MD4423B1 - Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) - Google Patents
Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- MD4423B1 MD4423B1 MDA20150001A MD20150001A MD4423B1 MD 4423 B1 MD4423 B1 MD 4423B1 MD A20150001 A MDA20150001 A MD A20150001A MD 20150001 A MD20150001 A MD 20150001A MD 4423 B1 MD4423 B1 MD 4423B1
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- gas sensor
- deposited
- film
- sensor based
- semiconductor oxides
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к газовым сенсорам на основе нанокристаллической пленки из оксида меди легированного серебром.Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов, согласно первому варианту для этанола, включает стеклянную подложку, на одной из поверхностей которой осаждена методом химического синтеза из растворов пленка Cu2O:Ag толщиной 1 µм, которая обрабатывается термически при температуре 650°C в течение 30 мин. Омические контакты осаждены на пленке и выполнены в виде меандра.Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов, согласно второму варианту для водорода, включает стеклянную подложку, на одной из поверхностей которой осаждена методом химического синтеза из растворов пленка Cu2O:Ag толщиной 1 µм, которая обрабатывается термически при температуре 450°C в течение 30 мин. Омические контакты осаждены на пленке и выполнены в виде меандра.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20150001A MD4423C1 (ru) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20150001A MD4423C1 (ru) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD4423B1 true MD4423B1 (ru) | 2016-05-31 |
| MD4423C1 MD4423C1 (ru) | 2016-12-31 |
Family
ID=56096829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20150001A MD4423C1 (ru) | 2015-01-13 | 2015-01-13 | Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD4423C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4495C1 (ru) * | 2016-09-09 | 2018-01-31 | Николай АБАБИЙ | Сенсор этанола на основе оксида меди |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2530276B2 (ja) * | 1992-09-14 | 1996-09-04 | 株式会社森製作所 | 接触燃焼式一酸化炭素センサ |
| MD2220C2 (ru) * | 2000-09-28 | 2004-01-31 | Валериу МИРОН | Гетеропереходный датчик токсических газов |
| MD2154C2 (ru) * | 2001-11-07 | 2003-10-31 | Валериан ДОРОГАН | Газовый датчик |
| MD3018G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Газовый сенсор |
| MD3086G2 (ru) * | 2005-08-10 | 2007-01-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Полупроводниковый газовый сенсор |
| US8702962B1 (en) * | 2007-05-25 | 2014-04-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Carbon dioxide gas sensors and method of manufacturing and using same |
| CN101913645B (zh) * | 2010-08-16 | 2012-07-25 | 南京大学 | Cu2O纳米晶、其制备方法、用途及酒精传感器 |
-
2015
- 2015-01-13 MD MDA20150001A patent/MD4423C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD4495C1 (ru) * | 2016-09-09 | 2018-01-31 | Николай АБАБИЙ | Сенсор этанола на основе оксида меди |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD4423C1 (ru) | 2016-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY172449A (en) | Method for producing a substrate coated with a stack including a conductive transparent oxide film | |
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| MY170170A (en) | Optoelectonic device | |
| MX2014010486A (es) | Cristal de revestimiento que refleja radiacion termica. | |
| WO2010138811A3 (en) | Method of providing a flexible semiconductor device at high temperatures and flexible semiconductor device thereof | |
| WO2012103528A3 (en) | Low-temperature fabrication of metal oxide thin films and nanomaterial-derived metal composite thin films | |
| JP2014007388A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| MY162545A (en) | Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same | |
| JP2011044696A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2014135478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| FR2963982B1 (fr) | Procede de collage a basse temperature | |
| WO2015028885A3 (en) | Device for thermally denaturing biomolecule and method for producing device | |
| MY177552A (en) | A method of fabricating a resistive gas sensor device | |
| Niigata et al. | Temperature dependence of sensing characteristics of a pH sensor fabricated on AlGaN/GaN heterostructure | |
| WO2014039462A3 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
| GB2514711A (en) | Power semiconductor device and method for manufacturing thereof | |
| MY175806A (en) | Conductivity enhancement of solar cells | |
| Lee et al. | P-type ZnO thin-film transistors and passivation using photoelectrochemical oxidation method | |
| MD4423B1 (ru) | Газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов (варианты) | |
| WO2011160814A3 (en) | Method for creating a passivated boron-doped region, especially during production of a solar cell, and solar cell with passivated boron-diffused region | |
| MY176040A (en) | Mechanically deformed metal particles | |
| MY178132A (en) | Photovoltaic cell having an antireflective coating | |
| MY162194A (en) | Oxygen getter layer for photovoltaic devices and methods of their manufacture | |
| EP2477211A3 (en) | Method for selective deposition of a semiconductor material | |
| GB0908583D0 (en) | Semiconductor device contacts |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |