MD1545C2 - Носитель для записи оптических изображений и голографической информации - Google Patents

Носитель для записи оптических изображений и голографической информации Download PDF

Info

Publication number
MD1545C2
MD1545C2 MD99-0219A MD990219A MD1545C2 MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2 MD 990219 A MD990219 A MD 990219A MD 1545 C2 MD1545 C2 MD 1545C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thickness
layer
carrier
registration
electrode
Prior art date
Application number
MD99-0219A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1545B1 (en
Inventor
Валериу БИВОЛ
Maria Iovu
Михай ЙОВУ
Elena Hancevschi
Ion Ciumacov
Original Assignee
Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova filed Critical Biroul Specializat De Constructie Si Tehnologie A Electronicii Corpului Solid Al Institutului De Fizica Aplicata Al Academiei De Stiinte A Republicii Moldova
Priority to MD99-0219A priority Critical patent/MD1545C2/ru
Publication of MD1545B1 publication Critical patent/MD1545B1/xx
Publication of MD1545C2 publication Critical patent/MD1545C2/ru

Links

Landscapes

  • Holo Graphy (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к бессеребряной полупроводниковой фотографии.Носитель состоит из диэлектрической подложки с последовательно расположенными на ней первым электродом, фотоинжекционным слоем р-типа проводимости, слоем халькогенидного стеклообразного проводника и второго проводника, в котором его фотоинжекционный слой выполнен из десяти чередующихся пар полуслоев, нижний из которорых выполнен из As2Se3 с толщиной 8-10 нм, а верхний из In2S3 - с толщиной 10-12 нм или In2Se3 с толщиной 40-50 нм, причем регистрирующий слой имеет толщину 0,2-0,5 мкм, а второй электрод выполнен из алюминия и имеет толщину, равную 10-50 нм.Результат состоит в повышении светочувствительности носителя информации.
MD99-0219A 1999-08-25 1999-08-25 Носитель для записи оптических изображений и голографической информации MD1545C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD99-0219A MD1545C2 (ru) 1999-08-25 1999-08-25 Носитель для записи оптических изображений и голографической информации

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD99-0219A MD1545C2 (ru) 1999-08-25 1999-08-25 Носитель для записи оптических изображений и голографической информации

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1545B1 MD1545B1 (en) 2000-09-30
MD1545C2 true MD1545C2 (ru) 2001-04-30

Family

ID=19739458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD99-0219A MD1545C2 (ru) 1999-08-25 1999-08-25 Носитель для записи оптических изображений и голографической информации

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1545C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD313Z (ru) * 2009-07-08 2011-08-31 Государственный Университет Молд0 Фотопластический носитель для записи оптической информации

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD313Z (ru) * 2009-07-08 2011-08-31 Государственный Университет Молд0 Фотопластический носитель для записи оптической информации

Also Published As

Publication number Publication date
MD1545B1 (en) 2000-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1069605A3 (en) Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
EP1505648A3 (en) Active matrix display device
TW350135B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same the invention relates to a semiconductor device and method of manufacturing the same
EP1022771A3 (en) Improved contact and deep trench patterning
WO2003038877A3 (en) Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
EP0898308A3 (en) A method for forming a metal interconnection in a semiconductor device
EP0797245A3 (en) Method of manufacturing a vertical MOS semiconductor device
KR980003732A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR850002172A (ko) 반도체장치 제조방법
EP1148543A3 (en) Semiconductor device and process of manufacturing the same
GB0007279D0 (en) Method of fabricating a semiconductor device
MD1545C2 (ru) Носитель для записи оптических изображений и голографической информации
EP0414618B1 (fr) Transistor MOS en couche mince avec la zone de canal reliée à la source et son procédé de fabrication
TW345743B (en) Method for forming side contact of semiconductor device
KR920003451A (ko) 자기정렬 방식에 의한 전하 촬상소자의 제조방법
FR2829291A1 (fr) Procede de fabrication de capteur d'image couleur avec ouvertures de contact creusees avant amincissement
ES550464A0 (es) Un metodo para formar un contacto ohmico
KR890005845A (ko) 배리어층을 가지고 있는 알루미늄 합금 반도체 장치 및 그 제조방법
EP1207562A3 (en) Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same
HK25484A (en) Semiconductor device and fabrication method
JPS5642366A (en) Manufacture of semiconductor device
EP0936668A3 (en) Method of producing thin film transistor
EP0905752A3 (en) Method for fabricating conductive electrode for semiconductor device
TW200504927A (en) Method for forming aluminum containing interconnect
KR930024103A (ko) 반도체 장치의 제조방법