KR970077199A - 반도체 소자의 배선층 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 배선층 형성방법 Download PDF

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박지순
이장은
김병준
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김광호
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    • H10P14/43—Chemical deposition, e.g. chemical vapour deposition [CVD]

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Abstract

본 발명에 의한 반도체 소자의 배선층 형성 방법은 배리어 메탈상에 Si이 함유된 금속막으로 버퍼층을 형성한 후 CVD-W막을 형성함으로써, 스몰(small) 콘택을 갖는 고단차 구조의 반도체 소자에서 밀착층의 취약한 단차 도포성으로 인해 콘택홀 바닥에 계면 결함(Interfacial Defect, 예를 들어 윔홀(Worm Hole))이 발생하는 것을 막고, 이로 인해 양호한 전기적 특성을 얻을 수 있다는 장점이 있다.

Description

반도체 소자의 배선층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 배선층 형성 방법을 순차적으로 도시한 단면도들이다.

Claims (6)

  1. 반도체 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 제1단계; 상기 소오스/드레인 영역이 형성된 반도체 기판에 절연막을 증착하는 제2단계; 상기 소오스/드레인 영역 상부의 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 제3단계; 상기 결과물에 배리어 메탈(barrier metal)층 및 버퍼(buffer)층을 차례로 얇게 형성하는 제4단계; 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)공정으로 상기 결과물 전면에 텅스텐(W)을 증착하는 제5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 배리어 메탈(barrier metal)층은 TiN, Ti, Ti/TiN, WSiX중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형상 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 버퍼(buffer)층은 Si를 함유한 금속막을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 버퍼(buffer)층의 두께는 500A 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제4단계에서 상기 버퍼층상에 배리어 메탈층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제5단계를 실시하기 전에 상기 제4단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906307B1 (ko) * 2002-11-21 2009-07-07 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법

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KR100906307B1 (ko) * 2002-11-21 2009-07-07 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법

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