처리장치
JP6299624B2 (ja) * 2015-02-13 2018-03-28 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
JP6894403B2 (ja) * 2018-05-24 2021-06-30 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法
TWI878399B (zh) * 2019-12-17 2025-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
US11168978B2 (en) * 2020-01-06 2021-11-09 Tokyo Electron Limited Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates
WO2021183332A1 (en) 2020-03-10 2021-09-16 Tokyo Electron Limited Long wave infrared thermal sensor for integration into track system
CN112040571B (zh) * 2020-08-27 2022-10-21 上海华力集成电路制造有限公司 光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
CN112830686A (zh) * 2021-01-21 2021-05-25 四川虹科创新科技有限公司 一种浮法玻璃表面硫膜控制装置及方法
JP7628434B2 (ja) 2021-02-15 2025-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法
US11738363B2 (en) 2021-06-07 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Bath systems and methods thereof
US12488452B2 (en) 2021-06-16 2025-12-02 Tokyo Electron Limited Wafer bath imaging
CN114733663B (zh) * 2022-03-17 2023-04-28 中材锂膜有限公司 一种锂离子电池涂覆膜生产中涂层克重监测装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59151424A (ja) * 1983-02-18 1984-08-29 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH0239520A (ja) * 1988-07-29 1990-02-08 Tokyo Electron Ltd レジスト膜厚の測定方法
US5393624A (en) * 1988-07-29 1995-02-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
JPH03178123A (ja) * 1989-12-06 1991-08-02 Sharp Corp スピンコーターの塗布膜厚安定化システム
JPH052777A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Seiko Epson Corp レジストコート方法
US5366757A (en) * 1992-10-30 1994-11-22 International Business Machines Corporation In situ resist control during spray and spin in vapor
JP2739902B2 (ja) * 1993-09-30 1998-04-15 東京応化工業株式会社 酸化ケイ素系被膜形成用塗布液

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100558508B1 (ko) * 1999-10-25 2006-03-07 동경 엘렉트론 주식회사 기판의 처리시스템 및 기판의 처리방법
KR100797721B1 (ko) * 2000-11-06 2008-01-23 동경 엘렉트론 주식회사 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1043666A (ja) 1998-02-17
US5939130A (en) 1999-08-17
EP0810633A3 (en) 1998-09-02
JP3516195B2 (ja) 2004-04-05
TW340961B (en) 1998-09-21
EP0810633A2 (en) 1997-12-03
DE69725648D1 (de) 2003-11-27
EP0810633B1 (en) 2003-10-22
DE69725648T2 (de) 2004-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077123A (ko) 도포막 형성방법 및 도포막 형성장치
US6303526B1 (en) Temperature controlled spin chuck
US5254367A (en) Coating method and apparatus
CA2315225A1 (en) Spin coating method and apparatus for liquid carbon dioxide systems
TWI713515B (zh) 用來熟化至少一部份施加於基板之光阻劑的方法與裝置
KR20080018808A (ko) 기판 유지장치
JPH06151295A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置
JPH10270533A (ja) ウエ−ハセンタリング装置及びそれを用いたウエ−ハ貼付装置
JP2816755B2 (ja) 半導体処理装置およびレジスト処理装置
KR910003772A (ko) 도포방법 및 장치
JPH04158510A (ja) 半導体製造装置
JPH065505A (ja) フォトレジスト塗布前処理装置
JPS59151424A (ja) 塗布装置
JPS61137322A (ja) 塗布装置
JPH0778749A (ja) 熱処理装置
JPH02229577A (ja) 塗布装置
JP2005205363A (ja) 枚葉塗膜形成装置及び枚葉塗膜形成方法
KR20040059256A (ko) 다단계 포토레지스트 도포방법
JP2613296B2 (ja) 真空処理方法及び装置
JP2546111B2 (ja) 塗布装置
JPH0330315A (ja) 被処理体処理装置
KR20050111871A (ko) 진공 건조장치
JPH02294017A (ja) リソグラフィ法
JP3087263B2 (ja) レジスト塗布方法および装置
JPH02229578A (ja) 塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PB0901 Examination by re-examination before a trial

St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901

B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
PB0601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial

St.27 status event code: N-3-6-B10-B17-rex-PB0601

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20021023

Effective date: 20040528

PJ1301 Trial decision

St.27 status event code: A-3-3-V10-V15-crt-PJ1301

Decision date: 20040528

Appeal event data comment text: Appeal Kind Category : Appeal against decision to decline refusal, Appeal Ground Text : 1997 21263

Appeal request date: 20021023

Appellate body name: Patent Examination Board

Decision authority category: Office appeal board

Decision identifier: 2002101004009

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000