MD2245G2 - Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников - Google Patents
Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников Download PDFInfo
- Publication number
- MD2245G2 MD2245G2 MDA20030019A MD20030019A MD2245G2 MD 2245 G2 MD2245 G2 MD 2245G2 MD A20030019 A MDA20030019 A MD A20030019A MD 20030019 A MD20030019 A MD 20030019A MD 2245 G2 MD2245 G2 MD 2245G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- thin layers
- obtaining
- onto
- semiconductor
- pulverization
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области полупроводниковой физики и может быть использовано для получения тонких полупроводниковых слоев, в частности тонких слоев оксидных полупроводников.Сущность изобретения состоит в том, что способ включает предварительное получение гидролитическим путем водной суспензии полупроводникового оксида и пульверизацию ее на нагретую подложку. Пульверизацию осуществляют в электрической печи, с применением кислорода в качестве газа-распылителя, причем осаждение суспензии осуществляют на подложку, расположенную на вращающемся основании, при одновременном отводе воздуха из печи.Результат изобретения состоит в получении однородных по толщине тонких слоев с идентичными электрическими и оптическими параметрами по всей поверхности.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20030019A MD2245G2 (ru) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20030019A MD2245G2 (ru) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD2245F1 MD2245F1 (en) | 2003-08-31 |
| MD2245G2 true MD2245G2 (ru) | 2004-02-29 |
Family
ID=29268035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20030019A MD2245G2 (ru) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD2245G2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
-
2003
- 2003-01-21 MD MDA20030019A patent/MD2245G2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| S.M. Rossnagel. Depozition and redeposition in magnetrons. J. Vac. Sci. Tehcnology, A 6, 1988, p.3055 * |
| W. Badawy, F. Decker, K. Doblhofer. Preparation and properties of Si/SnO2 heterojunctions. Solar Energy Materials, 8, 1983, p. 363-369 * |
| W. Badawy, F. Decker, K. Doblhofer. Preparation and properties of Si/SnO2 heterojunctions. Solar Energy Materials, 8, 1983, p. 363-369. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD193Z (ru) * | 2009-06-04 | 2010-11-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ получения полисульфидной плёнки |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD2245F1 (en) | 2003-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6290544B2 (ja) | 二酸化珪素フィルムを付着させる方法 | |
| TW200830942A (en) | Contamination reducing liner for inductively coupled chamber | |
| KR100995203B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치내 구조체 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2010537867A5 (ru) | ||
| TW201243982A (en) | A grounding assembly for vacuum processing apparatus | |
| WO2020046547A1 (en) | Oxide removal from titanium nitride surfaces | |
| CN109477207A (zh) | 溅射喷淋头 | |
| MY122888A (en) | Carbon doped oxide deposition | |
| KR100212906B1 (ko) | 산화물박막의 제조방법 및 그것에 사용되는 화학증착장치 | |
| WO2006033268A1 (ja) | 透明導電膜 | |
| CN1897784B (zh) | 通过粗糙化基座减少静电放电 | |
| MD2245G2 (ru) | Способ получения тонких слоев оксидных полупроводников | |
| JP4850762B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2008205279A (ja) | シリコン系薄膜の成膜方法及びその成膜装置 | |
| MY200099A (en) | Silicon-on-insulator with crystalline silicon oxide | |
| TW200721353A (en) | Electrostatic chuck, thin film manufacturing apparatus having the same, thin film manufacturing method, and substrate surface treatment method | |
| JP4890313B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| TWI275139B (en) | Pre-cleaning method of substrate for semiconductor device | |
| JP5179401B2 (ja) | 貼り合わせウェーハ及びその製造方法 | |
| CN101289285A (zh) | 等离子体加工装置 | |
| CN113823546A (zh) | 一种反应腔体及其处理方法 | |
| CN104798192B (zh) | 用于制造绝缘体上半导体基板的方法 | |
| JP2021102796A (ja) | 多結晶基板の製造方法 | |
| JPH04259210A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002088480A (ja) | プラズマ表面処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |