MD3692G2 - Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя - Google Patents

Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя Download PDF

Info

Publication number
MD3692G2
MD3692G2 MDA20070121A MD20070121A MD3692G2 MD 3692 G2 MD3692 G2 MD 3692G2 MD A20070121 A MDA20070121 A MD A20070121A MD 20070121 A MD20070121 A MD 20070121A MD 3692 G2 MD3692 G2 MD 3692G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thermoelectrode
thermoelectric converter
stannum
bismuth
stibium
Prior art date
Application number
MDA20070121A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3692F1 (en
Inventor
Павел БОДЮЛ
Думитру ГИЦУ
Альбина НИКОЛАЕВА
Леонид КОНОПКО
Ион ПОПОВ
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070121A priority Critical patent/MD3692G2/ru
Publication of MD3692F1 publication Critical patent/MD3692F1/xx
Publication of MD3692G2 publication Critical patent/MD3692G2/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления термоэлектродов для термоэлектрических преобразователей.Термоэлектрод изготовлен из полупроводникового анизотропного материала в виде нити в стеклянной изоляции. При этом нить изготовлена из состава висмута-сурьмы, легированного оловом, в соотношении: олово - 0,01…0,03 at. %, сурьма - 10…15 at. %, висмут - остальное.
MDA20070121A 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя MD3692G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070121A MD3692G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070121A MD3692G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3692F1 MD3692F1 (en) 2008-08-31
MD3692G2 true MD3692G2 (ru) 2009-03-31

Family

ID=39740109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070121A MD3692G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3692G2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD542Z (ru) * 2012-01-13 2013-03-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута
RU2615211C2 (ru) * 2012-06-25 2017-04-04 Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх Трубчатый термоэлектрический модуль и способ изготовления его конструктивного элемента

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
EA002073B1 (ru) * 1998-10-06 2001-12-24 Исаак Аронович Орентлихерман Пьезопреобразователь
EA004668B1 (ru) * 2000-06-07 2004-06-24 Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг Электромеханический преобразователь

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
EA002073B1 (ru) * 1998-10-06 2001-12-24 Исаак Аронович Орентлихерман Пьезопреобразователь
EA004668B1 (ru) * 2000-06-07 2004-06-24 Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг Электромеханический преобразователь

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD542Z (ru) * 2012-01-13 2013-03-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута
RU2615211C2 (ru) * 2012-06-25 2017-04-04 Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх Трубчатый термоэлектрический модуль и способ изготовления его конструктивного элемента

Also Published As

Publication number Publication date
MD3692F1 (en) 2008-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602008005773D1 (de) Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben
WO2008054854A3 (en) Thermoelectric nanotube arrays
TWI348710B (en) Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
JP2011243976A5 (ja) 半導体装置
ATE371691T1 (de) Silsesquioxanharzwachs
WO2011075714A3 (en) Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
GB2523684A (en) Conversion of thin transistor elements from silicon to silicon germanium
JP2011142309A5 (ja) 半導体装置の作製方法
UA107582C2 (uk) Таблетований препарат (4'-трифторметилфеніл)аміду (z)-2-ціано-гідроксибут-2-еноєвої кислоти з поліпшеною стійкістю
EA201390962A1 (ru) Нагревательный элемент из восстановленной керамики
WO2011106075A3 (en) A microelectronic structure including a low k dielectric and a method of controlling carbon distribution in the structure
TW200731406A (en) Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility
JP2012114421A5 (ja) 半導体装置
TW201614848A (en) Field effect transistor and semiconductor device
WO2012058340A3 (en) HEAVILY DOPED PbSe WITH HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE
TW200636994A (en) Vertical field effect transistor
TW200613479A (en) Coating formulation having improved rheological properties
EA201171084A1 (ru) Гели, образующиеся при сдвиговой деформации, и композиции, содержащие гели, образующиеся при сдвиговой деформации
PL403160A1 (pl) Ceramizująca kompozycja silikonowa na osłony przewodów elektrycznych
PH12015501530B1 (en) Bonding capillary
RU2016125633A (ru) Электротехническая листовая сталь с изоляционным покрытием
WO2014011247A3 (en) Electrode materials and configurations for thermoelectric devices
MD3692G2 (ru) Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя
TW200943532A (en) Semiconductor device and fabrication process thereof
MD3693G2 (ru) Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees