MD2556G2 - Способ получения полупроводниковых наноструктур - Google Patents

Способ получения полупроводниковых наноструктур Download PDF

Info

Publication number
MD2556G2
MD2556G2 MDA20040138A MD20040138A MD2556G2 MD 2556 G2 MD2556 G2 MD 2556G2 MD A20040138 A MDA20040138 A MD A20040138A MD 20040138 A MD20040138 A MD 20040138A MD 2556 G2 MD2556 G2 MD 2556G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
semiconductor
mask
semiconductor nanostructures
carried out
Prior art date
Application number
MDA20040138A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2556F1 (en
Inventor
Ион ТИГИНЯНУ
Вячеслав УРСАКИ
Вячеслав ПОПА
Эдуард МОНАЙКО
Original Assignee
Ион ТИГИНЯНУ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион ТИГИНЯНУ filed Critical Ион ТИГИНЯНУ
Priority to MDA20040138A priority Critical patent/MD2556G2/ru
Publication of MD2556F1 publication Critical patent/MD2556F1/xx
Publication of MD2556G2 publication Critical patent/MD2556G2/ru

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности к методам получения полупроводниковых наноструктур.Сущность изобретения заключается в том, что на одну из поверхностей полупроводникового кристалла путем фотолитографии наносят маску, проводят электрохимическое травление и удаляют маску. Новизна изобретения состоит в том, что после удаления маски дополнительно проводят электрохимическое травление при облучении светом, энергия квантов которого превышает величину запрещенной зоны полупроводника. 
MDA20040138A 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур MD2556G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040138A MD2556G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040138A MD2556G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2556F1 MD2556F1 (en) 2004-09-30
MD2556G2 true MD2556G2 (ru) 2005-03-31

Family

ID=33095721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040138A MD2556G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2556G2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD152Z (ru) * 2009-03-10 2010-09-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709880B2 (en) * 2001-09-18 2004-03-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709880B2 (en) * 2001-09-18 2004-03-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
McCord et al. Lithography with the Scanning Tunneling Microscope. J. Vac. Science Technology, B 4, 86, 1986 *
S. H. Zaidi et al. Scalable Fabrication and Optical Characterization of nm Si Structures. Materials Research Society Symp. Proc., Vol. 358, p. 957-968, 1995 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD152Z (ru) * 2009-03-10 2010-09-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Also Published As

Publication number Publication date
MD2556F1 (en) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006093576A3 (en) Method for treating feedwater, feedwater treatment composition containing a scale inhibitor, and apparatus for treating feedwater
TW200633240A (en) Method and apparatus for forming a thin-film solar cell using a continuous process
DE112004002879A5 (de) Verfahren zur Behandlung von Substratoberflächen
TW200715398A (en) Resist removing method and resist removing apparatus
EA201190324A1 (ru) Способ и реактор для биологической очистки сточных вод
IL188247A0 (en) Process and apparatus for treating exhausted abrasive slurries for the recovery of their reusable components
WO2012013965A9 (en) Method of producing a light emitting device
TW200629416A (en) Semiconductor device and fabrication method thereof
JP2008270780A5 (ru)
ATE451165T1 (de) Reinigung von materialien durch behandlung mit wasserstoffbasiertem plasma
CR9865A (es) Eliminacion de los iones de fluoruro de las soluciones acuosas
WO2013103379A3 (en) N-metal film deposition with initiation layer
EP2863259A3 (en) Method for manufacturing photomask blank
WO2009072406A1 (ja) シリコンウェーハ洗浄方法およびその装置
FR2974194B1 (fr) Procede de lithographie
TWI369590B (en) Treatment liquid for resist substrate, and method of treating resist substrate using the same
MD2556G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктур
TW200705548A (en) Method of patterning material layer of semiconductor device
MY172318A (en) Cleaning fluid for semiconductor, and cleaning method using the same
TW200501257A (en) Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer
TW200724649A (en) Composition and method for removing hard mask
TW200718828A (en) Interleaving paper for glass
WO2007101173A3 (en) Methods for treatment of organic matter in liquid
IL178084A (en) Process for producing semi-conductor coated substrate
MD2536F1 (en) Process for obtaining porous semiconductor structures

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees