MD3811G2 - Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон - Google Patents

Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон

Info

Publication number
MD3811G2
MD3811G2 MDA20070303A MD20070303A MD3811G2 MD 3811 G2 MD3811 G2 MD 3811G2 MD A20070303 A MDA20070303 A MD A20070303A MD 20070303 A MD20070303 A MD 20070303A MD 3811 G2 MD3811 G2 MD 3811G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
nanostructural
zones
semiconductor
nacl solution
obtaining semiconductor
Prior art date
Application number
MDA20070303A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3811F2 (en
Inventor
Эдуард МОНАЙКО
Ион ТИГИНЯНУ
Вячеслав УРСАКИ
Виталие ПОСТОЛАКЕ
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Технический университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы, Технический университет Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070303A priority Critical patent/MD3811G2/ru
Publication of MD3811F2 publication Critical patent/MD3811F2/xx
Publication of MD3811G2 publication Critical patent/MD3811G2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к производству полупроводников.Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон включает осаждение, на одну из поверхностей полупроводникового кристалла, маски с открытым участком, электрохимическое травление при анодировании в водном растворе NaCl и удаление маски.Результат изобретения состоит в получении полупроводниковых наноструктурных зон с морфологией регулируемой концентрацией раствора NaCl и применяемыми электрическими параметрами, используя раствор NaCl который не представляет опасность для здоровья персонала или для окружающей среды.
MDA20070303A 2007-11-06 2007-11-06 Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон MD3811G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070303A MD3811G2 (ru) 2007-11-06 2007-11-06 Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070303A MD3811G2 (ru) 2007-11-06 2007-11-06 Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3811F2 MD3811F2 (en) 2009-01-31
MD3811G2 true MD3811G2 (ru) 2009-08-31

Family

ID=40347779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070303A MD3811G2 (ru) 2007-11-06 2007-11-06 Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3811G2 (ru)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1056205A (en) * 1964-07-28 1967-01-25 Ibm Improvements relating to methods of treating semiconductor elements
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
RU2214359C1 (ru) * 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника
MD2646G2 (ru) * 2004-04-28 2005-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения линз на основе полупроводников с градиентом козффициэнта преломления
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
RU2300158C1 (ru) * 2005-09-29 2007-05-27 Институт микроэлектроники и информатики РАН Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры
MD3691B1 (en) * 2007-05-10 2008-08-31 Societatea Pe Actiuni Institutul De Cercetari Stiintifice "Eliri" Process for manufacturing a filiform nanostructure

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1056205A (en) * 1964-07-28 1967-01-25 Ibm Improvements relating to methods of treating semiconductor elements
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
RU2214359C1 (ru) * 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2646G2 (ru) * 2004-04-28 2005-08-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения линз на основе полупроводников с градиентом козффициэнта преломления
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
MD2804G2 (ru) * 2004-10-19 2006-02-28 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения нанокомпозита
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
RU2300158C1 (ru) * 2005-09-29 2007-05-27 Институт микроэлектроники и информатики РАН Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры
MD3691B1 (en) * 2007-05-10 2008-08-31 Societatea Pe Actiuni Institutul De Cercetari Stiintifice "Eliri" Process for manufacturing a filiform nanostructure

Also Published As

Publication number Publication date
MD3811F2 (en) 2009-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012095667A3 (en) Improvements in coating technology
MX2010007490A (es) Preparacion de derivados de sulfamida.
SG170826A1 (en) Oral dosage forms including an antiplatelet agent and an acid inhibitor
IL187586A0 (en) Method for producing dihydroquinazolines
SG10201803858PA (en) Spectrophotometric sensors and methods using same
CR20140537A (es) Compuesto heterocíclico nitrogenado
WO2015061632A3 (en) Antimicrobial compositions and articles
BR112015017427A2 (pt) artigo compreendendo um substrato polimérico e uma camada de polímero de silicone
NZ608202A (en) Agent for treatment of dry eye characterized by combining p2y2 receptor agonist and hyaluronic acid or salt thereof, method for treating dry eye, and use of the p2y2 receptor agonist and hyaluronic acid or salt thereof
WO2012095672A3 (en) Metal treatment
MY164826A (en) Resin plating method
NO20074780L (no) Heterocyklylamidsubstituerte imidazoler
CL2012001300A1 (es) Proceso de preparación de un compuesto de fórmula (i) en forma de sal iónica, que comprende las etapas de i) hidrogenar un compuesto de fórmula (ii) usando un catalizador metálico con hidrógeno y ii) filtrar el catalizador seguido de tratamiento con una solución ácida o gas.
WO2014037810A3 (ja) 酸性電解水およびその製造方法
ATE380188T1 (de) Substituierte chinolone
MD3811G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
AU2012307449A8 (en) Sulfonic acid salts of heterocyclylamide-substituted imidazoles
MY151590A (en) Substituted quinolones iii
WO2017172005A3 (en) Single molecule timers and clocks
ATE424849T1 (de) Oberflächenbehandlungsanlage
MD2982G2 (ru) Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
ATE553088T1 (de) Substituierte chinolone ii
PL414738A1 (pl) Sposób otrzymywania submikrokrystalicznego fluorku itrowo-potasowego KY3F10
RU2010102476A (ru) Способ уменьшения шероховатости поверхности кварцевого стекла
UA80564U (ru) Способ прогнозирования эффективности ортопедического лечения генерализованного пародонтита

Legal Events

Date Code Title Description
TK4A Erratum in official gazette in regard to patent for invention

Free format text: RECTIFICATION IN INID 13

TK4A Erratum in official gazette in regard to patent for invention

Free format text: RECTIFICATION IN INID 13

FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees