MD1458C2 - Носитель для записи оптических изображений и голографической информации - Google Patents
Носитель для записи оптических изображений и голографической информации Download PDFInfo
- Publication number
- MD1458C2 MD1458C2 MD99-0228A MD990228A MD1458C2 MD 1458 C2 MD1458 C2 MD 1458C2 MD 990228 A MD990228 A MD 990228A MD 1458 C2 MD1458 C2 MD 1458C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- substrate
- registration
- injection
- carrier
- optical images
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 abstract 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Abstract
Изобретение относится к оптической записи информации, оптоэлектронике и голографии.Носитель содержит диэлектрическую подложку, первый электрод, инжекционный слой, регистрирующий слой и верхний металлический электрод. С целью увеличения светочувствительности инжекционный слой выполнен из материала общей формулой АsxSe1-x, где 0,02?х?0,1, а регистрирующий слой выполнен из того же материала, что и инжекционный слой, но с переменной концентрацией атомов мышьяка и селена по толщине слоя, а именно, с увеличивающей концентрацией атомов мышьяка по направлению от инжекционного слоя к верхнему электроду от 40 до 60 ат.% при уменьшающейся концентрации атомов селена в том же направлении от 60 до 40 ат.%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD99-0228A MD1458C2 (ru) | 1988-07-06 | 1999-08-25 | Носитель для записи оптических изображений и голографической информации |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1556396 | 1988-07-06 | ||
| MD99-0228A MD1458C2 (ru) | 1988-07-06 | 1999-08-25 | Носитель для записи оптических изображений и голографической информации |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1458B1 MD1458B1 (en) | 2000-04-30 |
| MD1458C2 true MD1458C2 (ru) | 2000-04-30 |
Family
ID=26640711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD99-0228A MD1458C2 (ru) | 1988-07-06 | 1999-08-25 | Носитель для записи оптических изображений и голографической информации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1458C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ru) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Фотопластический носитель для записи оптической информации |
-
1999
- 1999-08-25 MD MD99-0228A patent/MD1458C2/ru unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ru) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Фотопластический носитель для записи оптической информации |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1458B1 (en) | 2000-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0191505A3 (en) | Method of producing sheets of crystalline material | |
| TW350135B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same the invention relates to a semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP0224013A3 (en) | Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate | |
| EP0161556A3 (en) | Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same | |
| ATE54917T1 (de) | Physostigminderivate mit acetylcholinesteraseinhibitoreigenschaften, und das entsprechende herstellungsverfahren. | |
| FR2412406A1 (fr) | Plaque de circuit imprime facilement decapable et son procede de fabrication | |
| KR910008872A (ko) | 반도체 소자와 그 제조방법 | |
| MY102300A (en) | Metallized polymers | |
| ATE72909T1 (de) | Durchsichtige leitende schicht und verfahren zu deren herstellung. | |
| MD1458C2 (ru) | Носитель для записи оптических изображений и голографической информации | |
| DE69124824D1 (de) | Lichtempfindliches Element mit einer amorphen Silicium-photoleitfähigen Schicht, die Fluoratome in einer Menge von 1 bis 95 Atom-ppm enthält | |
| CA2238857A1 (en) | Ferroelectric material, method of manufacturing the same, semiconductor memory, and method of manufacturing the same | |
| EP0178148A3 (en) | Thin film photodetector | |
| AU3404589A (en) | Thin film photovoltaic device | |
| KR960016231B1 (en) | Semiconductor metal wire forming method | |
| CA2051778A1 (en) | Method for manufacturing superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and superconducting device manufactured thereby | |
| JPS6437057A (en) | Thin film field effect transistor | |
| EP0226311A3 (en) | Process for annealing iii-v compound semiconductor material | |
| AU8637591A (en) | Improvements in and relating to conductive fibres | |
| EP0187367A3 (en) | Thin film transistor | |
| JPS5678174A (en) | Variable capacity diode | |
| JPS5687377A (en) | Photoinformation reading element | |
| GB1497573A (en) | Method for producing an electrophotographic recording material | |
| JPS56108271A (en) | Floating gate type non volatile semiconductor memory device | |
| EP0301903A3 (en) | Functional znse1-xtex: h deposited film |