KR970077273A - 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법 - Google Patents

웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077273A
KR970077273A KR1019960017356A KR19960017356A KR970077273A KR 970077273 A KR970077273 A KR 970077273A KR 1019960017356 A KR1019960017356 A KR 1019960017356A KR 19960017356 A KR19960017356 A KR 19960017356A KR 970077273 A KR970077273 A KR 970077273A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cleaning
chamber
cleaning method
water spray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960017356A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100223331B1 (ko
Inventor
박창서
이완기
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960017356A priority Critical patent/KR100223331B1/ko
Publication of KR970077273A publication Critical patent/KR970077273A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100223331B1 publication Critical patent/KR100223331B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로, 웨이퍼 표면의 유기물을 제거하는 웨이퍼 세정방법에 있어서, 오존수스프레이 챔버에서 오존수를 이용한 습식세정방법으로 상기 웨이퍼를 세정하고 상기 웨이퍼를 초순수로 세척하고 상기 웨이퍼를 건조시킨 다음, 상기 웨이퍼를 HF베이퍼 챔버로 이동하여 상기 오존수 스프레이 챔버에서의 세정공정시 발생되는 산화막을 건식세정방법으로, 제거함으로써 상기 웨이퍼 표면의 유기물과 상기 웨이퍼 표면에 발생되는 산화막을 제거함으로써 후속공정인 반도체소자 제조공정을 용이하게 실시할 수 있게 하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.

Description

웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 세정장비를 도시한 개략도.

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 이동시킬 수 있는 로버트 부분과, 상기 로버트 부분의 일측에 연결된 오존수 스프레이 챔버와, 상기 로버트 부분의 다른 일측에 연결된 HF베이퍼 챔버와, 상기 로버트 부분의 타측에 연결된 반도체소자를 형성하기 위한 챔버로 구비되는 웨이퍼 세정장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오존수 스프레이 챔버는 하측에 린스챔버로 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장비.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오존수 스프레이 챔버는 상기 챔버의 상측에 오존수 스프레이 노즐이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장비.
  4. 웨이퍼 표면의 유기물을 제거하는 웨이퍼 세정방법에 있어서, 오존수 스프레이 챔버에서 오존수를 이용한 습식세정방법으로 상기 웨이퍼를 세정하는 공정과, 상기 웨이퍼를 린스챔버로 초순수로 세척하고 상기 웨이퍼를 건조시키는 공정과, 상기 웨이퍼를 HF베이퍼 챔버 로 이동하여 상기 오존수 스프레이 챔버에서의 세정공정시 유발되는 산화막을 건식세정방법으로 제거하는 공정을 포함하는 웨이퍼 세정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 오존수 초순수에 오존가스를 용해시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 오존수는 오존농도를 10∼20rpm으로 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 오존수 스프레이 세정공정은 상기 웨이퍼를 20∼100 rpm의 회전속도로 5∼10분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 건식세정공정은 상기 습식세정공정후에 연속적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960017356A 1996-05-22 1996-05-22 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법 Expired - Fee Related KR100223331B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960017356A KR100223331B1 (ko) 1996-05-22 1996-05-22 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960017356A KR100223331B1 (ko) 1996-05-22 1996-05-22 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077273A true KR970077273A (ko) 1997-12-12
KR100223331B1 KR100223331B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19459420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960017356A Expired - Fee Related KR100223331B1 (ko) 1996-05-22 1996-05-22 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100223331B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225923B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-25 이완기 혼합형 반도체 세정 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102747606B1 (ko) * 2021-07-14 2024-12-31 주식회사 비아트론 반도체 기판 세정 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101225923B1 (ko) * 2011-03-31 2013-01-25 이완기 혼합형 반도체 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100223331B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE302869T1 (de) Waschtrockner und trockenreinigungsmaschinen
JP2007216158A (ja) 過熱蒸気を利用した基板洗浄方法と装置
KR970066727A (ko) 감광막 제거 방법
KR970077273A (ko) 웨이퍼 세정장비 및 웨이퍼 세정방법
KR900013594A (ko) 세척제와 그를 이용한 세척방법 및 그 세척방법을 사용한 반도체 집적회로 제조방법
KR100244516B1 (ko) 패턴 형성 방법
KR970003582A (ko) 반도체 웨이퍼 세정방법
KR970077265A (ko) 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 식각장비의 세정방법
JPH03142930A (ja) 半導体ウエハの乾燥装置
KR200155168Y1 (ko) 세정액
KR920007190B1 (ko) 세정공정시 건조방법
KR19980050047U (ko) 웨이퍼 세척 장치
KR950001950A (ko) 웨이퍼의 친수성화에 의한 산화막 형성방법
KR960026318A (ko) 웨이퍼 건조방법
JPH0453952A (ja) レチクル洗浄装置
KR20060057224A (ko) 아이피에이 증기 건조 장치
KR940002962A (ko) 웨이퍼 건조 방법
KR970072143A (ko) 반도체 제조시의 웨이퍼 세정 방법
KR970067696A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR930011903B1 (ko) 디램 제조시 웨이퍼 세정방법
KR970072217A (ko) 반도체 장치의 질화막 세정방법
JPH06104239A (ja) 基板の乾燥方法及び装置
JPH10303173A (ja) ウエハ乾燥機及びその乾燥方法
KR980005702A (ko) 반도체 장치 제조방법
KR970008370A (ko) 자연산화막 제거장치 및 이를 이용한 자연산화막 제거방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R17-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090624

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20100710

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20100710

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000