KR970077336A - 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치가 처리될 기판을 그 위에 놓기 위해 압력이 경감될 수 있는 반응 용기 내에 배치된 기판 홀더, 처리 가스를 반응 용기 내에 제공하기 위한 수단과 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 정합 회로를 통해 반응 용기의 내부에 제공하기 위한 캐소드 전극을 갖는데, 반응 용기의 적어도 한 부분이 유도성 부재로 구성되고, 캐소드 전극이 반응 용기의 외부에 배치되어, 반응 용기 내의 플라즈마 분포가 균일하게 만들어지고, 처리될 기판에 대한 균일한 플라즈마 처리가 가능하게 된다. 플라즈마 처리는 CVD, 스퍼터링 에칭 또는 데싱 등을 포함한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예 따라 캐패시터가 정합 회로와 캐소드 전극들 사이에 배치되는 플라즈마 처리 장치의 측면도의 구성을 도시하는 전형적인 도면.

Claims (19)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서, 압력이 경감될 수 있는 반응 용기 내에 배치되고, 처리될 기판을 그 위에 놓기 위한 기판 홀더; 처리 가스를 상기 반응 용기에 제공하기 위한 수단; 및 고주파 전원으로부터의 고주파 전력을 정합 회로를 통해 강기 반응 용기의 내부에 제공하기 위한 캐소드 전극을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 반응 용기의 적어도 일부분이 유전성 부재로 구성되고, 상기 캐소드 전극이 상기 반응 용기의 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 캐피시터가 상기 정합 회로와 상기 캐소드 전극 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 다수의 상기 캐소드 전극들이 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유전성 재료가 알루미나 세라믹, 글래스 및 테플론으로 구성되는 그룹중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유전성 부재가 원통형의 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유전성 부재가 평판형 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력이 30MHz에서 600MHz의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반응 용기와 상기 캐소드 전극을 덮는 접지 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반응 용기와 상기 캐소드 전극을 덮는 제1접지 차폐부, 및 상기 캐소드 전극과 상기 정합 회로를 서로 접속하는 경로를 덮고 상기 제1접지 차폐부를 덮는 제2접지 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 플라즈마 처리 방법에 있어서, 처리 가스를 압력이 경감될 수 있는 반응 용기에 제공하는 단계; 상기 반응 용기 내에 플라즈마를 발생시키도록 고주파를 상기 반응 용기외부에 배치되는 캐소드 전극으로부터 상기 반응 용기의 내부에 제공하는 단계; 및 상기 반응 용기 내에 배치된 처리될 기판에 대해 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 캐패시터가 상기 정합 회로와 상기 캐소드 전극 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 캐소드 전극이 다수의 캐소드 전극들로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 유전성 재료가 알루미나 세라믹, 글래스 및 테플론으로 구성된 그룹중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 유전성 부재가 원통형 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  15. 제10항에 있어서, 상기 유전성 부재가 평판형 모양을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 제10항에 있어서, 상기 고주파 전력이 30MHz에서 600MHz의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제10항에 있어서, 상기 반응 용기와 상기 캐소드 전극을 덮는 접지 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  18. 제10항에 있어서, 상기 반응 용기와 상기 캐소드 전극을 덮는 제1접지 차폐부 및 상기 캐소드 전극과 상기 정합 회로를 서로 접속하는 경로를 덮고 상기 제1접지 차폐부를 덮는 제2접지 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제10항에 있어서, 플라즈마 처리가 CVD, 스퍼터링, 에칭 또는 에싱인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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