KR970077181A - 이온주입기에서 이온형성을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

이온주입기에서 이온형성을 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명을 구현하는 이온소TM(12)는 이온주입기에 사용하기 위한 것이다 .이온소스(2)는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18)를 포함하며, 상기 벽은 가스이온화영역(120)을 형성한다. 상기 플라즈마 챔버(18)는 이온들이 이 챔버를 빠져나가는 탈출구멍(126)을 포함한다. 지지체(15)가 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나온 이온으로 이온빔을 형성시키는 구조물(13)에 상대적으로 이 플라즈마 챔버(18)를 위치시킨다. 이온화물질의 공급부가 이 물질을 플라즈마 챔버(18)내로 보낸다. 상기 지지체에 의해 지지되는 안테나(130)는 가스이온화영역(120)으로 이온화에너지를 전달하도록 플라즈마 챔버(18)내에 직접 설치되는 금속의 고주파 전도 세그먼트(132)를 갖는다.

Description

이온주입기에서 이온형성을 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 주입기에 이온빔을 생성하기 위해 본 발명을 구현한 이온발생소소의 부분 단면도.

Claims (13)

  1. 이온주입기에 사용되는 이온소스에 있어서, a) 이 전도성 챔버벽들에 의해 형성된 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18), 이 플라즈마 챔버는 이온들이 플라즈마 챔버를 빠져나가도록 하는 출구구멍(126)을 포함함; b) 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나오는 이온들로 이온빔(14)을 형성시키는 구조물(13)에 상대적으로 이 플라즈마 챔버(18)을 위치시키는 지지체(15);c) 이온화 물질을 플라즈마 챔버(18)내로 전달하도록 플라즈마 챔버(18)와 연통하는 공급부;d) 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하도록 챔버내에 노출되는 금속표면(132)을 포함하는 금속안테나(130); 및 e) 플라즈마 챔버(18)내의 금속안테나 근방에 이온화 전기장을 유도하게 위해 고주판 신호가 금속안테나(130)에 교류를 유도하도록 금속안테나(130)를 통전시키는 전원장치(134)로 구성되는 이온소스.
  2. 청구항 1에 있어서, 안테나(130)가 알루미늄으로 구성되는 이온소스.
  3. 청구항 1에 있어서, 안테나(130)가 두꺼운 벽의 금속튜브이며 이온주입기(16)작동중 두꺼운 벽의 튜브를 순환하는 냉각제 소스를 또한 포함하는 이온소스.
  4. 청구항 3에 있어서, 두꺼운 벽의 금속튜브가 플라즈마 챔버(18)내에 생성된 플라즈마에 노출되는 알루미늄표면(132)을 포함하는 이온소스.
  5. 청구항 4에 있어서, 금속튜브의 노출된 표면(132)이 U형상 알루미늄 튜브를 형성하는 이온소스.
  6. 청구항 1에 있어서, 플라즈마 챔버(18)내에 안테나(130)를 지지하는 제거가능한 지지체를 또한 포함하되, 이 지지체는 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18) 외측 영역으로부터 이 챔버(18)내부로 연장하도록 하는 절개부(152)를 포함하는 챔버벽(114) 및 안테나(130)의 노출된 표면(132)을 이온화영역(120)내에 위치시키며 챔버벽(114)의 절개부(152)내에 맞는 칫수를 갖고 안테나(130)를 지지하는 금속삽입체(150)로 구성되는 이온소스.
  7. 이온주입기에 사용하는 챔버내에 이온플라즈마를 생성하는 방법에 있어서, a) 전도성 챔버벽들에 의해 형성된 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 갖는 플라즈마 챔버(18) 및 챔버내부에 생성된 이온들이 플라즈마 챔버(18)을 빠져나가도록 하는 출구구멍(126)을 제공하는 단계; b) 상기 플라즈마 챔버(18)를 빠져나오는 이온들로 이온빔(14)을 형성하는 구조물(13)에 상대적으로 플라즈마 챔버(18)를 위치시키는 단계; c) 이온하물질을 플라즈마 챔버(18)내로 전달하는 단계; d) 노출된 금속표면(132)이 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하기 위해 챔버내부로 연장되도록 금속안테나(130)를 설치하는 단계; 및 e) 이온빔(14)을 형성하는 개구(126)를 통해 방출된 이온의 플라즈마를 생성하기 위해 고주파 신호가 금속안테나(130)에 고류를 발생시켜서 플라즈마 챔버(18)내의 금속안테나(130)근방에 이온화 전기집을 유도하도록 금속안테나(130)를 통전시키는 단계로 구성되는 이온플라즈마 생성방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 물질의 스퍼터링에 따른 안테나(130)오염에 민감한 챔버영역에 노출된 금속표면(132)을 차폐시키는 단계를 또한 포함하는 방법.
  9. 청구항 8에 있어서, 설치단계가 챔버(18)의 벽(114)에 절개부(152)를 제공하는 단계 및 벽(114)의 절개부(152)에 맞는 삽입체(150)에 안테나(130)를 설치하는 단계를 구성하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 삽입체(150)가 벽(114)이 하나 또는 삽입체(150)에 부착된 강자성부재(174)를 끌어당기는 마그네트(170)수단에 의해 챔버벽(114)에 고정되는 방법.
  11. a) 이온빔 처리를 위해 진공영역내에 하나 이상의 대상물을 위치시키는 이온비입챔버(17); b) 이온이 플라즈마 챔버(18)를 빠져나가는 하나 이상의 탈출구멍(126)이 있는 벽(116)을 갖는 플라즈마 챔버(18)를 형성하도록 챔버내부에 이온화영역(120)을 형성하는 전도성 챔버벽(112, 114, 116)을 포함하며, 주입챔버(17)의 진공영역내의 대상물처리를 위한 이온빔(14)을 형성하도록 이온플라즈마를 발생시키는 이온소스(12); c) 이온소스(12)로부터 이온주입 챔버(17)까지의 진공빔통로를 수립하여 진공빔통로내의 이온빔(14)을 형상화시키는 구조물(21,22,26); d) 플라즈마 챔버(18)를 빠져나온 이온으로 이온빔(14)을 형성시키는 구조물(21,22,26)에 상대적으로 플라즈마 챔버(18)를 위치시키는 지지체(15); e) 이온화물질을 플라즈마 챔버(18)로 전달하도록 플라즈마 챔버(18)와 연통하는 공급부; f) 플라즈마 챔버(18)로 에너지를 방출하도록 챔버내부로 노출되는 금속표면(132)을 포함하는 금속안테나(130); 및 g) 고주파 신호가 금속안테나(130)에 고류를 발생시켜 플라즈마 챔버(18)내 금속안테나(130)근방에 이온화 전기장을 유도하도록 금속안테나(130)을 통전시키는 에너지원(134)으로 구성되는 이온주입기.
  12. 청구항 11에 있어서, 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18)내에 지지되는 U형상 세그먼트를 포함하는 이온주입기.
  13. 청구항 11에 있어서, 안테나(130)가 플라즈마 챔버(18)내에 지지되는 U형상의 알루미늄 세그먼트를 포함하는 이온주입기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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