MD4001G2 - Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников - Google Patents

Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников Download PDF

Info

Publication number
MD4001G2
MD4001G2 MDA20080129A MD20080129A MD4001G2 MD 4001 G2 MD4001 G2 MD 4001G2 MD A20080129 A MDA20080129 A MD A20080129A MD 20080129 A MD20080129 A MD 20080129A MD 4001 G2 MD4001 G2 MD 4001G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
base
vitreous
gas sensor
chalcogenide
gas
Prior art date
Application number
MDA20080129A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD4001F1 (en
Inventor
Сергей ДМИТРИЕВ
Игорь ДЕМЕНТЬЕВ
Татьяна ГОГЛИДЗЕ
Аркадий КИРИЦА
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MDA20080129A priority Critical patent/MD4001G2/ru
Publication of MD4001F1 publication Critical patent/MD4001F1/xx
Publication of MD4001G2 publication Critical patent/MD4001G2/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к газовым датчикам, и может быть использовано для детектирования токсичных газов в атмосфере.Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников содержит изолирующую подложку, на которой последовательно расположены газочувствительный слой на основе халькогенидного стеклообразного полупроводника, полученный методом испарения в вакууме As2S3, As2Se3 или их твердых растворов, и два электрода. При этом газочувствительный слой имеет рельефную поверхность строгой периодичности, выполненную в виде дифракционной решетки голографическим методом.
MDA20080129A 2008-05-14 2008-05-14 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников MD4001G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080129A MD4001G2 (ru) 2008-05-14 2008-05-14 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20080129A MD4001G2 (ru) 2008-05-14 2008-05-14 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD4001F1 MD4001F1 (en) 2009-12-31
MD4001G2 true MD4001G2 (ru) 2010-07-31

Family

ID=43568868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20080129A MD4001G2 (ru) 2008-05-14 2008-05-14 Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD4001G2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD4495C1 (ru) * 2016-09-09 2018-01-31 Николай АБАБИЙ Сенсор этанола на основе оксида меди

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1797027A1 (ru) * 1990-07-27 1993-02-23 Ni Elektrotekh I Полупроводниковый датчик состава газов и способ его изготовления
SU1797028A1 (ru) * 1991-01-30 1993-02-23 Kh Vni Pk I Problemam Osvoeniy Способ изготовления газового датчика
DE10019010A1 (de) * 2000-04-17 2001-10-25 Lies Hans Dieter Verwendung von chemisch sensitiven Chalkogenen und Chalkogeniden zur Detektion von gas- und dampfförmigen Analyten in Gasen
MD2220C2 (ru) * 2000-09-28 2004-01-31 Валериу МИРОН Гетеропереходный датчик токсических газов
MD3894F1 (en) * 2008-02-22 2009-04-30 Universitatea De Stat Din Moldova Gas sensor on base of vitreous chalcogenide semiconductors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1797027A1 (ru) * 1990-07-27 1993-02-23 Ni Elektrotekh I Полупроводниковый датчик состава газов и способ его изготовления
SU1797028A1 (ru) * 1991-01-30 1993-02-23 Kh Vni Pk I Problemam Osvoeniy Способ изготовления газового датчика
DE10019010A1 (de) * 2000-04-17 2001-10-25 Lies Hans Dieter Verwendung von chemisch sensitiven Chalkogenen und Chalkogeniden zur Detektion von gas- und dampfförmigen Analyten in Gasen
MD2220C2 (ru) * 2000-09-28 2004-01-31 Валериу МИРОН Гетеропереходный датчик токсических газов
MD3894F1 (en) * 2008-02-22 2009-04-30 Universitatea De Stat Din Moldova Gas sensor on base of vitreous chalcogenide semiconductors

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Capone S., Forleo A., Francisoso L. et al. Solid State Gas Sensors: State of the Art and Future Activities. J. of Optoelectronics and Advanced Materials, v. 5, 2003, p. 1335-1348 *
Capone, A. Forleo, L. Francisoso et al, Solid State Gas Sensors: State of the Art and Future Activities, J. of Optoelectronics and Advanced Materials, v. 5, 2003, p. 1335-1348 *

Also Published As

Publication number Publication date
MD4001F1 (en) 2009-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY162679A (en) Thin silicon solar cell and method of manufacture
EP4269996A3 (en) Depositing a passivation layer on a graphene sheet
WO2011093995A3 (en) Gcib-treated resistive device
FR2982422B1 (fr) Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
MY177552A (en) A method of fabricating a resistive gas sensor device
WO2010059434A3 (en) Methods for forming a conductive material, methods for selectively forming a conductive material, methods for forming platinum, and methods for forming conductive structures
MD3894G2 (ru) Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников
MY156411A (en) A method of cleaning the surface of a silicon substrate
EP2495641A3 (en) Touch sensitive device and fabrication method thereof
WO2012105800A3 (ko) 나노전력발전소자 및 이의 제조방법
SG162653A1 (en) Method for fabricating a semiconductor substrate and semiconductor substrate
JP2010177480A5 (ru)
WO2010088348A3 (en) Methods for forming conformal oxide layers on semiconductor devices
EP2781022A4 (en) QUARTZ SUBSTRATORIENTATIONS FOR A COMPACT MONOLITHIC DIFFERENTIAL TEMPERATURE SENSOR AND SENSORS THEREWITH
WO2011095560A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle
TW200943388A (en) Method of forming an embedded silicon carbon epitaxial layer
FI20115321A0 (fi) Menetelmä yhden tai useamman monikiteisen piikerroksen kerrrostamiseksi substraatille
JP2010186852A5 (ru)
JP2013057526A5 (ru)
IN2012DN02992A (ru)
MD4001G2 (ru) Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников
TW200704582A (en) Semiconductor composite device and method of manufacturing the same
JP2010087495A5 (ja) 光電変換装置の作製方法
FR2963355B1 (fr) Films minces nanoorganises a base de copolymeres a blocs polysaccharidiques pour des applications en nanotechnologie.
JP2009094490A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees