NL188435C - Werkwijze voor het bedrijven van een veldeffecttransistor met begraven kanaal. - Google Patents

Werkwijze voor het bedrijven van een veldeffecttransistor met begraven kanaal.

Info

Publication number: NL188435C
Authority: NL; Netherlands
Prior art keywords: operating; field effect; effect transistor; buried channel; buried
Prior art date: 1983-08-12

Application number

NLAANVRAGE8402474,A

Other languages

English (en)

Dutch (nl)

Other versions

NL188435B (nl

NL8402474A (nl

Original Assignee

American Telephone & Telegraph

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1983-08-12

Filing date

1984-08-10

Publication date

1992-06-16

1984-08-10 Application filed by American Telephone & Telegraph filed Critical American Telephone & Telegraph

1985-03-01 Publication of NL8402474A publication Critical patent/NL8402474A/nl

1992-01-16 Publication of NL188435B publication Critical patent/NL188435B/xx

1992-06-16 Application granted granted Critical

1992-06-16 Publication of NL188435C publication Critical patent/NL188435C/xx

Links

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/387—Devices controllable only by the variation of applied heat
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/637—Lateral IGFETs having no inversion channels, e.g. buried channel lateral IGFETs, normally-on lateral IGFETs or depletion-mode lateral IGFETs
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants

NLAANVRAGE8402474,A 1983-08-12 1984-08-10 Werkwijze voor het bedrijven van een veldeffecttransistor met begraven kanaal. NL188435C (nl)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
US52248783A	1983-08-12	1983-08-12
US52248783		1983-08-12
US55050683		1983-11-10
US06/550,506 US4472727A (en)	1983-08-12	1983-11-10	Carrier freezeout field-effect device

Publications (3)

Publication Number	Publication Date
NL8402474A NL8402474A (nl)	1985-03-01
NL188435B NL188435B (nl)	1992-01-16
NL188435C true NL188435C (nl)	1992-06-16

Family

ID=27060828

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
NLAANVRAGE8402474,A NL188435C (nl)	1983-08-12	1984-08-10	Werkwijze voor het bedrijven van een veldeffecttransistor met begraven kanaal.

Country Status (9)

Country	Link
US (1)	US4472727A (it)
JP (1)	JPH069206B2 (it)
CA (1)	CA1201536A (it)
DE (1)	DE3429577A1 (it)
FR (1)	FR2550662B1 (it)
GB (1)	GB2144913B (it)
IT (1)	IT1176606B (it)
NL (1)	NL188435C (it)
SE (1)	SE458245B (it)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
US5126830A (en) *	1989-10-31	1992-06-30	General Electric Company	Cryogenic semiconductor power devices
US5347168A (en) *	1992-08-21	1994-09-13	American Superconductor Corporation	Cryogenic electronics power supply and power sink
US5612615A (en) *	1992-08-21	1997-03-18	American Superconductor Corporation	Cryogenic electronics power supply
WO1994015364A1 (en) *	1992-12-29	1994-07-07	Honeywell Inc.	Depletable semiconductor on insulator low threshold complementary transistors
DE10061529A1 (de) *	2000-12-11	2002-06-27	Infineon Technologies Ag	Feldeffekt gesteuertes Halbleiterbauelement und Verfahren
CN103940885B (zh) *	2014-03-18	2017-11-28	复旦大学	离子敏感场效应晶体管及其制备工艺
CA3159105A1 (en) *	2019-10-28	2021-05-06	Psiquantum, Corp.	Electronic components employing field ionization

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
NL6407158A (it) *	1963-06-24	1964-12-28
US3512012A (en) *	1965-11-16	1970-05-12	United Aircraft Corp	Field effect transistor circuit
US3500137A (en) *	1967-12-22	1970-03-10	Texas Instruments Inc	Cryogenic semiconductor devices
US3502908A (en) *	1968-09-23	1970-03-24	Shell Oil Co	Transistor inverter circuit
US3644803A (en) *	1969-03-18	1972-02-22	Us Air Force	Electrical connections to low temperatures
DE2619663C3 (de) *	1976-05-04	1982-07-22	Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München	Feldeffekttransistor, Verfahren zu seinem Betrieb und Verwendung als schneller Schalter sowie in einer integrierten Schaltung
US4129880A (en) *	1977-07-01	1978-12-12	International Business Machines Incorporated	Channel depletion boundary modulation magnetic field sensor
US4274105A (en) *	1978-12-29	1981-06-16	International Business Machines Corporation	MOSFET Substrate sensitivity control
JPS5720485A (en) *	1980-07-11	1982-02-02	Mitsubishi Electric Corp	Cryogenic refrigerating plant
JPS5863168A (ja) *	1981-10-12	1983-04-14	Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt>	電界効果型半導体装置

1983
- 1983-11-10 US US06/550,506 patent/US4472727A/en not_active Expired - Lifetime
1984
- 1984-07-17 CA CA000459081A patent/CA1201536A/en not_active Expired
- 1984-08-01 SE SE8403943A patent/SE458245B/sv not_active IP Right Cessation
- 1984-08-06 FR FR8412402A patent/FR2550662B1/fr not_active Expired
- 1984-08-08 GB GB08420184A patent/GB2144913B/en not_active Expired
- 1984-08-10 IT IT22297/84A patent/IT1176606B/it active
- 1984-08-10 JP JP59166620A patent/JPH069206B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-08-10 DE DE19843429577 patent/DE3429577A1/de not_active Withdrawn
- 1984-08-10 NL NLAANVRAGE8402474,A patent/NL188435C/xx not_active IP Right Cessation

Also Published As

Publication number	Publication date
DE3429577A1 (de)	1985-02-28
US4472727A (en)	1984-09-18
GB2144913B (en)	1987-03-25
NL188435B (nl)	1992-01-16
IT8422297A0 (it)	1984-08-10
SE8403943L (sv)	1985-02-13
JPS6055667A (ja)	1985-03-30
IT1176606B (it)	1987-08-18
JPH069206B2 (ja)	1994-02-02
GB2144913A (en)	1985-03-13
SE458245B (sv)	1989-03-06
FR2550662A1 (fr)	1985-02-15
SE8403943D0 (sv)	1984-08-01
CA1201536A (en)	1986-03-04
FR2550662B1 (fr)	1988-12-23
GB8420184D0 (en)	1984-09-12
NL8402474A (nl)	1985-03-01

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
NL186831C (nl)	1991-03-01	Werkwijze voor het isoleren van een pijp.
NL194832B (nl)	2002-12-02	Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL186984C (nl)	1991-04-16	Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL193037B (nl)	1998-04-01	Werkwijze en inrichting voor het bewerken van spraak.
NL191424B (nl)	1995-02-16	Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL191796C (nl)	1996-08-02	Werkwijze voor het verstevigen van een slappe bodem.
NL191587C (nl)	1995-10-03	Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.
DE69102351D1 (de)	1994-07-14	Heteroübergangseffekttransistor mit vergrabenem Kanal.
NL187373C (nl)	1991-09-02	Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188236B (nl)	1991-12-02	Werkwijze voor het vervaardigen van polypropeenspinvliezen met lage valcoeficient.
NL181338C (nl)	1987-08-03	Controle-inrichting voor het onderzoeken van brieven.
NL189102C (nl)	1993-01-04	Transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7902621A (nl)	1979-10-08	Werkwijze voor het vormen van een aftakdichting.
NL188774C (nl)	1992-09-16	Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL189867B (nl)	1993-03-16	Werkwijze voor het herbestraten van met straatstenen verharde wegen en inrichting voor toepassing van de werkwijze.
NL189444C (nl)	1993-04-16	Werkwijze voor het behandelen van tabak.
NL188435C (nl)	1992-06-16	Werkwijze voor het bedrijven van een veldeffecttransistor met begraven kanaal.
NL194524B (nl)	2002-02-01	Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor.
NL189425C (nl)	1993-04-01	Werkwijze voor het vervaardigen van een spiraalvormig gewikkelde pakking.
NL7902584A (nl)	1979-10-23	Werkwijze en inrichting voor het koelen van een draad.
NL185375C (nl)	1990-03-16	Inrichting voor het epitaxiaal aanbrengen van een laag halfgeleidermateriaal.
NL189317C (nl)	1993-03-01	Werkwijze voor het vervaardigen van staafvormig materiaal.
NL184057C (nl)	1989-04-03	Werkwijze voor het saneren van een verontreinigd milieu.
NL183434C (nl)	1988-11-01	Werkwijze voor het expanderen van tabak.
NL190203B (nl)	1993-07-01	Rolleger voor buisleidingen.

Legal Events

Date	Code	Title
1985-03-01	A1A	A request for search or an international-type search has been filed
1988-02-01	BB	A search report has been drawn up
1988-07-01	BC	A request for examination has been filed
1993-04-16	V1	Lapsed because of non-payment of the annual fee