MD1726G2 - Фотоприемник ультрафиолетового излучения - Google Patents

Фотоприемник ультрафиолетового излучения Download PDF

Info

Publication number
MD1726G2
MD1726G2 MDA20000106A MD20000106A MD1726G2 MD 1726 G2 MD1726 G2 MD 1726G2 MD A20000106 A MDA20000106 A MD A20000106A MD 20000106 A MD20000106 A MD 20000106A MD 1726 G2 MD1726 G2 MD 1726G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
layer
ultraviolet radiation
semiconducting
photodetector
aiiibv
Prior art date
Application number
MDA20000106A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD1726F1 (en
Inventor
Валериан ДОРОГАН
Ион ТИГИНЯНУ
Татьяна ВИЕРУ
Михаил МАНОЛЕ
Valeriu Coseac
Original Assignee
Валериан ДОРОГАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валериан ДОРОГАН filed Critical Валериан ДОРОГАН
Priority to MDA20000106A priority Critical patent/MD1726G2/ru
Publication of MD1726F1 publication Critical patent/MD1726F1/xx
Publication of MD1726G2 publication Critical patent/MD1726G2/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к фотоприемникам на основе полупроводников, в частности к приемникам ультрафиолетового излучения, и может быть использовано в оптоэлектронных системах для определения интенсивности и дозы ультрафиолетового излучения Солнца или других источников света.Сущность изобретения состоит в том, что фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе структур с поверхностным потенциальным барьером содержит слой из полупроводников AIIIBV, тунельно - прозрачный слой собственного окисла и слой из SnO2 или ITO, причем в полупроводниковом слое AIIIBV сформирован дефектный слой, в котором время жизни неосновных носителей электрического заряда минимально. Дефектный слой расположен на расстоянии от поверхности полупроводникового слоя не больше глубины поглощения видимого излучения.Ï. ôîðìóëû: 1Ôèã.: 1
MDA20000106A 2000-06-23 2000-06-23 Фотоприемник ультрафиолетового излучения MD1726G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000106A MD1726G2 (ru) 2000-06-23 2000-06-23 Фотоприемник ультрафиолетового излучения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000106A MD1726G2 (ru) 2000-06-23 2000-06-23 Фотоприемник ультрафиолетового излучения

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD1726F1 MD1726F1 (en) 2001-08-31
MD1726G2 true MD1726G2 (ru) 2002-02-28

Family

ID=19739611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20000106A MD1726G2 (ru) 2000-06-23 2000-06-23 Фотоприемник ультрафиолетового излучения

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD1726G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4182C1 (ru) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Малик А.И., Грушка Г.Г. Оптoэлектронные свойства гетеропереходов окисел металла - GaP. ФТП, том 25, вып.11, 1991, p. 1691-1696 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4182C1 (ru) * 2011-04-15 2013-04-30 Государственный Университет Молд0 Полупроводниковый прибор с рельефным p-n переходом (варианты)
MD4261B1 (ru) * 2011-05-12 2013-11-30 Государственный Университет Молд0 Способ изготовления полупроводникового прибора с рельефным p-n переходом (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
MD1726F1 (en) 2001-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2256877T3 (es) Dispositivo semiconductor optoelectronico.
AR054459A2 (es) Dispositivo optoelectronico organico fotosensible
ATE380396T1 (de) Solarzelle mit einer schutzdiode und ihr herstellungsverfahren
WO2004053941A3 (en) Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission
ITMI20000467A0 (it) Circuito per rilevare con elevata precisione il tempo di arrivo dei fotoni incidenti su fotodiodi a valanga a singolo fotone
ES2118147T3 (es) Dispositivo fotovoltaico y metodo para la produccion del mismo.
ATE413691T1 (de) Verarmungszonelose photodiode mit unterdrücktem photostrom
WO2002027805A3 (en) A theory of the charge multiplication process in avalanche photodiodes
TW200615565A (en) Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system
TW200509383A (en) Back-side incidence type light-detecting element
ATE5115T1 (de) Gold-metallisierung in halbleiteranordnungen.
ES8707022A1 (es) Procedimiento para la fabricacion de dispositivos semi-conductores
DE602004010836D1 (de) Halbleitersubstrat mit einer neutronenkonvertierungsschicht
AU6590398A (en) Optical detector to detect the presence of a semiconductor wafer
ATE471356T1 (de) Organischer farbstoff, photoelektrisch signalgebendes material, halbleiterelektrode sowie photoelektrischer signalgeber
EP0642178A3 (en) Semiconductor device for converting light and radiation into electrical energy.
ATE424043T1 (de) Photosensor und photosensorsystem
Collaboration–RD48 et al. Study of evolution of active volume in irradiated silicon detectors
MD1726F1 (en) Photodetector of ultraviolet radiation
TW200501440A (en) A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector
MD1216G2 (ru) Фотоприемник ультрафиолетового излучения
TW200505040A (en) A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector
DE69409341D1 (de) Halbleitervorrichtung mit Fotodioden
TW200501441A (en) A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector
MD1516F1 (en) Photodetector of ultra-violet radiation