KR970077242A - 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법에 관한 것으로, 낮은 식각 선택비로 인한 하부층의 손실을 방지하기 위하여 불화탄소(CF4,CHF3등)계의 가스에 산화질소(N2O)가스가 첨가된 식각 가스를 이용하여 실리콘 질화막을 식각하므로써 식각 선택비의 증가로 하부층의 손실이 방지되며, 폴리머의 생성을 감소시켜 후속공정을 용이하게 실시할 수 있도록 한다. 따라서 소자의 수율이 향상될 수 있는 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 따른 실리콘 질화막 식각 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법에 있어서, 식각 속도를 증가시키며, 폴리머의 생성을 감소시키기 위하여 불화탄소계의 가스에 산화질소(N2O) 가스가 첨가된 식각 가스를 이용하여 실리콘 질화막을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불화탄소 계의 가스는 CF4인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불화탄소 계의 가스는 CHF3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리콘 질화막 식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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