KR970077288A - 세정용액 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents

세정용액 및 이를 이용한 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077288A
KR970077288A KR1019970018682A KR19970018682A KR970077288A KR 970077288 A KR970077288 A KR 970077288A KR 1019970018682 A KR1019970018682 A KR 1019970018682A KR 19970018682 A KR19970018682 A KR 19970018682A KR 970077288 A KR970077288 A KR 970077288A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
liquid crystal
crystal display
semiconductor device
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019970018682A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100247930B1 (ko
Inventor
정승필
송재인
박흥수
고영범
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Publication of KR970077288A publication Critical patent/KR970077288A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100247930B1 publication Critical patent/KR100247930B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20Cleaning during device manufacture
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 본 발명의 세정용액은 0.01-20부피%의 플루오르화수소, 50-99.8부피%의 알콜 및 0.01-50부피%의 탈이온수를 포함한다. 본 발명에 따른 세정용액은 폴리실리콘층의 세정 및 폴리실리콘층과 절연층이 공존할 경우의 세정에 바람직하게 적용될 수 있는데, 유기 및 무기성 오염물질에 대한 세정 효과 및 세정후의 재부착 방지 효과가 우수하여 콘택홀 형성후, 확산 공정 이전 또는 사진식각 공정 이전의 세정 공정시에 바람직하게 사용될 수 있으며, 특히 세정후에도 균일한 콘택홀 프로파일을 제공함으로써 반도체 소자 또는 액정표시소자의 성능 및 수율 향상에 기여할 수 있다.

Description

세정용액 및 이를 이용한 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 세정용액을 이용하여 세정된 콘택홀의 단면도이다.

Claims (10)

  1. 0.01-20부피%의 플루오르화수소 50-99.8부피%의 알콜 및 0.01-49.9부피%의 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자(LCD : Liquid Crystal Device)용 세정용액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알콜이 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜 또는 그의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액
  3. 제2항에 있어서, 상기 알콜이 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액.
  4. 제1항에 있어서, 반도체 소자 또는 액정표시소자의 기판을 건식식각하여 도전층을 노출시키는 콘택홀 형성 공정 이후에 실시되는 세정 공정에서 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액.
  5. 제1항에 있어서, 반도체 소자 또는 액정표시소자의 기판 표면에 열산화막을 형성하기 이전에 실시되는 세정 공정에서 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액.
  6. 제1항에 있어서, 감광막 패턴을 형성하는 사진식각 공정 이전에 실시되는 반도체 소자 또는 액정표시소자의 기판 세정공정에서 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액.
  7. 제1항에 있어서, 폴리실리콘막을 노출시키는 공정 이후에 실시되는 반도체 소자 또는 액정표시소자의 기판 세정공정에서 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액.
  8. 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법에 있어서, 0.01-20부피%의 플루오르화수소, 50-99.8부피%의 알콜 및 0.01-49부피%의 탈이온수를 포함하는 세정용액으로 상기 반도체 소자 또는 액정표시소자의 표면을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 알콜이 메탄올, 에탄올 이소프로필알콜 또는 그의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 알콜이 이소프로필알콜인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 액정표시소자의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970018682A 1996-05-14 1997-05-15 세정용액및이를이용한세정방법 Expired - Fee Related KR100247930B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR19960015978 1996-05-14
KR15978 1996-05-14
KR1019960015978 1996-05-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077288A true KR970077288A (ko) 1997-12-12
KR100247930B1 KR100247930B1 (ko) 2000-03-15

Family

ID=19458614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970018682A Expired - Fee Related KR100247930B1 (ko) 1996-05-14 1997-05-15 세정용액및이를이용한세정방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH1050647A (ko)
KR (1) KR100247930B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649418B1 (ko) 2002-08-22 2006-11-27 다이킨 고교 가부시키가이샤 박리액
KR100818708B1 (ko) * 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
JP5548225B2 (ja) 2012-03-16 2014-07-16 富士フイルム株式会社 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液
KR102153745B1 (ko) * 2014-04-16 2020-09-09 삼성전자주식회사 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1050647A (ja) 1998-02-20
KR100247930B1 (ko) 2000-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960026984A (ko) 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
KR970071092A (ko) 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조
KR970077288A (ko) 세정용액 및 이를 이용한 세정방법
KR980006031A (ko) 반도체장치의 소자분리막 형성방법
KR960043295A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR950004584A (ko) 오프셋 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법
KR930024190A (ko) 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR950015599A (ko) 반도체 장치의 접촉 영역 형성 방법
KR950024345A (ko) 반도체 메모리장치 제조방법
KR960030327A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR970003959A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 형성방법
KR970030425A (ko) 반도체 소자의 클리닝 방법
KR960018739A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법
KR970052280A (ko) 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법
KR940009760A (ko) 콘택 접속을 위한 패드 폴리실리콘 형성 방법
KR970054114A (ko) 반도체소자의 저장전극 형성방법
KR980011687A (ko) 반도체 장치의 패턴 형성 방법
KR960002578A (ko) 반도체소자의 전하보존전극 제조방법
KR930005252A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR970052317A (ko) 반도체 장치의 미세 접촉창 형성 방법
KR970054549A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조방법
KR960026892A (ko) 롬의 게이트전극 제조방법
KR970003584A (ko) 반도체 기판의 세정방법
KR940022854A (ko) 반도체장치의 접촉창 형성방법
KR960032716A (ko) 캐패시터의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061128

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20071216

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20071216

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000