MD3693G2 - Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя - Google Patents

Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя Download PDF

Info

Publication number
MD3693G2
MD3693G2 MDA20070122A MD20070122A MD3693G2 MD 3693 G2 MD3693 G2 MD 3693G2 MD A20070122 A MDA20070122 A MD A20070122A MD 20070122 A MD20070122 A MD 20070122A MD 3693 G2 MD3693 G2 MD 3693G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
thermoelectrode
thermoelectric converter
wire
thermoelectrodes
stannum
Prior art date
Application number
MDA20070122A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3693F1 (en
Inventor
Павел БОДЮЛ
Думитру ГИЦУ
Альбина НИКОЛАЕВА
Леонид КОНОПКО
Анна ЦУРКАН
Original Assignee
Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20070122A priority Critical patent/MD3693G2/ru
Publication of MD3693F1 publication Critical patent/MD3693F1/xx
Publication of MD3693G2 publication Critical patent/MD3693G2/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления термоэлектродов для термоэлектрических преобразователей.Термоэлектрод изготовлен из полупроводникового анизотропного материала в виде нити в стеклянной изоляции. При этом нить изготовлена из висмута, легированного оловом, в соотношении 0,01…0,08 at. %.
MDA20070122A 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя MD3693G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070122A MD3693G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20070122A MD3693G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3693F1 MD3693F1 (en) 2008-08-31
MD3693G2 true MD3693G2 (ru) 2009-03-31

Family

ID=39740110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20070122A MD3693G2 (ru) 2007-04-28 2007-04-28 Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3693G2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD323Z (ru) * 2009-12-29 2011-08-31 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Термоэлектрический микропровод в стеклянной изоляции
MD542Z (ru) * 2012-01-13 2013-03-31 ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ИНЖЕНЕРИИ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ "D. Ghitu" АНМ Термоэлектрический анизотропный материал на основе висмута

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
EA002073B1 (ru) * 1998-10-06 2001-12-24 Исаак Аронович Орентлихерман Пьезопреобразователь
EA004668B1 (ru) * 2000-06-07 2004-06-24 Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг Электромеханический преобразователь

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU463008A1 (ru) * 1972-05-10 1975-03-05 Кишиневский Научно-Исследовательский Институт Электроприборостроения Термоэлектрический преобразователь
SU1253358A1 (ru) * 1984-09-18 1996-01-10 Ереванский политехнический институт им.К.Маркса Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления
EA002073B1 (ru) * 1998-10-06 2001-12-24 Исаак Аронович Орентлихерман Пьезопреобразователь
EA004668B1 (ru) * 2000-06-07 2004-06-24 Эндресс+Хаузер Гмбх+Ко.Кг Электромеханический преобразователь

Also Published As

Publication number Publication date
MD3693F1 (en) 2008-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011243976A5 (ja) 半導体装置
JP2011100995A5 (ja) 半導体装置
TWI348710B (en) Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
WO2007133894A3 (en) Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching
WO2009094537A3 (en) Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
WO2009055572A3 (en) Semiconductor structure and method of manufacture
JP2011142309A5 (ja) 半導体装置の作製方法
ATE503273T1 (de) Oxidhalbleitervorrichtung mit isolierungsschicht und anzeigevorrichtung unter benutzung derselben
JP2010212672A5 (ja) 半導体装置
JP2011054949A5 (ja) 半導体装置
WO2008147433A3 (en) Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain
TW200711108A (en) Semiconductor memory device with dielectric structure and method for fabricating the same
EA201390962A1 (ru) Нагревательный элемент из восстановленной керамики
JP2012199534A5 (ru)
TW200731406A (en) Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility
WO2011075714A3 (en) Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
WO2009017856A3 (en) Semiconductor nanowire thermoelectric materials and devices, and processes for producing same
WO2012058340A3 (en) HEAVILY DOPED PbSe WITH HIGH THERMOELECTRIC PERFORMANCE
TW200636994A (en) Vertical field effect transistor
WO2011106075A3 (en) A microelectronic structure including a low k dielectric and a method of controlling carbon distribution in the structure
WO2013018016A3 (en) A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5
JP2011130424A5 (ru)
MD3692G2 (ru) Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя
MD3693G2 (ru) Термоэлектрод для термоэлектрического преобразователя
TW200943416A (en) Semiconductor structure and method of manufacture

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees