MD2859C2 - Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) - Google Patents
Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- MD2859C2 MD2859C2 MDA20040198A MD20040198A MD2859C2 MD 2859 C2 MD2859 C2 MD 2859C2 MD A20040198 A MDA20040198 A MD A20040198A MD 20040198 A MD20040198 A MD 20040198A MD 2859 C2 MD2859 C2 MD 2859C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- materials
- nanocomposites
- obtaining
- carried out
- nanostructurized
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract 13
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 title abstract 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронике, в частности к нанотехнологии получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов.Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов по первому варианту включает нанесение химических компонентов на подложку в присутствии ультрафиолетовых лучей. Затем осуществляют быструю фототермическую обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например, с кислородом.Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов по второму варианту включает нанесение химических компонентов на подложку в присутствии ультрафиолетовых лучей, а одновременно с нанесением химических компонентов осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорной или акцепторной примесью. Затем осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов по третьему варианту включает нанесение химических компонентов на подложку в присутствии ультрафиолетовых лучей, затем осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорной или акцепторной примесью и одновременно с легированием осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например, с кислородом.Нанотехнология получения наноструктурированых материалов и нанокомпозитов по четвертому варианту включает нанесение химических компонентов на подложку в присутствии ультрафиолетовых лучей, затем осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной примесью донорной или акцепторной. Концентрация примесей, введенных при легировании составляет максимально возможную для полученного материала. Последующая фототермическая быстрая обработка полученных материалов осуществляется в условиях понижения от температуры легирования до температуры окружающей среды в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например, с кислородом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040198A MD2859C2 (ru) | 2004-08-12 | 2004-08-12 | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040198A MD2859C2 (ru) | 2004-08-12 | 2004-08-12 | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD2859B1 MD2859B1 (en) | 2005-09-30 |
| MD2859C2 true MD2859C2 (ru) | 2006-07-31 |
Family
ID=35057534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20040198A MD2859C2 (ru) | 2004-08-12 | 2004-08-12 | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD2859C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4294C1 (ru) * | 2013-02-06 | 2015-02-28 | Государственный Университет Молд0 | Способ получения нанокомпозитов на основе нанотрубок из диоксида титана и устройство для его осуществления |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001895A1 (en) * | 1997-07-01 | 1999-01-14 | Steag Rtp Systems Gmbh | Method for rapid thermal processing (rtp) of a silicon substrate |
| US6471848B1 (en) * | 1998-02-17 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrodeposition method of forming an oxide film |
| US6569518B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-05-27 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for electrochemical and energy devices |
-
2004
- 2004-08-12 MD MDA20040198A patent/MD2859C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999001895A1 (en) * | 1997-07-01 | 1999-01-14 | Steag Rtp Systems Gmbh | Method for rapid thermal processing (rtp) of a silicon substrate |
| US6471848B1 (en) * | 1998-02-17 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrodeposition method of forming an oxide film |
| US6569518B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-05-27 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for electrochemical and energy devices |
| US6576355B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-06-10 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for electronic and opto-electronic devices |
| US6607821B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-08-19 | Nanoproducts Corporation | Applications and devices based on nanostructured non-stoichiometric substances |
| US6607779B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-08-19 | Nanoproducts Corporation | Nanotechnology for photonic and optical components |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD2859B1 (en) | 2005-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2006091588A3 (en) | Etching chamber with subchamber | |
| TW200501222A (en) | Processing apparatus, manufacturing apparatus, processing method, and manufacturing method of electronic device | |
| TW200707582A (en) | Method for forming silicon oxide containing films | |
| WO2006138103A3 (en) | Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition | |
| TW200601482A (en) | Load port | |
| TW200516168A (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| BR9901287A (pt) | Aparelho de deposição por vapor quìmico para deposso de deposição por vapor quìmico. | |
| MY148631A (en) | Apparatus and methods for transporting and processing substrates | |
| MY158201A (en) | Multilayered material and method of producing the same | |
| EP1195450A3 (en) | Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein | |
| SG171631A1 (en) | A method for the manufacture of a coating | |
| CN1218370C (zh) | 热处理装置 | |
| WO2006009278A1 (ja) | シリコンウエハ基板係止ステージ、シリコンウエハ基板温度測定法 | |
| WO2006009278A3 (ja) | シリコンウエハ基板係止ステージ、シリコンウエハ基板温度測定法 | |
| TW200746297A (en) | Method of fabrication semiconductor device | |
| KR890012378A (ko) | 실리콘계 보호막을 사용한 반도체 장치의 제조방법 | |
| Himmerlich et al. | Morphology and surface electronic structure of MBE grown InN | |
| WO2007048963A3 (fr) | Procede de traitement d'un substrat | |
| TW200833886A (en) | Method for manufacture of III-V family chemical compound semiconductor | |
| WO2006104819A3 (en) | A method and system for removing an oxide from a substrate | |
| MD2859C2 (ru) | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) | |
| MD3029B1 (en) | Process for sensor obtaining (variants) | |
| WO2009001466A1 (ja) | 熱処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| MD3894G2 (ru) | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников | |
| Nakayama et al. | Super H2O-barrier film using Cat-CVD (HWCVD)-grown SiCN for film-based electronics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |