ATE503273T1 - Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben - Google Patents

Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben

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ATE503273T1 AT08857495T AT08857495T ATE503273T1 AT E503273 T1 ATE503273 T1 AT E503273T1 AT 08857495 T AT08857495 T AT 08857495T AT 08857495 T AT08857495 T AT 08857495T AT E503273 T1 ATE503273 T1 AT E503273T1
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PCT/JP2008/071989 WO2009072532A1 (en) 2007-12-04 2008-11-27 Oxide semiconductor device including insulating layer and display apparatus using the same

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Families Citing this family (211)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI495108B (zh) * 2008-07-31 2015-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010123595A (ja) 2008-11-17 2010-06-03 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (de) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101968855B1 (ko) 2009-06-30 2019-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR101457837B1 (ko) 2009-06-30 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
EP3573108A1 (de) 2009-06-30 2019-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101361303B1 (ko) * 2009-07-27 2014-02-11 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 배선 구조 및 배선 구조를 구비한 표시 장치
WO2011013596A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102526493B1 (ko) 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101981441B1 (ko) 2009-07-31 2019-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI604594B (zh) * 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
TWI529914B (zh) * 2009-08-07 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2011027723A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101746198B1 (ko) * 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN102484140B (zh) 2009-09-04 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR20190045396A (ko) * 2009-09-16 2019-05-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
CN105513644B (zh) * 2009-09-24 2019-10-15 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
KR102054650B1 (ko) * 2009-09-24 2019-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR101342179B1 (ko) 2009-09-24 2013-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20120084751A (ko) * 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102108943B1 (ko) 2009-10-08 2020-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043162A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043215A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
CN102549638B (zh) 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
KR102295450B1 (ko) * 2009-10-09 2021-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102142835B1 (ko) 2009-10-09 2020-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011046048A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102462043B1 (ko) * 2009-10-16 2022-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011091110A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Canon Inc 酸化物半導体素子を用いた回路及びその製造方法、並びに表示装置
KR101751908B1 (ko) * 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
KR20130130879A (ko) * 2009-10-21 2013-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
WO2011048945A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
KR101847656B1 (ko) 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102938335B1 (ko) 2009-10-29 2026-03-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120102653A (ko) * 2009-10-30 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR102019239B1 (ko) 2009-10-30 2019-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101082254B1 (ko) * 2009-11-04 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011058934A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102138547B1 (ko) 2009-11-13 2020-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101693914B1 (ko) * 2009-11-20 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062043A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102345456B1 (ko) 2009-11-27 2021-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
KR101825345B1 (ko) * 2009-11-28 2018-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101623961B1 (ko) * 2009-12-02 2016-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
KR102241766B1 (ko) 2009-12-04 2021-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2011068037A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070900A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070892A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101729933B1 (ko) 2009-12-18 2017-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
KR101282383B1 (ko) * 2009-12-18 2013-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
KR20180102702A (ko) * 2010-01-20 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20190093706A (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR102135326B1 (ko) 2010-01-24 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105336744B (zh) 2010-02-12 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR20230003378A (ko) 2010-02-26 2023-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101803552B1 (ko) * 2010-02-26 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비하는 전자 서적
CN102754022B (zh) 2010-02-26 2016-11-09 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101929190B1 (ko) 2010-03-05 2018-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011114905A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JPWO2011118515A1 (ja) * 2010-03-26 2013-07-04 シャープ株式会社 表示装置および表示装置用アレイ基板の製造方法
CN105304502B (zh) 2010-03-26 2018-07-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
GB2479150B (en) 2010-03-30 2013-05-15 Pragmatic Printing Ltd Transistor and its method of manufacture
WO2011122364A1 (en) * 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5567886B2 (ja) * 2010-04-09 2014-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101994909B1 (ko) 2010-04-09 2019-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20130054275A (ko) 2010-04-23 2013-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101754380B1 (ko) * 2010-04-23 2017-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011136018A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9490368B2 (en) * 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
CN102893403B (zh) * 2010-05-21 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145633A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011145484A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145634A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5852793B2 (ja) * 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
KR102110724B1 (ko) * 2010-06-11 2020-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US8552425B2 (en) * 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8519387B2 (en) * 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
KR102143469B1 (ko) 2010-07-27 2020-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2012033836A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Canon Inc トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI509707B (zh) 2010-08-16 2015-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US8786815B2 (en) 2010-09-07 2014-07-22 Au Optronics Corporation Driving circuit and display panel having the same
JP5647860B2 (ja) * 2010-10-28 2015-01-07 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI555205B (zh) * 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP5624628B2 (ja) * 2010-11-10 2014-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置
KR101995082B1 (ko) 2010-12-03 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR20120063809A (ko) * 2010-12-08 2012-06-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9443984B2 (en) * 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5977523B2 (ja) * 2011-01-12 2016-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
TWI787452B (zh) * 2011-01-26 2022-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI569041B (zh) * 2011-02-14 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP2012209543A (ja) * 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9012904B2 (en) * 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9219159B2 (en) * 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9553195B2 (en) * 2011-06-30 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Method of IGZO and ZNO TFT fabrication with PECVD SiO2 passivation
TWI565067B (zh) * 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
US8716708B2 (en) * 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013054823A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130042867A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 삼성디스플레이 주식회사 보호막 용액 조성물, 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN102646676B (zh) * 2011-11-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
CN102651341B (zh) * 2012-01-13 2014-06-11 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板的制造方法
KR101942980B1 (ko) * 2012-01-17 2019-01-29 삼성디스플레이 주식회사 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR20220088814A (ko) * 2012-01-25 2022-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102068956B1 (ko) * 2012-02-15 2020-01-23 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN102629591B (zh) * 2012-02-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
CN104284997B (zh) * 2012-03-09 2016-08-17 气体产品与化学公司 在薄膜晶体管器件上制备含硅膜的方法
WO2013134661A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-12 Air Products And Chemicals, Inc. Barrier materials for display devices
CN102683422B (zh) * 2012-03-21 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR20150005949A (ko) 2012-04-13 2015-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6059566B2 (ja) * 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN202549848U (zh) 2012-04-28 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板和薄膜晶体管
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN107403840B (zh) * 2012-05-10 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102380379B1 (ko) * 2012-05-10 2022-04-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102709189A (zh) * 2012-05-21 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法及一种阵列基板
US8957694B2 (en) * 2012-05-22 2015-02-17 Broadcom Corporation Wafer level package resistance monitor scheme
CN104335332B (zh) * 2012-05-28 2017-09-05 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
TWI596778B (zh) * 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR20220013471A (ko) * 2012-06-29 2022-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 디바이스
DE112013003041T5 (de) 2012-06-29 2015-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102004398B1 (ko) 2012-07-24 2019-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140026257A (ko) * 2012-08-23 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6125176B2 (ja) * 2012-08-27 2017-05-10 シャープ株式会社 高透過率保護膜作製方法および半導体発光素子の製造方法
TW202431646A (zh) 2012-09-24 2024-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101976133B1 (ko) * 2012-11-20 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20150277168A1 (en) * 2012-11-21 2015-10-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN103000628B (zh) * 2012-12-14 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法
KR102241249B1 (ko) * 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
JP6370048B2 (ja) * 2013-01-21 2018-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6141777B2 (ja) * 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6108898B2 (ja) * 2013-03-19 2017-04-05 株式会社東芝 表示装置、薄膜トランジスタ、表示装置の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP6152729B2 (ja) * 2013-03-26 2017-06-28 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
JP6151070B2 (ja) * 2013-04-11 2017-06-21 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
CN103236441B (zh) * 2013-04-22 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 开关管及其制备方法、显示面板
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6326270B2 (ja) 2013-06-28 2018-05-16 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタおよびその製造方法
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
CN103456745B (zh) * 2013-09-10 2016-09-07 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
JP2015060996A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 株式会社東芝 表示装置及び半導体装置
JP6384822B2 (ja) * 2013-11-07 2018-09-05 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6227396B2 (ja) * 2013-12-20 2017-11-08 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
JP6659255B2 (ja) * 2014-09-02 2020-03-04 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ
KR102296917B1 (ko) * 2014-09-15 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6392061B2 (ja) * 2014-10-01 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 電子デバイス、その製造方法、及びその製造装置
KR102221910B1 (ko) 2014-10-10 2021-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102337370B1 (ko) 2014-10-22 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법
WO2016067585A1 (ja) * 2014-10-29 2016-05-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜半導体装置、有機ｅｌ表示装置及び薄膜半導体装置の製造方法
JP6425508B2 (ja) * 2014-11-25 2018-11-21 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ
KR102279884B1 (ko) * 2014-12-05 2021-07-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TWI629791B (zh) * 2015-04-13 2018-07-11 友達光電股份有限公司 主動元件結構及其製作方法
TWI613706B (zh) * 2015-07-03 2018-02-01 Au Optronics Corp. 氧化物半導體薄膜電晶體及其製作方法
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN206505923U (zh) * 2015-10-29 2017-09-19 陆磊 一种薄膜晶体管及显示器面板
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9853210B2 (en) * 2015-11-17 2017-12-26 International Business Machines Corporation Reduced process degradation of spin torque magnetoresistive random access memory
KR20180123028A (ko) 2016-03-11 2018-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장비, 상기 반도체 장치의 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
CN108780756B (zh) 2016-03-18 2021-10-22 株式会社理光 用于制造场效应晶体管的方法
JP2017175022A (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ
TWI778959B (zh) 2017-03-03 2022-10-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
CN107516647B (zh) * 2017-08-18 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109891559B (zh) * 2017-09-05 2023-04-07 株式会社爱发科 半导体装置的制造方法
US11107929B2 (en) * 2018-12-21 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11121263B2 (en) 2019-08-27 2021-09-14 Apple Inc. Hydrogen trap layer for display device and the same
JP2021044426A (ja) 2019-09-12 2021-03-18 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
KR102867626B1 (ko) 2020-03-18 2025-10-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP2024000908A (ja) * 2022-06-21 2024-01-09 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体記憶装置
CN115835682A (zh) * 2022-11-25 2023-03-21 合肥京东方卓印科技有限公司 封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63101740A (ja) 1986-10-17 1988-05-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 縦型電界効果トランジスタ型ガスセンサ
JP3445187B2 (ja) * 1999-08-03 2003-09-08 キヤノン株式会社 半導体素子の欠陥補償方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP2002206168A (ja) * 2000-10-24 2002-07-26 Canon Inc シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系半導体層の形成方法及び光起電力素子
US6858308B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element, and method of forming silicon-based film
JP2003007629A (ja) * 2001-04-03 2003-01-10 Canon Inc シリコン系膜の形成方法、シリコン系膜および半導体素子
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP2004289034A (ja) * 2003-03-25 2004-10-14 Canon Inc 酸化亜鉛膜の処理方法、それを用いた光起電力素子の製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
JP4873528B2 (ja) * 2005-09-02 2012-02-08 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製造方法
JP4870403B2 (ja) 2005-09-02 2012-02-08 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP4870404B2 (ja) 2005-09-02 2012-02-08 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP3614442A3 (de) * 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiterbauelement mit halbleiteroxidschicht und herstellungsverfahren dafür
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
JP5099740B2 (ja) 2005-12-19 2012-12-19 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ
JP5015471B2 (ja) * 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220818A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP5127183B2 (ja) * 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5305630B2 (ja) * 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
JP5105842B2 (ja) * 2006-12-05 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
JP5354862B2 (ja) * 2007-02-19 2013-11-27 キヤノン株式会社 アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ
US20090050953A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Macronix International Co., Ltd. Non-volatile memory device and method for manufacturing the same
JP5443873B2 (ja) * 2008-07-28 2014-03-19 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US8129718B2 (en) * 2008-08-28 2012-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI422034B (zh) 2014-01-01
CN101884109B (zh) 2011-12-28
WO2009072532A1 (en) 2009-06-11
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EP2195849B1 (de) 2011-03-23
DE602008005773D1 (de) 2011-05-05
US8502217B2 (en) 2013-08-06

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