MD2805G2 - Состав для получения тонких пленок двуокиси олова - Google Patents

Состав для получения тонких пленок двуокиси олова Download PDF

Info

Publication number
MD2805G2
MD2805G2 MDA20040067A MD20040067A MD2805G2 MD 2805 G2 MD2805 G2 MD 2805G2 MD A20040067 A MDA20040067 A MD A20040067A MD 20040067 A MD20040067 A MD 20040067A MD 2805 G2 MD2805 G2 MD 2805G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
composition
stannic oxide
oxide films
obtaining thin
thin
Prior art date
Application number
MDA20040067A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2805F1 (en
Inventor
Сергей ДМИТРИЕВ
Игорь ДЕМЕНТЬЕВ
Александру КРЭЧУН
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20040067A priority Critical patent/MD2805G2/ru
Publication of MD2805F1 publication Critical patent/MD2805F1/xx
Publication of MD2805G2 publication Critical patent/MD2805G2/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области физики полупроводников и может быть использовано для изготовления датчиков газа на основе тонких пленок.Состав для получения тонких пленок двуокиси олова содержит пентагидрат тетрахлорида олова и воду. Дополнительно содержит ацетилацетонат паладия и этанол в следующем соотношении компонентов:
MDA20040067A 2004-03-26 2004-03-26 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова MD2805G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040067A MD2805G2 (ru) 2004-03-26 2004-03-26 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040067A MD2805G2 (ru) 2004-03-26 2004-03-26 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2805F1 MD2805F1 (en) 2005-06-30
MD2805G2 true MD2805G2 (ru) 2006-02-28

Family

ID=34699017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040067A MD2805G2 (ru) 2004-03-26 2004-03-26 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2805G2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2436G2 (ru) * 2003-03-18 2004-10-31 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2436G2 (ru) * 2003-03-18 2004-10-31 Государственный Университет Молд0 Состав для получения тонких пленок двуокиси олова с высокой чувствительностью к окиси углерода

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Панкратьев Е. М., Рюмин В.П., Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова, Москва, Энергия, 1969, с. 12 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD174Z (ru) * 2009-05-19 2010-10-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Полупроводниковый материал
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Also Published As

Publication number Publication date
MD2805F1 (en) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE503273T1 (de) Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben
TW200617998A (en) Transparentconductive film, process for producing the same, transparent conductive substrate and light-emitting device
EP1998369A3 (en) Semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device
TWI340396B (en) Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
TW201130139A (en) Thin film transistor
JP2011044696A5 (ja) 半導体装置の作製方法
TW200737362A (en) Semiconductor device and method for incorporating a halogen in a dielectric
WO2010136393A3 (en) Metal transparent conductors with low sheet resistance
JP2011100980A5 (ja) 半導体装置
TW200705674A (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof
SG137767A1 (en) Thin film transistor substrate and display device
NO20064997L (no) Fremgangsmate for redusering av alkoholindusert doseuttomming for opioide orale doseringsformer med langvarig frigivning
EP1708259A3 (en) Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer
WO2009028902A3 (en) Organic metal complexs derivative and organic light emitting devices using the same
TW200617197A (en) Deposition of ruthenium and/or ruthenium oxide films
TWI368675B (en) Nitride-based semiconductor substrate and semiconductor device
JP2010212672A5 (ja) 半導体装置
TW200703469A (en) Method to increase the compressive stress of PECVD silicon nitride films
DE60233176D1 (de) Aus chaperonin-polypeptiden gebildete geordnete biologische nanostrukturen
TWI256081B (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2008027896A3 (en) Improved films and structures for metal oxide semiconductor light emitting devices and methods
TW200609888A (en) Liquid crystal composition for bistable liquid crystal devices
TW200735190A (en) Thin film transistor substrate and display device
MX2019012371A (es) Cristal que tiene recubrimiento de tco calentable.
TW200640230A (en) Method and device for displaying a telephone number

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees