MD3894G2 - Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников - Google Patents
Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников Download PDFInfo
- Publication number
- MD3894G2 MD3894G2 MDA20080056A MD20080056A MD3894G2 MD 3894 G2 MD3894 G2 MD 3894G2 MD A20080056 A MDA20080056 A MD A20080056A MD 20080056 A MD20080056 A MD 20080056A MD 3894 G2 MD3894 G2 MD 3894G2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- base
- vitreous
- gas sensor
- gas
- chalcogenide semiconductors
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 4
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052958 orpiment Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 abstract 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к газовым датчикам, и может быть использовано для детектирования токсичных газов в атмосфере.Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников включает изолирующую подложку, на которой последовательно расположены электродный слой, газочувствительный слой и электрод с малой площадью. Причем газочувствительный слой представляет собой наноразмерную пленку, осажденную методом испарения в вакууме As2S3,As2Se3,или их твердых растворов, а поверхность пленки выполнена пористой посредством химического травления.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20080056A MD3894G2 (ru) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20080056A MD3894G2 (ru) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3894F1 MD3894F1 (en) | 2009-04-30 |
| MD3894G2 true MD3894G2 (ru) | 2010-01-31 |
Family
ID=40901727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20080056A MD3894G2 (ru) | 2008-02-22 | 2008-02-22 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3894G2 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
| RU2625827C1 (ru) * | 2016-04-15 | 2017-07-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет" | Способ формирования электропроводящих плёнок, селективных по отношению к содержанию влаги в воздушной среде, путём взаимодействия на поверхности оксидных стёкол водорастворимого полимера и гексацианоферрата (ii) калия |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4001G2 (ru) * | 2008-05-14 | 2010-07-31 | Государственный Университет Молд0 | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников |
| MD4495C1 (ru) * | 2016-09-09 | 2018-01-31 | Николай АБАБИЙ | Сенсор этанола на основе оксида меди |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10019010A1 (de) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Lies Hans Dieter | Verwendung von chemisch sensitiven Chalkogenen und Chalkogeniden zur Detektion von gas- und dampfförmigen Analyten in Gasen |
| MD3086G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Полупроводниковый газовый сенсор |
-
2008
- 2008-02-22 MD MDA20080056A patent/MD3894G2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10019010A1 (de) * | 2000-04-17 | 2001-10-25 | Lies Hans Dieter | Verwendung von chemisch sensitiven Chalkogenen und Chalkogeniden zur Detektion von gas- und dampfförmigen Analyten in Gasen |
| MD3086G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Полупроводниковый газовый сенсор |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Madou M.J., Morrision S.R. Chemical Sensing with Solid State Devices Academic Press, Boston, 1989 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
| RU2625827C1 (ru) * | 2016-04-15 | 2017-07-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет" | Способ формирования электропроводящих плёнок, селективных по отношению к содержанию влаги в воздушной среде, путём взаимодействия на поверхности оксидных стёкол водорастворимого полимера и гексацианоферрата (ii) калия |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3894F1 (en) | 2009-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MD3894G2 (ru) | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников | |
| Hazra et al. | Hydrogen sensitivity of ZnO p–n homojunctions | |
| CN109682863B (zh) | 基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及其制备方法 | |
| US9006796B2 (en) | Method for manufacturing a sensor device of a gaseous substance of interest | |
| JP2018060995A5 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
| GB2603905A (en) | A method for the manufacture of an improved graphene substrate and applications therefor | |
| TW201130055A (en) | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2012188735A5 (ru) | ||
| CN106770585B (zh) | 一种mems固体电解质氧气传感器的加工方法 | |
| JP2010177480A5 (ru) | ||
| Capote Mastrapa et al. | Plasma‐Treated CVD Graphene Gas Sensor Performance in Environmental Condition: The Role of Defects on Sensitivity | |
| JP2013501382A5 (ru) | ||
| Zouadi et al. | CO2 detection with CNx thin films deposited on porous silicon | |
| US20060281321A1 (en) | Nanowire sensor device structures | |
| US10036717B2 (en) | Nanostructured lanthanum oxide humidity sensor | |
| WO2009141459A8 (en) | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure | |
| US20170227483A1 (en) | P-type environmental stimulus sensor | |
| SG10201705211VA (en) | Electrochemical sensor for detecting gases | |
| MD4001G2 (ru) | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников | |
| EP2981816B1 (en) | Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode | |
| TWI267166B (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| Martha et al. | Design and analysis of a vertically extended gate field effect transistor (VEG-FET)-based hydrogen gas sensor: a comprehensive modeling and simulation approach | |
| Hong et al. | Interplay between temperature effects and surface recombination process in UV photoresponse of ZnO nanowires | |
| Prajapati et al. | Growth Optimization, Morphological, Electrical and Sensing Characterization of V 2 O 5 Films for SO 2 Sensor Chip | |
| MD2220C2 (ru) | Гетеропереходный датчик токсических газов |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |