MD4347C1 - Senzor de gaze pe bază de MoO3 - Google Patents
Senzor de gaze pe bază de MoO3 Download PDFInfo
- Publication number
- MD4347C1 MD4347C1 MDA20140071A MD20140071A MD4347C1 MD 4347 C1 MD4347 C1 MD 4347C1 MD A20140071 A MDA20140071 A MD A20140071A MD 20140071 A MD20140071 A MD 20140071A MD 4347 C1 MD4347 C1 MD 4347C1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- sensor
- moo3
- ethanol
- sensitive
- sensitivity
- Prior art date
Links
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor oxizi, în particular la senzori de gaze pe bază de oxid de molibden.Senzorul de gaze pe bază de MoO3 include un substrat dielectric, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat senzitiv din MoO3, cu contacte ohmice depuse pe acesta, formând zona senzitivă, iar pe suprafaţa opusă a substratului este depus un element de încălzire. Stratul senzitiv este executat în formă de o bandă nanocristalină cu grosimea de 150 nm şi lăţimea zonei senzitive de 150 µm.
Description
Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor oxizi, în particular la senzori de gaze pe bază de oxid de molibden.
Senzorul de gaze include un suport dielectric, pe suprafaţa căruia este depusă o peliculă sau o nanostructură sensibilă la gaze, şi este înzestrat cu două contacte ohmice. Pe suprafaţa opusă este amplasat un element de încălzire. În majoritatea cazurilor în calitate de element senzitiv la gaze se utilizează oxizi metalici sau amestecuri ale acestora, de exemplu ZnO, SnO2, MoO3, ZnO-SnO2 etc.
Sunt cunoscuţi nişte senzori de gaze pe baza peliculelor nanostructurate de MoO3 cu impurităţi de ZnO (1, 10 şi 25%) [1].
Dezavantajele acestor senzori sunt sensibilitatea mică (17…38%) la concentraţia etanolului în aer mare (250…500 ppm), şi timpuri mari de răspuns/recuperare ((30…75 s)/(25…70 s)).
Este cunoscut un senzor de etanol pe baza unui monocristal de MoO3, obţinut pe cale chimică timp de 6 zile, care se caracterizează printr-o sensibilitate la etanol de 8…12% la concentraţia etanolului în aer de 100 ppm [2].
Dezavantajul acestui senzor este temperatura înaltă de operare (260…400°C).
Cea mai apropiată soluţie este un senzor de gaze pe bază de MoO3, care include un substrat dielectric, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat senzitiv de MoO3, cu contacte ohmice depuse sub acesta, iar pe suprafaţa opusă a substratului este depus un element de încălzire [3].
Dezavantajul acestui senzor este timpul mare de răspuns/recuperare (zeci de minute) la temperatura de operare de 300°C.
Problema pe care o rezolvă invenţia propusă constă în elaborarea unui senzor de gaze sensibil la etanol şi hidrogen la diferite temperaturi de operare, cu o sensibilitate înaltă şi timp mic de răspuns/recuperare.
Dispozitivul, conform invenţiei, înlătură dezavantajele menţionate mai sus prin aceea că include un substrat dielectric, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat senzitiv din MoO3, cu contacte ohmice depuse pe acesta, formând zona senzitivă, iar pe suprafaţa opusă a substratului este depus un element de încălzire, caracterizat prin aceea că stratul senzitiv este executat în formă de o bandă nanocristalină cu grosimea de 150 nm şi lăţimea zonei senzitive de 150 µm.
Invenţia se explică prin desenele din fig. 1-4 care reprezintă:
- fig. 1, construcţia senzorului (1 - substratul de Al2O3; 2 - banda nanocristalină de MoO3; 3 - contacte prealabile din pasta de argint; 4 - contacte din Cr-Au; 5 - suprafaţa sensibilă a senzorului; 6 - încălzitorul);
- fig. 2, sensibilitatea senzorului la etanol;
- fig. 3, sensibilitatea senzorului la hidrogen;
- fig. 4, dependenţa sensibilităţii senzorului pentru diferite gaze la diferite temperaturi de operare.
Exemplu de realizare a invenţiei
Pe suprafaţa unui suport (fig. 1) din ceramică 1 se fixează prealabil o bandă nanocristalină din MoO3 2, cu ajutorul pastei de argint 3. Banda are o grosime de 100…200 nm. Contactele din Cr-Au 4 se depun prin vaporizarea termică în vid. În calitate de mască pe suprafaţa benzii se fixează o sârmă din Cu cu diametrul de 150 µm. În aşa mod se formează regiunea sensibilă la gaze 5. Pe partea opusă a senzorului este confecţionat un element de încălzire 6 prin depunere serigrafică a pastei rezistive în formă de „meandru”. Caracteristica curent-tensiune a senzorului este liniară, fapt ce demonstrează că contactele din Cr-Au sunt ohmice şi nu influenţează asupra conductibilităţii senzorului. Sensibilitatea senzorului la etanol este arătată în fig. 2, unde Gg este conductibilitatea electrică a senzorului în prezenţa etanolului în aer; Ga - conductibilitatea senzorului în prezenţa aerului. Măsurările au fost efectuate la concentraţia etanolului în aer de 10 ppm şi temperatura de operare de 100…120°C. Cum se vede din fig. 2, sensibilitatea senzorului la etanol este egală cu 15%, iar timpul de răspuns/recuperare este egal cu 7/15 s. Mecanismul de sesizare a etanolului poate fi lămurit prin următoarele reacţii:
C2H5OH → C2H5OHabs → C2H5OH + + e- (1)
Reacţia globală a senzorului, care descrie răspunsul la etanol, poate fi interpretată astfel:
C2H5OH + O → CH3CHO + H2O + V0 2+ + 2e- (2)
unde V0 2+ - loc vacant de oxigen cu 2 sarcini pozitive.
Acelaşi senzor, încălzit până la temperatura de 300…350°C, îşi măreşte sensibilitatea la hidrogen. Cum se poate observa din fig. 3, sensibilitatea senzorului la H2 atinge valoarea de 40% şi un timp mic de răspuns/recuperare.
Mecanismul de sesizare a senzorului la H2 poate fi explicat astfel:
2H(abs) + O0(s) → H2O(abs) + V0 2+ + 2e- (3)
Fig. 4 arată modificarea sensibilităţii senzorului la diferite gaze în funcţie de temperatura de operare. Cum se poate observa din fig. 4, sensibilitatea senzorului la H2 se măreşte de la 20% (temperatura de operare de 100°C) până la 40% (temperatura de operare de 300°C). Adică acelaşi senzor pe baza unei benzi din MoO3 cu grosimea 150 nm poate fi utilizat pentru detectarea etanolului la temperatura de operare de 100°C şi pentru detectarea hidrogenului la temperatura de operare de 300°C.
1. Navas Illyaskutty et al. Enhanced ethanol sensing response from nanostructured MoO3 : ZnO thin films and their mechanism of sensing, Materials Chemistry C, 2013, p. 3976 - 3984
2. Chen D. et al. Single - crystalline MoO3 nanoplates: topochemical synthesis and enhanced ethanol-sensing performance. J. Material Chemistry, 21, 2011, p. 9332 - 9342
3. Navas Illyaskutty et al. Hydrogen and ethanol sensing properties of molybdenum oxide nanorods thin films: Effect of electrode metallization and humid ambiance. Sensors and actuators B: Chemical, 187, 2013, p. 611 - 621
Claims (1)
- Senzor de gaze pe bază de MoO3, care include un substrat dielectric, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat senzitiv din MoO3, cu contacte ohmice depuse pe acesta, formând zona senzitivă, iar pe suprafaţa opusă a substratului este depus un element de încălzire, caracterizat prin aceea că stratul senzitiv este executat în formă de o bandă nanocristalină cu grosimea de 150 nm şi lăţimea zonei senzitive de 150 µm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20140071A MD4347C1 (ro) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | Senzor de gaze pe bază de MoO3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20140071A MD4347C1 (ro) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | Senzor de gaze pe bază de MoO3 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4347B1 MD4347B1 (ro) | 2015-04-30 |
| MD4347C1 true MD4347C1 (ro) | 2015-11-30 |
Family
ID=53002926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20140071A MD4347C1 (ro) | 2014-07-15 | 2014-07-15 | Senzor de gaze pe bază de MoO3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4347C1 (ro) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4495C1 (ro) * | 2016-09-09 | 2018-01-31 | Николай АБАБИЙ | Senzor de etanol pe bază de oxid de cupru |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851222A1 (en) * | 1996-12-31 | 1998-07-01 | Corning Incorporated | Metal oxide semiconductor catalyst hydrocarbon sensor |
| MD2154C2 (ro) * | 2001-11-07 | 2003-10-31 | Валериан ДОРОГАН | Senzor de gaze |
| MD2220C2 (ro) * | 2000-09-28 | 2004-01-31 | Валериу МИРОН | Sensor heterojoncţional de gaze toxice |
| MD3018G2 (ro) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Senzor de gaze |
| MD3086G2 (ro) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Senzor de gaze pe semiconductori |
| RU2294534C2 (ru) * | 2001-11-08 | 2007-02-27 | Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч | Тонкоплёночный сенсор на этанол и способ его получения |
| JP2008224447A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 酸化モリブデン薄膜の製造方法及び化学センサ |
| CN101723462A (zh) * | 2009-10-30 | 2010-06-09 | 陕西科技大学 | 一种纤维状MoO3纳米带的制备方法 |
| US7981215B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-07-19 | The Research Foundation Of State University Of New York | Electrospun single crystal MoO3 nanowires for bio-chem sensing probes |
| US20120094124A1 (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | Pelagia-Irene Gouma | ELECTROSPUN SINGLE CRYSTAL MoO3 NANOWIRES FOR BIO-CHEM SENSING PROBES |
| CN102621186B (zh) * | 2012-04-11 | 2013-07-10 | 孔祥吉 | 一种汽油传感器及其制作方法 |
| UA85925U (uk) * | 2013-05-07 | 2013-12-10 | Львовский Национальный Университет Имени Ивана Франка | Резистивний сенсор етанолу |
| MD712Z (ro) * | 2013-03-26 | 2014-07-31 | Технический университет Молдовы | Procedeu de obţinere a nanostructurilor de MoO3 |
-
2014
- 2014-07-15 MD MDA20140071A patent/MD4347C1/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851222A1 (en) * | 1996-12-31 | 1998-07-01 | Corning Incorporated | Metal oxide semiconductor catalyst hydrocarbon sensor |
| MD2220C2 (ro) * | 2000-09-28 | 2004-01-31 | Валериу МИРОН | Sensor heterojoncţional de gaze toxice |
| MD2154C2 (ro) * | 2001-11-07 | 2003-10-31 | Валериан ДОРОГАН | Senzor de gaze |
| RU2294534C2 (ru) * | 2001-11-08 | 2007-02-27 | Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч | Тонкоплёночный сенсор на этанол и способ его получения |
| MD3018G2 (ro) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Senzor de gaze |
| MD3086G2 (ro) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Senzor de gaze pe semiconductori |
| US7981215B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-07-19 | The Research Foundation Of State University Of New York | Electrospun single crystal MoO3 nanowires for bio-chem sensing probes |
| JP2008224447A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 酸化モリブデン薄膜の製造方法及び化学センサ |
| US20120094124A1 (en) * | 2008-11-19 | 2012-04-19 | Pelagia-Irene Gouma | ELECTROSPUN SINGLE CRYSTAL MoO3 NANOWIRES FOR BIO-CHEM SENSING PROBES |
| CN101723462A (zh) * | 2009-10-30 | 2010-06-09 | 陕西科技大学 | 一种纤维状MoO3纳米带的制备方法 |
| CN102621186B (zh) * | 2012-04-11 | 2013-07-10 | 孔祥吉 | 一种汽油传感器及其制作方法 |
| MD712Z (ro) * | 2013-03-26 | 2014-07-31 | Технический университет Молдовы | Procedeu de obţinere a nanostructurilor de MoO3 |
| UA85925U (uk) * | 2013-05-07 | 2013-12-10 | Львовский Национальный Университет Имени Ивана Франка | Резистивний сенсор етанолу |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Chen D. et al. Single - crystalline MoO3 nanoplates: topochemical synthesis and enhanced ethanol-sensing performance. J. Material Chemistry, 21, 2011, p. 9332 - 9342 * |
| Navas Illyaskutty et al. Enhanced ethanol sensing response from nanostructured MoO3 : ZnO thin films and their mechanism of sensing, Materials Chemistry C, 2013, p. 3976 - 3984 * |
| Navas Illyaskutty et al. Hydrogen and ethanol sensing properties of molybdenum oxide nanorods thin films: Effect of electrode metallization and humid ambiance. Sensors and actuators B: Chemical, 187, 2013, p. 611 - 621 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4347B1 (ro) | 2015-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ngoc et al. | Self-heated Ag-decorated SnO2 nanowires with low power consumption used as a predictive virtual multisensor for H2S-selective sensing | |
| KR101500671B1 (ko) | 그래핀 산화물을 이용한 유연 투명 화학 센서 및 그 제조방법 | |
| EP2894447B1 (en) | Temperature sensor | |
| KR101972201B1 (ko) | 온도 센서 | |
| Datta et al. | Vacuum deposited WO3 thin films based sub-ppm H2S sensor | |
| JP2006528766A (ja) | ガスセンサ及びガスセンサを製造するための方法 | |
| Niigata et al. | Temperature dependence of sensing characteristics of a pH sensor fabricated on AlGaN/GaN heterostructure | |
| Patil et al. | Reduced graphene oxide screen printed thick film as NO2 gas sensor at low temperature | |
| Preiß et al. | Characterization of WO3 thin films prepared by picosecond laser deposition for gas sensing | |
| MD4347C1 (ro) | Senzor de gaze pe bază de MoO3 | |
| RU133312U1 (ru) | Газовый сенсор на основе гибридных наноматериалов | |
| Cardoso et al. | Evaluation of piezoresistivity properties of sputtered ZnO thin films | |
| KR20150091479A (ko) | 기류 센서 | |
| Akbari-Saatlu et al. | H 2 S gas sensing based on SnO 2 thin films deposited by ultrasonic spray pyrolysis on Al 2 O 3 substrate | |
| Ganga Reddy et al. | Room temperature ammonia gas sensing properties of NiO thin film | |
| TWI428591B (zh) | Zinc oxide nanostructure gas sensor and its manufacturing method | |
| RU2513654C2 (ru) | Термометр сопротивления | |
| Kaur et al. | Materials engineering for chemical sensing enhancement | |
| Rivera et al. | Indium tin oxide as a dual region resistance temperature detector | |
| Shukla et al. | H2S gas sensor based on Cu doped SnO2 nanostructure | |
| Ramírez et al. | Single layer gold hotplate, printed on polyimide, with heater used as sensing current drain for metal-oxide gas sensor | |
| Dalola et al. | Planar thermoelectric generator based on metal-oxide nanowires for powering autonomous microsystems | |
| MD4423B1 (ro) | Senzor de gaze pe baza oxizilor semiconductori (variante) | |
| UA85925U (uk) | Резистивний сенсор етанолу | |
| RU141869U1 (ru) | Газочувствительный датчик |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |