KR970077265A - 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077265A
KR970077265A KR1019960015553A KR19960015553A KR970077265A KR 970077265 A KR970077265 A KR 970077265A KR 1019960015553 A KR1019960015553 A KR 1019960015553A KR 19960015553 A KR19960015553 A KR 19960015553A KR 970077265 A KR970077265 A KR 970077265A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma etching
semiconductor device
etching equipment
cleaning
cleaning method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019960015553A
Other languages
English (en)
Inventor
이강현
이상원
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960015553A priority Critical patent/KR970077265A/ko
Publication of KR970077265A publication Critical patent/KR970077265A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법을 개시한다. 상기 플라즈마 식각장비의 세정방법은 상기 반도체 장치의 폴리사이드 형성 공정을 진핼할 때, 상기 플라즈마 식각장비를 주기적으로 건식세정 하는 단계를 포함한다. 상기 건식 세정은 SF6및 He 가스를 이용하여 수행한다. 본 발명은 플라즈마 건식식각 장비에 건식세정공정을 실시하여 챔버벽에 증착된 폴리머를 효과적으로 제거하여 습식 세정 주기를 증가시키고 소자의 신뢰성 향상을 꾀할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법에 있어서, 상기 반도체 장치의 폴리사이드 형성 공정을 진행할 때, 상기 플라즈마 식각장비를 주기적으로 건식 세정 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장비의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960015553A 1996-05-11 1996-05-11 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법 Withdrawn KR970077265A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015553A KR970077265A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015553A KR970077265A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970077265A true KR970077265A (ko) 1997-12-12

Family

ID=66220051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960015553A Withdrawn KR970077265A (ko) 1996-05-11 1996-05-11 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970077265A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970077265A (ko) 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법
AU2003303216A1 (en) Dry cleaning process
KR970077273A (ko) 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법
KR970072162A (ko) 백금 박막의 건식 식각 방법
KR970072217A (ko) 반도체 장치의 질화막 세정방법
KR970072216A (ko) 반도체 제조시의 웨이퍼 세정 장치 및 방법
KR970067667A (ko) 폴리머 제거방법
KR960005820A (ko) 반도체 소자의 폴리실리콘막 세정방법
KR940015674A (ko) 폴리실리콘 패턴시 발생되는 폴리머 제거방법
KR970067696A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR960026326A (ko) 웨이퍼 세정방법
KR950006999A (ko) 웨이퍼 표면 산화막 제거방법
KR970023796A (ko) 건식 식각세정에 의한 화학 기계적 연마(cmp)의 오염 제거방법
KR980005578A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970018160A (ko) 반도체 웨이퍼의 폴리머 제거방법
KR970077243A (ko) 반도체 소자의 폴리머 제거방법
KR970003585A (ko) 웨이퍼 후면 세정 방법
KR960026466A (ko) 반도체 소자의 폴리사이드층 형성방법
KR980005759A (ko) 반도체 소자의 cmp 후 세정방법
KR980005493A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법
KR940016537A (ko) 반도체 웨이퍼 세정방법
KR970007510A (ko) 습식 식각제
KR970053117A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR970023763A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR970023657A (ko) 콘베이어 방식 반도체 증착 공정의 콘베이어 벨트 세정 방법 및 그 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PC1203 Withdrawal of no request for examination

St.27 status event code: N-1-6-B10-B12-nap-PC1203

WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid
PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000