NL167548B - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori

Info

Publication number
NL167548B
NL167548B NL7409555.A NL7409555A NL167548B NL 167548 B NL167548 B NL 167548B NL 7409555 A NL7409555 A NL 7409555A NL 167548 B NL167548 B NL 167548B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
type
borium
transistor
semi
manufacturing
Prior art date
Application number
NL7409555.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7409555A (nl
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US00379408A external-priority patent/US3856578A/en
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7409555A publication Critical patent/NL7409555A/xx
Publication of NL167548B publication Critical patent/NL167548B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/21—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/202—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping characterised by the semiconductor materials
    • H10P30/204—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping characterised by the semiconductor materials into Group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/21—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically active species
    • H10P30/212—Through-implantation
NL7409555.A 1973-07-16 1974-07-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori NL167548B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00379408A US3856578A (en) 1972-03-13 1973-07-16 Bipolar transistors and method of manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7409555A NL7409555A (nl) 1975-01-20
NL167548B true NL167548B (nl) 1981-07-16

Family

ID=23497136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7409555.A NL167548B (nl) 1973-07-16 1974-07-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5050876A (fr)
BE (1) BE817664R (fr)
DE (1) DE2433839A1 (fr)
FR (1) FR2238245B2 (fr)
GB (1) GB1472997A (fr)
NL (1) NL167548B (fr)
SE (1) SE405526B (fr)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3997367A (en) * 1975-11-20 1976-12-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for making transistors
DE3174397D1 (en) * 1981-08-08 1986-05-22 Itt Ind Gmbh Deutsche Method of producing a monolithic integrated solid-state circuit with at a least one bipolar planar transistor
JPH07118484B2 (ja) * 1987-10-09 1995-12-18 沖電気工業株式会社 ショットキーゲート電界効果トランジスタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
BE817664R (fr) 1974-11-04
FR2238245B2 (fr) 1978-03-17
SE405526B (sv) 1978-12-11
DE2433839A1 (de) 1975-02-06
GB1472997A (en) 1977-05-11
SE7408945L (sv) 1975-01-17
FR2238245A2 (fr) 1975-02-14
JPS5050876A (fr) 1975-05-07
NL7409555A (nl) 1975-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL186608C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7503550A (nl) Halfgeleiderstructuur met bovenliggende collector en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke structuur.
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7504859A (nl) Geintegreerde logische injectiecelconstructie in een halfgeleider alsmede werkwijze voor het vervaardigen van deze constructie.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL158026B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7416779A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolai- re transistor en bipolaire transistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
NL161920B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL167548B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van boriumionen borium volgens een eerste verdeling en met een tweede bundel van boriumionen borium volgens een tweede verdeling te implanteren in het oppervlaktedeel en waarbij in het basisgebied een n-type emittergebied wordt gewerkwijze voor het vervaardigen van een transistor waarbij in een n-type oppervlaktedeel van een halfgeleiderlichaam een p-type basisgebied wordt gevormd door met een eerste bundel van bori
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL160983C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied.
NL7510994A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mono- lithische complementaire transistor in een p-type substraat met een hoge specifieke weer- stand.
NL162420B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een geleidend substraat.
NL179248C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met complementaire transistoren.
NL180466C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam voorzien van een in het halfgeleiderlichaam verzonken patroon van isolerend materiaal.
NL155987B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee