MD2025C2 - Фотодетектор ультрафиолетового излучения - Google Patents

Фотодетектор ультрафиолетового излучения Download PDF

Info

Publication number
MD2025C2
MD2025C2 MDA20010246A MD20010246A MD2025C2 MD 2025 C2 MD2025 C2 MD 2025C2 MD A20010246 A MDA20010246 A MD A20010246A MD 20010246 A MD20010246 A MD 20010246A MD 2025 C2 MD2025 C2 MD 2025C2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
ultra
radiation
violet radiation
violet
infra
Prior art date
Application number
MDA20010246A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2025F2 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Татьяна ВИЕРУ
Ион ПРОДАН
Виталие СЕКРИЕРУ
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MDA20010246A priority Critical patent/MD2025C2/ru
Publication of MD2025F2 publication Critical patent/MD2025F2/xx
Publication of MD2025C2 publication Critical patent/MD2025C2/ru

Links

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым фотодатчикам, в частности к датчикам ультрафиолетового излучения, и может быть использовано в оптоэлектронных системах для определения дозы и интенсивности ультрафиолетового излучения солнечной радиации, или любого другого источника излучения.Сущность изобретения заключается в том что фоточувствительный слой разделен на два идентичных элемента, изолированных электрически друг от друга, дифференциально подсоединенных к сопротивлению нагрузки, один из элементов покрыт прозрачным слоем для видимого и инфракрасного излучения и непрозрачным для ультрафиолетового излучения. Фоточувствительный слой имеет толщину не меньше чем длина поглощения ультрафиолетового излучения и не больше чем длина поглощения для видимого и инфракрасного излучения.
MDA20010246A 2001-07-31 2001-07-31 Фотодетектор ультрафиолетового излучения MD2025C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20010246A MD2025C2 (ru) 2001-07-31 2001-07-31 Фотодетектор ультрафиолетового излучения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20010246A MD2025C2 (ru) 2001-07-31 2001-07-31 Фотодетектор ультрафиолетового излучения

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2025F2 MD2025F2 (en) 2002-10-31
MD2025C2 true MD2025C2 (ru) 2003-06-30

Family

ID=19739916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20010246A MD2025C2 (ru) 2001-07-31 2001-07-31 Фотодетектор ультрафиолетового излучения

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2025C2 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD1516F1 (en) * 1999-04-21 2000-07-31 Valerian Dorogan Photodetector of ultra-violet radiation
EP1132974A2 (en) * 2000-01-28 2001-09-12 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation High speed semiconductor photodetector
US20020088943A1 (en) * 1998-09-14 2002-07-11 Prafulla Masalkar Infrared photodetector and method of manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020088943A1 (en) * 1998-09-14 2002-07-11 Prafulla Masalkar Infrared photodetector and method of manufacturing the same
MD1516F1 (en) * 1999-04-21 2000-07-31 Valerian Dorogan Photodetector of ultra-violet radiation
MD1516G2 (ru) * 1999-04-21 2001-01-31 Валериан ДОРОГАН Фотоприемник ультрафиолетового излучения
EP1132974A2 (en) * 2000-01-28 2001-09-12 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation High speed semiconductor photodetector

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. Miao, I. Tiginyanu, H. Hartnagel et al. The characteristics of high-resistance layer produced in nGaAs using MeV-nitrogen implantation for three-dimensional structuring. Appl. Phys. Lett., 70, (7), 1997, p. 847-849 *
Беркелиев A., Гольдберг Ю. А., Мелебаев Д., Царенков Б.В. ФП видимого и УФ излучения на основе GaAs1-xPx поверхностно-барьерных структур. ФТП, Т. 10, В. 8, 1976, с. 1532-1538 *
Гуткин А. А., Дмитриев М. В., Наследов Д. Н., Пашковский А. В. Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерного диода Аu-n-GaAs в области энергии фотонов 1.5 эВ. ФТП, Т. 5, В. 10, 1971, с. 1927-1933 *
Клячкин Л. Е., Лопатина Л. Б., Маляренко А.М., Суханов В. Л. Спектральные характеристики селективных ФП для видимой и УФ областей спектра. Письма в ЖТФ, Т. 11, В. 6, 1985, с. 354-356 *
Малик A., Грушка Г.Г. Оптоэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла GaP. ФТП, Т. 25, В. 11, 1991, с. 1691-1696 *
Стафеев В.И., Анисимова И.Д., Викулин И.М. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный диапазоны спектра. Москва, Радио и связь, 1984, с. 310 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD2025F2 (en) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AR054459A2 (es) Dispositivo optoelectronico organico fotosensible
ATE292661T1 (de) Flächiges element mit dunkler oberfläche und verminderter solarer absorption
DE50013066D1 (de) Uv-reflektierendes interferenzschichtsystem
DE69201459D1 (de) Glasscheibe mit reflexionenverringernden Schicht.
DE60131776D1 (de) Verglasung mit dünnschichtstapel, mit eigenschaften für den sonnenschutz und/oder zur wärmeisolierung
FI932395A7 (fi) Polymeerialustan ultraviolettisäteilystä johtuvan hajoamisen vähentämi nen
MX9705382A (es) Material de recubrimiento con propiedades reflejantes en dos intervalos de longitud de onda y propiedades absorbentes en un tercer intervalo de longitud de onda.
DE69306439D1 (de) P.i.n-Fotodioden mit transparenten leitfähigen Kontakten
EP0642178A3 (en) Semiconductor device for converting light and radiation into electrical energy.
DE68909111D1 (de) Elektronisches Modul, das Substratelemente enthält.
EP0614233A3 (en) Pin-type light receiving device, manufacture of the pin-type light receiving device and optoelectronic integrated circuit.
DE69407674D1 (de) Umgebungsverhältnisdetektor mit Hochintensitätslicht
IT1285048B1 (it) Substrato rivestito avente elevata trasmissione luminosa, basso fattore solare e aspetto neutro in riflessione.
DK0797634T3 (da) Maling med lav emissionsevne i varmestrålingsområdet
DE69204829D1 (de) Integrierte Schaltung mit vollständigem Schutz gegen Ultraviolettstrahlen.
WO2002044766A3 (de) Statischer konzentrator
JPS57160175A (en) Photoelectric converter
MD2025F2 (en) Photodetector of ultra-violet radiation
MD1516F1 (en) Photodetector of ultra-violet radiation
DE69204525D1 (de) Wellenmodulator und optischer Detektor mit Quantenpotentialtöpfen.
MD1216G2 (ru) Фотоприемник ультрафиолетового излучения
DE69303738D1 (de) Photoelektrischer Detektor mit Quantentöpfen und verbesserter Detectivität
MD1726G2 (ru) Фотоприемник ультрафиолетового излучения
DE3585208D1 (de) Halbleiteranordnung mit schutz gegen alpha-teilchen und externes rauschen.
ITRM930027A0 (it) Filtro per radiazioni solari, particolarmente adatto per lenti da sole