NL186208C - Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.

Info

Publication number: NL186208C
Authority: NL; Netherlands
Prior art keywords: manufacturing; semiconductor rectifier; fast semiconductor; fast; rectifier
Prior art date: 1977-07-11

Application number

NLAANVRAGE7807414,A

Other languages

English (en)

Dutch (nl)

Other versions

NL186208B (nl

NL7807414A (nl

Original Assignee

Gen Electric

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1977-07-11

Filing date

1978-07-10

Publication date

1990-10-01

1978-07-10 Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric

1979-01-15 Publication of NL7807414A publication Critical patent/NL7807414A/xx

1990-05-01 Publication of NL186208B publication Critical patent/NL186208B/xx

1990-10-01 Application granted granted Critical

1990-10-01 Publication of NL186208C publication Critical patent/NL186208C/xx

Links

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/90—Thermal treatments, e.g. annealing or sintering
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/046—Electron beam treatment of devices

NLAANVRAGE7807414,A 1977-07-11 1978-07-10 Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter. NL186208C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
US05/814,405 US4137099A (en)	1977-07-11	1977-07-11	Method of controlling leakage currents and reverse recovery time of rectifiers by hot electron irradiation and post-annealing treatments

Publications (3)

Publication Number	Publication Date
NL7807414A NL7807414A (nl)	1979-01-15
NL186208B NL186208B (nl)	1990-05-01
NL186208C true NL186208C (nl)	1990-10-01

Family

ID=25214968

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
NLAANVRAGE7807414,A NL186208C (nl)	1977-07-11	1978-07-10	Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.

Country Status (9)

Country	Link
US (1)	US4137099A (it)
JP (1)	JPS58191B2 (it)
BE (1)	BE868869A (it)
DE (1)	DE2829627A1 (it)
FR (1)	FR2397716A1 (it)
GB (1)	GB1587363A (it)
IT (1)	IT1096939B (it)
NL (1)	NL186208C (it)
SE (1)	SE434588B (it)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
DE2755418A1 (de) *	1977-12-13	1979-06-21	Bosch Gmbh Robert	Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements
DE3037316C2 (de) *	1979-10-03	1982-12-23	Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa	Verfahren zur Herstellung von Leistungsthyristoren
US4311534A (en) *	1980-06-27	1982-01-19	Westinghouse Electric Corp.	Reducing the reverse recovery charge of thyristors by nuclear irradiation
US4395293A (en) *	1981-03-23	1983-07-26	Hughes Aircraft Company	Accelerated annealing of gallium arsenide solar cells
DE3714357C2 (de) *	1986-04-30	1994-02-03	Toshiba Ceramics Co	Siliciumwafer und Verfahren zu dessen Herstellung und Siliziumwafer-Auswahleinrichtung
DE3639835A1 (de) *	1986-11-21	1987-04-30	Corneliu Dipl Phys Protop	Verfahren zur herstellung von hochgeschwindigkeitshalbleitern
DE19709652C2 (de) *	1997-03-10	1999-09-16	Semikron Elektronik Gmbh	Schnelle Leistungsdiode mit einer durch Bestrahlen mit beschleunigten Teilchen erzeugten Mittelzone
KR100342073B1 (ko) *	2000-03-29	2002-07-02	조중열	반도체 소자의 제조 방법
JP2008091705A (ja) *	2006-10-03	2008-04-17	Mitsubishi Electric Corp	半導体装置及びその製造方法
DE102009048773A1 (de)	2009-10-08	2011-04-21	Oxea Deutschland Gmbh	Verfahren zur Farbaufhellung von Polyolestern
JP2018006364A (ja) *	2016-06-27	2018-01-11	三菱電機株式会社	電子線照射装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
US3894890A (en) *	1972-07-17	1975-07-15	Siemens Ag	Method for improving the radiation resistance of silicon transistors
US3888701A (en) *	1973-03-09	1975-06-10	Westinghouse Electric Corp	Tailoring reverse recovery time and forward voltage drop characteristics of a diode by irradiation and annealing
US3933527A (en) *	1973-03-09	1976-01-20	Westinghouse Electric Corporation	Fine tuning power diodes with irradiation
US4056408A (en) *	1976-03-17	1977-11-01	Westinghouse Electric Corporation	Reducing the switching time of semiconductor devices by nuclear irradiation
US4043836A (en) *	1976-05-03	1977-08-23	General Electric Company	Method of manufacturing semiconductor devices
US4047976A (en) *	1976-06-21	1977-09-13	Motorola, Inc.	Method for manufacturing a high-speed semiconductor device
JPS5819125B2 (ja) *	1976-08-11	1983-04-16	株式会社日立製作所	半導体装置の製造方法
JPS5395581A (en) *	1977-02-02	1978-08-21	Hitachi Ltd	Manufacture for semiconductor device

1977
- 1977-07-11 US US05/814,405 patent/US4137099A/en not_active Expired - Lifetime
1978
- 1978-05-18 GB GB20482/78A patent/GB1587363A/en not_active Expired
- 1978-05-31 SE SE7806391A patent/SE434588B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-07-06 IT IT25430/78A patent/IT1096939B/it active
- 1978-07-06 DE DE19782829627 patent/DE2829627A1/de not_active Ceased
- 1978-07-07 FR FR7820251A patent/FR2397716A1/fr active Granted
- 1978-07-10 BE BE189178A patent/BE868869A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-07-10 NL NLAANVRAGE7807414,A patent/NL186208C/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-07-11 JP JP53083615A patent/JPS58191B2/ja not_active Expired

Also Published As

Publication number	Publication date
JPS5419369A (en)	1979-02-14
IT1096939B (it)	1985-08-26
FR2397716A1 (fr)	1979-02-09
BE868869A (fr)	1978-11-03
SE434588B (sv)	1984-07-30
JPS58191B2 (ja)	1983-01-05
GB1587363A (en)	1981-04-01
DE2829627A1 (de)	1979-01-25
NL186208B (nl)	1990-05-01
FR2397716B1 (it)	1984-04-13
NL7807414A (nl)	1979-01-15
US4137099A (en)	1979-01-30
IT7825430A0 (it)	1978-07-06
SE7806391L (sv)	1979-01-12

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
NL185376C (nl)	1990-03-16	Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL189220C (nl)	1993-02-01	Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor.
NL176818C (nl)	1985-06-03	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7810373A (nl)	1979-04-24	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL184755C (nl)	1989-10-16	Werkwijze voor de vorming van kontakten voor de verbindingsdelen van een halfgeleiderinrichting.
NL7708157A (nl)	1978-01-25	Werkwijze voor het monteren van een depper.
NL7807983A (nl)	1979-01-30	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderin- richting.
NL186478C (nl)	1990-12-03	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL187373C (nl)	1991-09-02	Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL7714492A (nl)	1978-06-30	Werkwijze voor de bereiding van een elektrokatalysator.
NL7707023A (nl)	1977-12-28	Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel.
NL7812385A (nl)	1979-07-03	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL188668C (nl)	1992-08-17	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL189251C (nl)	1993-02-16	Werkwijze voor de bereiding van een formamide.
NL7710242A (nl)	1978-03-22	Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel.
NL186208C (nl)	1990-10-01	Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.
NL182478C (nl)	1988-03-16	Werkwijze voor de bereiding van een 3-hydroxy-4h-pyron-4.
NL174452C (nl)	1984-06-18	Werkwijze voor de vervaardiging van een vermiculietprodukt.
NL7710635A (nl)	1979-04-02	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL181243C (nl)	1987-07-01	Werkwijze voor de vervaardiging van een commutator.
NL165891C (nl)	1981-05-15	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleider- inrichting.
NL7707395A (nl)	1978-01-17	Werkwijze voor de bereiding van een hydroxy- verbinding.
NL7703243A (nl)	1977-09-27	Werkwijze voor het bereiden van een wasmiddel.
NL7712427A (nl)	1978-05-17	Werkwijze voor de bereiding van een gamma-pyron.
NL176622C (nl)	1985-05-01	Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date	Code	Title
1984-10-01	BA	A request for search or an international-type search has been filed
1984-10-01	BB	A search report has been drawn up
1985-01-01	A85	Still pending on 85-01-01
1985-09-02	BC	A request for examination has been filed
1991-03-18	V2	Lapsed due to non-payment of the last due maintenance fee for the patent application