KR970077503A - 반도체장치의 소자분리영역 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 소자분리영역 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077503A
KR970077503A KR1019960018910A KR19960018910A KR970077503A KR 970077503 A KR970077503 A KR 970077503A KR 1019960018910 A KR1019960018910 A KR 1019960018910A KR 19960018910 A KR19960018910 A KR 19960018910A KR 970077503 A KR970077503 A KR 970077503A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
side wall
forming
semiconductor substrate
oxide film
isolation region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960018910A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100202177B1 (ko
Inventor
손정환
정재홍
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019960018910A priority Critical patent/KR100202177B1/ko
Publication of KR970077503A publication Critical patent/KR970077503A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100202177B1 publication Critical patent/KR100202177B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
    • H10W10/0121—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS] in regions recessed from the surface, e.g. in trenches or grooves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials

Landscapes

  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체장치의 소자분리영역 형성방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 패드산화막과 질화막을 형성하고 소정 부분을 제거하여 필드부분을 한정하는 공정과, 상기 패드산화막과 질화막의 측면에 제1측벽을 형성하고, 이 제1측벽의 측면에 제2측벽을 형성하는 공정과, 상기 제1측벽과 제2측벽을 마스크로하여 반도체기판의 상기 필드부분을 소정 깊이로 식각하여 홈을 형성하고 상기 제2측벽을 제거하는 공정과, 상기 홈과 상기 제2측벽이 제거되어 노출된 부분의 반도체기판을 산화하여 소자분리 영역을 형성하는 공정과, 상기 질화막, 패드산화막 및 제1측벽 제거하여 반도체기판의 활성영역을 노출시키는 공정을 구비한다. 따라서, 활성영역의 면적이 축소되는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 소자분리영역과 활성영역의 계면에 스트레스를 완화시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 소자분리영역 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A) 내지 (D)는 본 발명에 따른 반도체장치의 소자분리영역 형성방법을 도시하는 공정도.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에 패드산화막과 질화막을 형성하고 소정 부분을 제거하여 필드부분을 한정하는 공정과, 상기 패드산화막과 질화막의 측면에 제1측벽을 형성하고, 이 제1측벽의 측면에 제2측벽을 형성하는 공정과, 상기 제1측벽과 제2측벽을 마스크로하여 반도체기판의 상기 필드부분을 소정 깊이로 식각하여 홈을 형성하고, 상기 제2측벽을 제거하는 공정과, 상기 홈과 상기 제2측벽이 제거되어 노출된 부분의 반도체기판을 산화하여 소자분리영역을 한정하는 공정과, 상기 질화막, 패드산화막 및 제1측벽 제거하여 반도체기판의 활성 영역을 노출시키는 공정을 구비하는 반도체장치의 소자분리영역 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2측벽은 산화막 또는 다결정실리콘으로 형성하는 반도체장치의 소자분리영역 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2측벽은 200∼1000A의 두께로 형성하는 반도체장치의 소자분리영역 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 홈을 500∼3000A의 깊이로 이방성 식각하는 반도체장치의 소자분리영역 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960018910A 1996-05-31 1996-05-31 반도체장치의 소자분리영역 형성방법 Expired - Fee Related KR100202177B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018910A KR100202177B1 (ko) 1996-05-31 1996-05-31 반도체장치의 소자분리영역 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018910A KR100202177B1 (ko) 1996-05-31 1996-05-31 반도체장치의 소자분리영역 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077503A true KR970077503A (ko) 1997-12-12
KR100202177B1 KR100202177B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19460292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960018910A Expired - Fee Related KR100202177B1 (ko) 1996-05-31 1996-05-31 반도체장치의 소자분리영역 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100202177B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100202177B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970060447A (ko) 반도체 소자의 아이솔레이션 방법
KR980006031A (ko) 반도체장치의 소자분리막 형성방법
KR980006066A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR950021362A (ko) 반도체 소자 격리방법
KR960005936A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR920013600A (ko) 반도체 장치의 플래이너 격리영역 형성방법
KR920010752A (ko) 반도체 소자의 격리막 형성방법
KR950021389A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성 방법
KR950021396A (ko) 필드산화막 제조방법
KR920008923A (ko) 반도체 집적회로의 소자격리영역 형성방법
KR960019513A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성 방법
KR950021388A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성 방법
KR970003803A (ko) 소자분리막 제조방법
KR960026727A (ko) 고주파 반도체 장치의 제조방법
KR100202177B1 (ko) 반도체장치의 소자분리영역 형성방법
KR960026620A (ko) 보이드(Void)를 이용한 반도체 소자분리 방법
KR980006072A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR960026575A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970053400A (ko) 반도체 소자 격리형성 방법
KR970018141A (ko) 실리콘 기판의 트랜치(Trench) 에칭 방법
KR960032672A (ko) 반도체 장치의 소자분리방법
KR970003823A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970077491A (ko) 소자분리막 제조방법
KR940001353A (ko) 반도체소자의 격리방법
KR970077490A (ko) 트랜치 소자분리막 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090223

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20100319

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20100319

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000