MD1545C2 - Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice - Google Patents
Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice Download PDFInfo
- Publication number
- MD1545C2 MD1545C2 MD99-0219A MD990219A MD1545C2 MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2 MD 990219 A MD990219 A MD 990219A MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- thickness
- layer
- carrier
- registration
- electrode
- Prior art date
Links
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la domeniul fotografiei cu semiconductori fără argint.Purtătorul conţine un substrat dielectric pe care consecutiv sunt plasaţi primul electrod, un strat fotoinjector cu conductibilitatea de tip p, un strat de semiconductor calcogenic vitros şi al doilea electrod, în care stratul fotoinjector este confecţionat din zece perechi de semistraturi alternându-se, cel inferior este confecţionat din As2Se3 cu grosimea de 8-10 nm, iar cel superior din In2S3 cu grosimea de 10-12 nm sau din In2Se3 cu grosimea de 40-50 nm, stratul de imprimare având grosimea de 0,2-0,5 µm, iar al doilea electrod fiind confecţionat din aluminiu cu grosimea de 10-50 nm.Rezultatul constă în majorarea sensibilităţii la lumină a purtătorului de informaţie.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD99-0219A MD1545C2 (ro) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MD99-0219A MD1545C2 (ro) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD1545B1 MD1545B1 (ro) | 2000-09-30 |
| MD1545C2 true MD1545C2 (ro) | 2001-04-30 |
Family
ID=19739458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MD99-0219A MD1545C2 (ro) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD1545C2 (ro) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ro) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice |
-
1999
- 1999-08-25 MD MD99-0219A patent/MD1545C2/ro unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD313Z (ro) * | 2009-07-08 | 2011-08-31 | Государственный Университет Молд0 | Purtător fototermoplastic pentru înregistrarea informaţiei optice |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD1545B1 (ro) | 2000-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1069605A3 (en) | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon | |
| TW350135B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same the invention relates to a semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP1022771A3 (en) | Improved contact and deep trench patterning | |
| EP0898308A3 (en) | A method for forming a metal interconnection in a semiconductor device | |
| EP0739030A3 (en) | Highly-integrated thin film capacitor with high dielectric constant layer | |
| EP0797245A3 (en) | Method of manufacturing a vertical MOS semiconductor device | |
| KR980003732A (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR850002172A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| EP0766322A3 (en) | Photovoltaic device with an improved light reflecting layer and method for manufacturing it | |
| EP0390509A3 (en) | Semi-conductor device and method of manufacturing the same | |
| EP1160877A3 (en) | Photovoltaic element and method of manufacturing the same | |
| EP1148543A3 (en) | Semiconductor device and process of manufacturing the same | |
| GB0007279D0 (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| MD1545C2 (ro) | Purtător pentru imprimarea imaginilor optice şi a informaţiei holografice | |
| EP0717438A3 (en) | Method for forming side contact of semiconductor device | |
| KR920003451A (ko) | 자기정렬 방식에 의한 전하 촬상소자의 제조방법 | |
| ES8800785A1 (es) | Un metodo para formar un contacto ohmico | |
| EP0414618A1 (fr) | Transistor MOS en couche mince avec la zone de canal reliée à la source et son procédé de fabrication | |
| KR890005845A (ko) | 배리어층을 가지고 있는 알루미늄 합금 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| GB2396868A (en) | Copper-indium based thin film photovoltaic devices and methods of making the same | |
| EP1207562A3 (en) | Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same | |
| HK25484A (en) | Semiconductor device and fabrication method | |
| JPS5642366A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| EP0905752A3 (en) | Method for fabricating conductive electrode for semiconductor device | |
| TW200504927A (en) | Method for forming aluminum containing interconnect |