NL8006771A

NL8006771A - Diode.

Info

Publication number: NL8006771A
Application number: NL8006771A
Authority: NL
Original assignee: Energy Conversion Devices Inc
Priority date: 1979-12-13
Filing date: 1980-12-12
Publication date: 1981-07-16
Also published as: MX150800A; JPS56115571A; KR850001045B1; IT8026643A0; KR830004681A; IT1194001B; IL61671A; AU543740B2; IL61671A0; ZA807761B; KR830004679A; ZA807762B; FR2475295A1; SE8008739L; DE3046701A1; CA1162327A; CA1155239A; ZA807763B; SG72784G; JPS56100464A

Description

VO 1302 Diode.

De uitvinding heeft betrekking op een diode en op een ROM-of EEPROfl-orgaan, waarbij deze diode wordt toegepast. Meer in het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op een diode, waarbij gebruik wordt gemaakt van een amorfe legering, die silicium en fluor 5 bevat. In dit verband wordt verwezen naar de Amerikaanse octrooi- schriften 4.217.374 en 4.226.898.

Silicium is de grond voor de enorme kristallijne halfgelei-derindustrie, en is het materiaal, dat in nagenoeg alle thans geproduceerde, commerciële geïntegreerde ketens wordt gebruikt. Toen de 10 kristallijne halfgeleidertechnologie een commerciële toestand be- reikts, werd het de grondslag voor de tegenwoordige enorme industrie voor het vervaardigen van halfgeleiderorganen. Dit was het gevolg van de mogelijkheid van de natuurgeleerde tot het doen groeien van in hoafdzaak foutvrije germanium- en in het bijzonder siliciumkris-15 tallen, en deze dan te veranderen in extrinsieke materialen met gebieden daarin met een p- en n-geleidbaarheid. Dit werd tot stand gebracht door het in dergelijk kristallijn materiaal diffunderen van delen per miljoen van gevende (n) of ontvangende Cp) stimulatie-materialen, ingebracht als substitutionele verontreinigingen in de 20 in hoofdzaak zuivere kristallijne materialen voor het vergroten van hun elektrische geleidbaarheid en het regelen van de p- of n-geleidbaarheid daarvan.

De halfgeleidervervaardigingswerkwijzen voor het maken van kristallen met een p-n-verbindingspunt, omvatten uiterst ingewikkel-25 de, tijdrovende en kostbare handelingen alsmede hoge bewerkingstem- peraturen. Deze kristallijne materialen, gebruikt in gelijkrichtende en andere stroomregelende organen, worden dus geproduceerd onder zeer nauwkeurige geregelde omstandigheden door het doen groeien van afzonderlijke enkelvoudige silicium of germaniumkristallen, en op 30 de plaatsen waar p-n-verbindingspunten nodig zijn, het stimuleren - 2 - van dergelijke enkelvoudige kristallen met zeer kleine en kritische hoeveelheden stimulatiemiddelen. Deze krlstalgroeiwerkwljzen produceren betrekkelijk kleine kristalschijven, waarop de geïntegreerde geheugenketens worden gevormd.

5 In de integratietechnologle op de schaal van dergelijke schijven, begrenst de kristalschijf met de kleine oppervlakte de totale afmeting .van de geïntegreerde ketens, die daarop kunnen worden gevormd. Bij toepassingen, die grootschalige oppervlakten behoeven, zoals in de weergeeftechnologie, kunnen de kristalschij-10 ven niet worden vervaardigd met de vereiste of gewenste grote opper vlakte. De organen worden althans gedeeltelijk gevormd door het diffunderen van p- of n-stimulatiemiddelen in de onderlaag. Verder wordt elk orgaan gevormd tussen isolatiekanalen, die in de onderlaag worden gediffundeerd. De pakdichtheid Chat aantal organen per 15 oppervlakte-eenheid van het schijfoppervlak3 is op de silicium- schijven eveneens begrensd op grond van de lekstroom in elk orgaan en de energie, nodig voor het bedienen van de organen, die elk warmte ontwikkelen, hetgeen ongewenst is. De siliciumschijven verspreiden de warmte niet gemakkelijk. Ook beïnvloedt de lekstroom 20 nadelig de levensduur van de batterij of energiecel bij draagbare toepassingen.

Verder is de pakdichtheid uiterst belangrijk omdat de cel-afmeting exponentieel samenhangt met de kosten van elk orgaan. Een vermindering in de matrijsafmeting b.v. met een factor 2 heeft een 25 vermindering in de kosten tot gevolg in de orde van een factor 6.

Een gebruikelijke kristallijne RDM, waarbij gebruik wordt gemaakt van 2 um lithografie heeft een bipolaire oelafmeting van ongeveer 7. 2 194 - 323 ym of een MOS-celafmeting van ongeveer 129 - 194 ym .

Samenvattend zijn de parameters van gelijkrichters van een 30 siliciumkristal en van een geïntegreerde keten niet naar wens ver anderlijk, vereisen zij grote hoeveelheden materiaal, en hoge be-werkingstemperaturen, kunnen zij alleen worden geproduceerd op schijven met een betrekkelijk kleine oppervlakte en zijn zij in produktie kostbaar en tijdrovend. Organen op grond van amorf sili-35 cium kunnen deze nadelen van kristallijn silicium opheffen. Amorf 8006771

V

- 3 - silicium Kan sneller, gemakkelijker, bij lagere temperaturen en in grotere oppervlakten worden gemaakt dan kristallijn silicium.

Dienovereenkomstig is veel Inspanning getroost om werkwijzen te ontwikkelen voor het gemakkelijk afzetten van amorfe halfgelei-5 derlegeringen of -foelies, die elk betrekkalijk grote oppervlakten kunnen omvatten, indien gewenst, alleen begrensd door de afmeting van de afzetuitrusting, en die kunnen worden gestimuleerd voor het vormen van p- en n-materialen voor het vormen van gelijkrichters en organen met een p-n-verbindingspunt, die lagere kosten hebben IQ en een betere werking dan die, geproduceerd door hun kristallijne tegenhangers. Gedurende vele jaren was dit werk in hoofdzaak niet . produktief. Amorfe silicium- of germanium (groep IV)-foelies worden gewoonlijk vierledig gecoördineerd en bleken microholten te hebben en slingerende bindingen en andere fouten, die een hoge 15 dichtheid geven van gelokaliseerde toestanden in de energiespleet daarvan. De aanwezigheid van een hoge dichtheid van gelokaliseerde toestanden in de energiespleet van halfgeleiderfoêlies van amorf silicium had tot gevolg, dat dergelijke foelies niet met goed gevolg konden worden gestimuleerd of anderszins aangepast voor het 20 dicht bij de geleidings- of valentiebanden verschuiven van het

Fermi-niveau, waardoor dergelijke foelies ongeschikt waren voor het maken van gelijkrichters en andere stroomregelorgaantoepassingen met een p-n-verbindingspunt.

In een poging de voornoemde moeilijkheden met betrekking 25 tot amorf silicium en germanium tot een minimum te beperken, heb ben W.E.Spear en P.G.LeComber van het "Carnegie Laboratory of Physics", University of Dundee in Dundee, Schotland, onderzoek gedaan naar "Substitutional Doping of Amorphous Silicon" waarvan verslag is gedaan in een verhandeling, gepubliceerd in "Solid State 30 Communications”, Vol.17, blz.1193 - 1196, 1975, met het oog op het verminderen van de gelokaliseerde toestanden in de energiespleet in amorf silicium of germanium teneinde dit intrinsiek kristallijn silicium of germanium dichter te doen benaderen, en op het substi-tutioneel stimuleren van de amorfe materialen met passende gebrui-35 kelijke stimulatiemiddelen, zoals bij het stimuleren van kristal- 800 6 77 1 - 4 - lijne materialen, teneinde ze extrinsiek te maken en van een p- of n-geleidbaarheid.

De vermindering van gelokaliseerde toestanden werd tot stand gebracht door het door glimontlading afzstten van amorfe silicium-5 foelies, waarbij een silaangas (SiH^) door een reactiebuis werd ge leid, waarin het gas werd ontleed door een hoogfrequente glimontlading en afgezet op een onderlaag bij een onderlaagtemperatuur van ongeveer 500 - 600°K (227 - 327°C3. Het zodoende op de onderlaag afgezette materiaal was een intrinsiek amorf materiaal, bestaande 10 uit silicium en waterstof. Voor het produceren van een gestimuleerd amorf materiaal, werd een fosfiengas CPHgJ voor een n-geleidbaar-heid of een diboraangas voor een p-geleidbaarheid, vooraf gemengd met het silaangas en door de reactiebuis voor de glimontlading geleid onder dezelfde bedrijfsomstandigheden.. De gasconcentra- „g 15 tie van de gebruikte stimulatiemiddelen lag tussen ongeveer 5x10 -2 en 10 dln per volume. Het zodoende afgezette materiaal bevatte, naar werd aangenomen, substitutioneel fosfor- of boriumstimulatie-middel en bleek extrinsiek te zijn en van de n- of p-geleidbaarheid.

20 Hoewel het voor deze onderzoekers onbekend was, is het thans door het werk van anderen bekend geworden, dat de waterstof in het silaan zich bij een optimale temperatuur verbindt met vele van de slingerende bindingen van het silicium gedurende het door " glimontlading afzetten voor het in aanzienlijke mate verminderen 25 van de dichtheid van de gelokaliseerde toestanden in de energie- spleet met het oog op het door de elektrische eigenschappen van het amorfe materiaal dichter doen benaderen van de eigenschappen van het overeenkomstige kristallijne materiaal.

D.I.Jones, W.E.Spear, P.G.LeComber, S.Li en R.Martins deden 30 ook werk aan het bereiden van een Ge : H uit GeH^ onder toegepas- sing van soortgelijke afzettechnieken. Het verkregen materiaal bleek een hoge dichtheid te hebben van gelokaliseerde toestanden in de energiespleet daarvan. Hoewel het materiaal kon worden gestimuleerd, was de doelmatigheid aanzienlijk verminderd ten op-35 zlchte van die, verkrijgbaar met een Si : H. In dit onderzoek, 8 00 6 77 1 + * - 5 - waarvan verslag is gedaan in "Philosophical Magazin B”, Vol.39, blz.147 (1979), Kwamen de schrijvers tot de gevolgtreKKing, dat op grond van de grote dichtheid van spleettoestanden, het verkregen materiaal ”... een minder aantrekkelijk materiaal is dan een Si 5 voor stimulatieonderzoekingen en mogelijke toepassingen”.

Het opnemen van waterstof in de voorgaande silaanwerkwijze heeft niet alleen begrenzingen op grond van de vaste verhouding van waterstof tot silicium in silaan, maar, hetgeen zeer belangrijk is, verschillende Si : H bindingsgedaanten voor nieuwe antibindings-10 toestanden in, die nadelige gevolgen kunnen hebben in deze materia len. Derhalve zijn er grondbegrenzingen bij het verminderen van de dichtheid van gelokaliseerde toestanden in deze materialen, welke begrenzingen in het bijzonder nadelig zijn voor wat betreft het doeltreffend p-, alsmede n-stimuleren. De verkregen dichtheid van 15 toestanden in de uit silaan afgezette materialen leidt tot een smalle afvoerbreedte, die op zijn beurt de doeltreffendheden beperkt van organen, waarvan de werking afhankelijk is van de drift van vrije dragers. De werkwijze voor het maken van deze materialen door het gebruik van alleen silicium en waterstof, heeft tevens een hoge 20 dichtheid tot gevolg van oppervlaktetoestanden, hetgeen alle voor gaande parameters beïnvloedt.

Nadat de ontwikkeling van het door glimontlading afzetten van silicium uit silaangas was uitgevoerd, werd onderzoek gedaan met het door kathodeverstuiving afzetten van amorfe siliciumfoelies 25 in de atmosfeer van een mengsel van argon (nodig voor de werkwijze voor het door kathodeverstuiving afzetten) en moleculair waterstof teneinde de resultaten te bepalen van dit moleculaire waterstof op de eigenschappen van de aFgsette amorfe siliciumfoelie. Het onderzoek gaf aan, dat de waterstof werkte als een vereffeningsmiddel, 30 dat zich zodanig bond dat de gelokaliseerde toestanden in de ener- giespleet werden verminderd. De mate echter waarin de gelokaliseerde toestanden in de energiespleet werden verminderd in de werkwijze van het met kathodeverstuiving afzetten, was veel minder dan bereikt met de hiervoor beschreven werkwijze van het uit silaan afzetten.

35 De hiervoor beschreven p- en n-stimulatiematerialen werden eveneens o η n « 77 1 » * ...... _ . . .........

- s - ingevoerd in de kathadeverstuivingswerkwljze voor het produceren van p- en π-gestimuleerde materialen. Deze materialen hadden een lagere stimulatiedoelmatigheid dan de materialen, geproduceerd in de glimantladingswerkwijze. Geen der werkwijzen produceerde 5 doeltreffende p-gestimuleerde materialen met voldoende hoge ont- vangerconcentraties voor het produceren van commerciële organen met een p-n-verbindingspunt. De π-stimulatiedoelmatigheid was beneden gewenste, aanvaardbare, commerciële niveaus, waarbij de p-sti-mulatie in het bijzonder ongewenst was, omdat het het aantal plaat-10 . selijka toestanden in de bandspleet vergrootts.

•Tot nu toe zijn verschillende halfgeleldermaterialen, zowel kristallijn als amorf, voorgesteld voor toepassing in gelijkrich-tenda organen, zoals een diode. Eveneens is voorgesteld een halfgeleider of fotogeleidende gelijkrichter te maken onder toepassing 15 van een amorfe legering, die silicium en fluor bevat. Gewezen wordt op de Amerikaanse octrooischriften 4.217.374 en 4.225.398.

Zoals hierna gedetailleerder wordt beschreven, bevat de onderhavige diode de· in deze Amerikaanse octrooischriften geopenbaarde amorfe legering, die silicium en fluor bevat, in een bepaalde 20 constructie van een diode, voorzien van althans twee gebieden, waarbij althans een gebied de amorfe legering bevat in 3amenhang met ROM- of EEPROM-argaanconstructies.

Een gebruikelijk RDM-orgaan bevat een matrix van X- en Y-asgeleiders, welke geleiders onderling zijn geïsoleerd en een ge-25 heugenketen hebben bij en gekoppeld tussen elk kruispunt van een X-asgeleider over een Y-asgeleider. Elke geheugenketen bevat een geheugengebied en een isolatieorgaan, zoals een transistor of een diode. Gewoonlijk zijn dergelijke transistoren en dioden gevormd in halfgeleideronderlagen met blijvend open contactpunten of blij-30 vend, gesloten contactpunten voor het tot stand brengen van logi sche 1- of logische O-informatieblts, die worden opgeslagen in het ROM-orgaan. Een dergelijk ROM-orgaan wordt gedurende de vervaardiging daarvan geprogrammeerd.

EEPROM [elektrisch ultwisbaar, programmeerbaar dood geheu-35 gen)-organen zijn voorgesteld, waarbij een verticaal aangebracht 8006771

Jr * - 7 - geheugengebied of cel in de geheugenketen verticaal is gekoppeld bij en tussen een bovenste X-asgeleider en een onderste Y-asgelei-der in een geheugenmatrix. Deze organen volgen uit het opslaan van informatie met schakelorganen met faseverandering, zoals b.v. ge-5 openbaard in het Amerikaanse octrooischrift 3.271.591.

Overeenkomstig de uitvinding is in een diode, voorzien van althans een eerste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar aan liggen voor het vormen van een verbindingspunt daartussen, de verbetering verschaft, die is gelegen in het van 10 een amorfe legering , die silicium en fluor bevat, gemaakt zijn van het eerste gebied.

Overeenkomstig de uitvinding is verder in een ROM-orgaan, voorzien van geheugenketanmiddelen op elk kruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die zich uitstrekt in een eer-15' ste richting over een geleider van een tweede groep geleiders, die zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste richting, waarbij de eerste groep geleiders van de tweede groep geleiders is geïsoleerd en elke geheugenketen is gekoppeld met en tussen een paar kruisende geleiders op een van de kruispunten en iso-20 latiemiddelen bevat, de. verbetering verschaft, die ligt in het bevattan van een diode door de Isolatiemiddelen, welke diode is voorzien van althans een eerste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij het eerste gebied is gemaakt van de amorfe 25 legering, die silicium en fluor bevat.

Verder is overeenkomstig de uitvinding in een EEPROM-orgaan, voorzien van geheugenketenmiddelen op elk kruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die zich uitstrekt in een eerste richting over een geleider van een tweede groep geleiders, die 30 zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste richting, waarbij de eerste groep geleiders is geïsoleerd van de tweede groep geleiders en elk geheugenketenmiddel is gekoppeld met en tussen een paar kruisende geleiders op een van de kruispunten, en isolatiemiddelen bevat, de verbetering voorzien die ligt in het 35 een diode bevatten van de isolatiemiddelen, welke diode is voor- 0ΛΠΛ77 1 - a - zien van althans een eerste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar liggen voor het vormen van een verbindingspunt daartussen, waarbij het eerste gebied is gemaakt van de amorfe legering, die silicium en fluor bevat.

5 Bij voorkeur bevat de amorfe legering tevens waterstof, waarbij een dergelijke amorfe legering een Si : F, : H is, waar-

0 D C

in a tussen 80 en 98 atoon\-% ligt, b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%.

Het eerste legeringsgebied is gestimuleerd met een N-stimu-10; latiemateriaal, gekozen van een element uit de groep V van het '

Periodieke Stelsel, b.v. fosfor, arseen of andere in een hoeveelheid, die tussen enkele delen per miljoen Cdpm] en 5 atoom-% vormt, en bij voorkeur tussen 10 en 1000 dpm ligt.

Het tweede gebied kan een metaal zijn, een metaallegering, 15 een metallisch materiaal, voorzien van een hoge weringhoogte op het eerste gebied voor het zodoende verschaffen van een schroot-wering.

Het tweede gebied kan ook een amorfe legering zijn, die silicium en fluor bevat, en bij voorkeur tevens waterstof. Het twee-20 de legeringsgebied is gestimuleerd met een P-stimulatiemateriaal, gekozen van een element uit de groep III van het Periodieke Stelsel, b.v. borium, aluminium of andere, in een hoeveelheid, die tussen enkele dpm en 5 atoom-% vormt, en bij voorkeur tussen 10 en 1000 dpm ligt. Gok het eerste gebied kan een P-gebied zijn, waarbij 25 het tweede gebied een N-gebied is.

De pakdichtheid onder toepassing van 2 ym lithografie voor vergelijking in de ROM in de vorm van een dunne foelie en een 2 EEPRQM in de vorm van dunne foelies, is in de orde van 85 ym per cel. Als gevolg van de geheel uit dunne foelies afgezette construc-30 tie en de lage lekstroom, kunnen de organen verder op elkaar wor den gestapeld voor het verder vergroten van de pakdichtheid. De organen kunnen worden gevormd op verschillende onderlagen, zoals geïsoleerd metaal, dat wordt gebruikt als een warmte-accumulator voor de organen.

35 Dienovereenkomstig bestaat een eerste doel van de uitvinding * 8 0 0 6 77 1 - 9 - uit het verschaffen van een diode, die althans een eerste gebied en een tweede gebied bevat, welke gebieden tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, welke diode wordt gekenmerkt, doordat het eerste gebied is gemaakt van een amorfe le-5 gering, die silicium en fluor bevat.

Een tweede doel van de uitvinding is het verschaffen van een ROM-orgaan, dat open en gesloten cellen bevat met geheugenketen-middelen op elk gesloten celkruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die zich uitstrekt in een eerste richting over 10 een geleider van een tweede groep geleiders, die zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste richting, waarbij de eerste groep geleiders, is geïsoleerd van de tweede groep geleiders, en elke geheugenketen is gekoppeld met en tussen een paar kruisende geleiders op een van de kruispunten, en isolatiemiddelen bevat, IS welk orgaan is gekenmerkt, doordat de isolatiemiddelen een diode bevatten, voorzien van althans een eerste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij het eerste gebied is gemaakt van een amorfe legering.

20 Een dsrde doel van de uitvinding is het verschaffen van een EEPROM-orgaan, voorzien van geheugenketenmiddelen op elk kruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die zich uitstrekt in een eerste richting over een geleider van een tweede groep geleiders,. die zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste 25 richting, waarbij de eerste groep geleiders is geïsoleerd van de tweede groep geleiders, elk geheugenketenmiddel is gekoppeld met en tussen een paar kruisende geleiders op een van de kruispunten en isolatiemiddelen bevat, welk orgaan is gekenmerkt, doordat de isolatiemiddelen een diode omvatten, voorzien van althans een eer-30 ste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar lig gen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij het eerste gebied is gemaakt van een amorfe legering.

De uitvinding wordt nader toegelicht aan de hand van de tekening, waarin: 35 Fig.l een bovenaanzicht is van een gedeelte van de van een 8006771 - 10 - afgezette foelie voorziene zijde van een onderlaag, die een drager vormt voor een geheel uit foelies afgezet ROM-orgaan, dat de diode bevati

Fig.2 een doorsnede is volgens de lijn II-II in fig.lj . 5 Fig.3 een Ketenschema is van de in fig.2 weergegeven geheu genketen j

Fig.4 een bovenaanzicht is van een gedeelte van de van een afgezette foelie voorziene zijde van een onderlaag, die een drager vormt voor een geheel uilfcafgezette dunne foelies bestaand EEPR0M-10 orgaan, dat geheugenketens bevat, die elk de diode bevattenj

Fig.5 een doorsnede is volgens de lijn V-V in fig.4,·

Fig.B een ketenschema is van de in fig.5 weergegeven geheu-gpnketenj

Fig.7 een doorsnede is van een tweede uitvoeringsvorm van 15 het uit afgezette-dunne foelies bestaande ROM-orgaan, dat de onder havige schrootdiode bevatj en

Fig.8 een ketenschema is van de in fig.7 weergegeven geheu-genketen.

Verwijzende naar fig.l en 2 is daarin een ROM-orgaan 10 af-20 gebeeld, dat twee aangeduide geheugenketens 11 en 12 bevat, die elk een uit een dunne foelie bestaande diode of gelijkrichtorgaan 14 bevatten (fig.2), geconstrueerd overeenkomstig de onderhavige leer. 0e geheugenketen 11 is een gesloten keten, die de diode 14 bevat, die via een Ohms contactgebied, zoals een platinasilicidegebied 16 25 is gekoppeld met een bovenste X-asgeleider 18 en met een onderste Y-asgeleider 20.

De geheugenketen 12 bevat eveneens een diode 14, die aan één zijde is verbonden met een andere Y-asgeleider 20' en aan de andere zijde een open keten vormt als gevolg van een gebied met 30 isolatiemateriaal 21, aangebracht tussen het bovenoppervlak van de diode 14 en de X-asgeleider 18, zoals hierna gedetailleerder wordt beschreven.

In de constructie van het ROM-orgaan 10 zijn op een willekeurige passende onderlaag 22, voorzien van een isolerend boven-35 oppervlak 25, evenwijdige geleiders 20 en 20’ afgezet, die de Y-as- 8 0 0 6 77 1 - 11 - geleiders vormen en een verenigbaar tussenvlak met de diode 14. De geleiders of banden 2D van geleidend materiaal kunnen zijn gemaakt van aluminium, chroom, molybdeen, een legering van titaan en wolfram (Ti-W] en dergelijke. Ook kunnen de geleidende banden 20 een 5 onderlaag 23 bevatten van een sterk geleidend materiaal, zoals alu minium, en een bovenlaag 24 van een vuurvast weringmateriaal, zoals molybdeen of Ti-W. De geleidende lagen 23 en 24 kunnen door gebruikelijke vacuumopdamp-, fotoweerstandsmaskeer- en etsmiddeltechnie-ken worden gevormd.

10 Vervolgens zijn de op onderlinge afstand liggende lagen 26 en 28 van een amorfe halfgeleiderlegering, die silicium en fluor bevat, afgezet over de geleiderbanden 20 voor het vormen van de uit een dunne film bestaande dioden 14 op elk kruispunt in de matrix van X- en Y-asgeleiders 18 en 20 in het ROM-orgaan 10. Elke 15 diode 14 met een P-N-verbindingspunt kan zijn gevormd uit gestimu- · leerde, amorfe, N+ en P+ legeringslagen 26 en 28, zoals weergegeven.

Een isolatielaag 30, zoals siliciumdioxyde, is aangebracht over de gehele onderlaag 22 voor het zodoende vormen van het isola-20 tiegebied 21 boven de diode 14 in de geheugenketen 12. Wanneer het echter gewenst is een gegevensbit op te slaan, dat wordt aangeduid door een lage weerstandstoestand, gekoppeld via de diode 14, is een opening 31 gevormd in de isolatielaag van siliciumdioxyde.

Het platinasilicide of ohmse contactgebied 16 kan warden ge-25 vormd op de buitenste amorfe siliciumlaag 28, waar de opening 31 is gevormd in de isolatielaag 30, b.v. door het aanbrengen van platina over de vrijgemaakte gedeelten van de amorfe legeringslaag 28.

De gelijkrichtdioden 14 kunnen dan een geleiderband 32 hebben, die daarover is gevormd en bestaat uit een weringmateriaal, zoals 30 molybdeen of de Ti-W legering. Vervolgens wordt een band aluminium afgezet over de geleiderband 32 voor het vormen van de X-asgeleider 18. Ook kan de geleider 18 worden afgezet over de laag 28 en de isolator 30 zonder de wering 32.

Uit de voorgaande beschrijving is het duidelijk, dat het ge-35 heugengebied van elke geheugenketen 11 en 12 een vooraf bepaalde 8006771 - 12 - f geleidende baan is of een vooraf bepaalde isolerende baan tussen de Y-asgeleider 20 via de diode 14 naar de X-asgeleider 18.

Eveneens is het duidelijk, dat de geheugengebieden zijn gevormd door het afzetten van een dunne foelie van isolatiemateriaal 5 30. op een gebied 28 van elke diode 14, gevolgd door het afzetten van een dunne foelieband Cband 32 en/of 18). van geleidend materiaal voor het vormen van de X-asgeleider 18. Voor een geheugengebied met een geleidende baan, wordt de isolerende foelielaag 30 weggesneden of-weggeëtst, zoals bij 31 in de oppervlakte boven het ene IQ gebied 28 van een gekozen, diode 14 voordat de uit een dunne foelie bestaande geleidende band wordt afgezet, zodat de geleidende baan een direct contact is van de geleidende band 18 met het eerste gebied 28 van de gekozen diode 14.

Ook is het duidelijk, dat elke geheugenketen 11 of 12, gekof 15 peld met en;, tussen een paar kruisende geleiders 18 en 20, niet al leen een geheugengebied mat een geleidende baan of een isolerende baan bevat, maar ook de diode 14, voorzien van een eerste gebied 26 en een tweede gebied 28 ,welke gebieden tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij althan: 20 het eerste gebied 26 is gemaakt van de amorfe legering, die silici um en fluor bevat. In de in fig.2 afgedeelde uitvoeringsvorm is ooi het tweede gebied 28 gevormd van de amorfe legering, die silicium en fluor bevat.

In elke geheugenketen 11 en 12 is tevens het geheugengebied 25 in lijn met de gebieden 26 en 28 van de diode 14, waarbij alle ge bieden naast elkaar liggen en zich op een lijn bevinden in hoofdzaak loodrecht op en zich uitstrekkend tussen elk paar kruisende geleiders 18 en 20 op het kruispunt daarvan voor het verschaffen van een zeer kleine hartafstand tussen naburige geheugenketens 11 30 en 12 voor het zodoende verschaffen van een zeer hoge pakdichtheid van geheugenketens 11 en 12 in het ROM-orgaan 10 in de orde van cc 2 65 ym .

Overeenkomstig de onderhavige leer bevat de amorfe legering die silicium en fluor bevat, tevens bij voorkeur waterstof, en is 35 de.legering bij voorkeur een Sia : : Hc legering, waarin a tus- 8006771 - 13 - sen SO en 90 stoom-% ligt, b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%.

De legeringslagen 26 en 20 Kunnen tussen 50 en 2000 nm dik zijn, waarbij een gebruikte dikte 100 nm is.

5 Het eerste gebied of de laag 26 kan zijn gestimuleerd met een N-stimulatiemateriaal, gekozen van een element van de groep V van het Periodieke Stelsel, zoals fosfor of arseen in een hoeveelheid tussen enkele delen per miljoen en 5 atoom-%, en bij voorkeur in een hoeveelheid, die 10 - 1000 dpm vormt. Het eerste gebied 26 10 kan ook zijn gestimuleerd met een P-stimulatiemateriaal, gekozen van een element van de groep III van het Periodieke Stelsel, zoals borium of aluminium in een hoeveelheid, die tussen enkele delen per miljoen en 5 atoom-% vormt, en bij voorkeur gestimuleerd in een hoeveelheid, die 10 - 1000 dpm vormt.

15 Ook kan het tweede gebied 28 een metaal zijn, een metaal- legering of een metallisch materiaal, voorzien van een grote wering-hoogte op het eerste gebied 26 voor het zodoende verschaffen van een schrootwering. Ook kan een isolatorlaag aanwezig zijn, die een MIS (metaalisolatorhalfgeleider)-tussenvlak vormt.

20 Als een andere mogelijkheid kan verder het tweede gebied 20 worden gestimuleerd met een materiaal, gekozen van een element van de groep III van het Periodieke Stelsel, of met een element van de groep V van het Periodieke Stelsel. Verder kan ook nog één van de gebieden zijn gemaakt van een materiaal, dat ongelijksoortig 25 is aan de amorfe legering voor het zodoende vormen van een gelijk- riohtorgaan met heteroverbindingspunt.

In ieder geval is met de uit een dunne foelie bestaande diode 14, voorzien van althans een gebied, gemaakt van de amorfe legering, vervat in de geheugenketen 11, een ROM-orgaan 10 verschaft 30 dat esn lage weerstand en hoge geleidbaarheid heeft in de doorlaat- richting en een zeer hoge weerstand in de omgekeerde richting.

Een ketenschema van de gesloten geheugenketen 11 en de open geheugenketen 12 is weergegeven in fig.3.

Thans verwijzende naar de fig.4 en 5 is daarin een EEPROM-35 orgaan 50 afgebeeld, en meer in het bijzonder twee geheugenketens 8ÖG6771 - 14 - 52 daarvan, dis zijn gemaakt overeenkomstig de onderhavige leer. Zoals weergegeven bevat elke geheugenketen 52 een geheugengebied 56, gemaakt van een omkeerbaar en terugstelbaar geheugenmateriaal, zoals hierna gedetailleerder wordt beschreven, welke keten in se-5 ris is geschakeld met een diode 58 in de vorm van een dunne foelie tussen een bovenste X-asgeleider 60 en onderste Y-asgeleiders 62 en 62'.

Verwijzende naar fig.5 is het zonder meer duidelijk, dat het geheugengebied 56 en de diode 58 naast elkaar liggen op een lijn 10 in hoofdzaak loodrecht op de kruisende geleiders 60 en 62, zodat de geheugenketen 52, gevormd door een geheugengebied 56 en een diode 58, een minimale celoppervlakte heeft voor het zodoende verschaffen van een maximale pakdichtheid van geheugencellen of geheu-genketens 56 in het EEPROM-orgaan 50.

15 In de constructie van het EEPROM-orgaan 50 wordt een onder laag 64, zoals een metalen onderlaag, verschaft, waarop een laag isolatiemateriaal 66 wordt afgezet, b.v. door een afzettechniek voor dunne foelies. Dan worden evenwijdige banden geleidend materiaal, zoals metaal, aangebracht voor het vormen van de Y-asgeleiders 20 62.

Overeenkomstig de onderhavige leer wordt de diode 58 met P-N-verbindingspunt gemaakt van lagen geleidende foelies 68 en 70 van een amorfe legering, afgezet boven op de Y-asgeleiderbanden 60. De isolatiediode 58 wordt gevormd van opeenvolgend gestimuleer-25 de N+ en P+ lagen of gebieden 68 en 70 van de amorfe legering. Na dat deze lagen zijn afgezet wordt een laag 72 van isolatiemateriaal, zoals siliciumdioxydemateriaal, afgezet over de onderlaag 66 en de lagen 62, 68 en 70 daarop.

Vervolgens wordt een open ruimte 74 uit de laag isolatiema-30 teriaal gesneden of geëtst in de oppervlakte boven de bovenste laag 70 van de diode 58. Bij voorkeur wordt een platinasilicide af ohms contactgebied 76 gevormd in de bovenste laag 70, dat wordt vrijgemaakt door de opening 74 op de hiervoor beschreven wijze voor het vormen van het gebied 16 in het ROM-orgaan 10.

35 Dan wordt een dunne foelie van een amorf materiaal met fase- 800 6 77 1 V ί - - 15 - veranderingsomkering afgezet voor het vormen van het geheugengebied 56. Vervolgens wordt een dunne laag Θ0 van vuurvast weringmateriaal, zoals molybdeen of een Ti-W legering afgezet op de isolatielaag 72 en over het geheugengebied 56. Vervolgens wordt een dikkere laag 5 60 van geleidend materiaal, zoals aluminium, als een band afgezet over de vuurvaste weringlaag 60 voor het vormen van de X-asgelei-der 60. Het platinasilicidegebied 76 kan een ohms contact of een schrootweringtussenvlak vormen met de gestimuleerde buitenste laag 70.

10 Zoals voorzien in de constructie van het ROM-orgaan 10, dat hiervoor is beschreven, en overeenkomstig de onderhavige leer heeft de diode 58 althans het eerste, gebied of laag 6S en het tweede gebied of laag 70, die tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij het eerste gebied 68 is ge-15 maakt van de amorfe legering.

Het tweede gebied of de laag 70 kan eveneens zijn gemaakt van de amorfe legering en kan zijn gestimuleerd met een ander stimulatiemateriaal dan het materiaal, waarmee de laag 68 is gestimuleerd. Ook kan het gebied 70 zijn gemaakt van een metaal, een me-2D taallegering of een metallisch materiaal, voorzien van een grote weringhoogte op het eerste gebied 68 voor het zodoende verschaffen van een schrootwering wanneer het eerste gebied 68 is gestimuleerd met een stimulatiemateriaal, gekozen van een element van de groep V van het Periodieke Stelsel. Een dergelijk metaal kan van de groep 25 zijn, bestaande uit goud, platina, palladium en chroom.

Ook kan het tweede gebied 70 zijn gemaakt van een materiaal, dat andersoortig is dan het amorfe materiaal van het eerste gebied 68 voor het zodoende vormen van een heteroverbindingspunt. Het eerste gebied kan N- of P-gestimuleerd zijn, en het tweede gebied kan P- of N-gestimuleerd zijn.

30 Een amorfe voorkeurslegering is een Sifl ! ^ : * waarin a tussen 80 en 98 atoom-% ligt, b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%. Het stimulatiemateriaal kan ook worden gekozen van een element van de groep V van het Periodieke Stelsel, zoals fosfor of arseen, en kan tussen enkele delen per miljoen en 5 atoom-% var- 8006771 - 16 - men van het gebied 68 of 70, en bij voorkeur 10 - 1000 dpm.

Het tweede gebied of de laag 70 kan dan bestaan uit de amorfe legering, evenals het eerste gebied 68* Oit materiaal kan dan zijn gestimuleerd met een stimulatiemateriaal, gekozen van een ele-5 ment van de groep III van het Periodieke Stelsel, en kan tussen en kele. delen per miljoen en 5 atoom-% vormen van het gebied 70, Een dergelijk stimulatiemateriaal kan borium zijn of aluminium, en 10 -1000 dpm van het gebied 70 vormen. Het is natuurlijk duidelijk, dat het stimuleren van de gebieden 68 en 70, indien gewenst, omgekeerd 10 kan zijn» Overeenkomstig de onderhavige leer worden de gebieden ook aangebracht als afgezette dunne foelies.

0e geheugengebieden 56 liggen in lijn met de gebieden 68 en 70 van de diode 58, waarbij al deze gebieden naast elkaar liggen op een lijn in hoofdzaak loodrecht op en zich uitstrekkende tussen 15 een paar kruisende geleiders 60 en 62 op een kruispunt daarvan voor ht verschaffen van een zeer kleine hartafstand tussen naburige ge-heugenketens 52 voor het zodoende verschaffen van een zeer hoge pakdichtheid van de geheugenketens 52 in het EEPROM-orgaan 50.

Ook zijn zowel het geheugengebied als het diodegebied afzettingen 20 van een dunne foelie.

Verder omvatten de geheugengebieden 56 een omkeerbaar, in fase veranderend materiaal, dat in een sterk geleidende toestand of een nauwelijks geleidende toestand kan worden ingesteld. Meer in het bijzonder is het geheugengebied 56 gevormd van een materiaal, 25 dat in eerste instantie amorf is en kan worden veranderd door een instelspanning en -stroom in een kristallijn geleidende toestand, en dan teruggesteld door een terugstelspanning en -stroom in een amorfe isolatortoestand. Een voorkeursmateriaal waaruit het geheugengebied 56 kan worden gemaakt, bevat germanium en telluur, zoals 0 30 Ge„_Tean. Oit materiaal heeft een goede omkeerbaarheid tot aan 10

zu ÜU

kringlopen, een maximale bewerkingstemperatuur van ongeveer 200°C, een maximale opslagtemperatjur van 100°C, een drempelspanning van 8V, een weerstand in ingestelde toestand van 300 Ohm en een weerstand o 4 in uitgeschakelde toestand (bij 175 C) van ongeveer 10 Ohm.

35 Het geheugengebied kan een geheugenstructuur omvatten, die 8 00 6 77 1 ' / ' ... ... ' ........* - 17 - zich bevindt tussen een van de geleiders 60 en 62 en een van de gebieden 68 of 70 van de diode 58, waarbij de geheugenstructuur eerste, tweede en derde gebieden omvat. Het eerste gebied grenst aan de ene geleider 60 of 62 of aan het ene gebied 70 of 68, afhanke-5 lijk van het feit welke hiervan is gekoppeld met een positieve span ningsbron .

Het tweede gebied bevindt zich tussen de eerste en derde gebieden, waarbij het derde gebied grenst aan het ene gebied 70 of 68 of de ene geleider 62 of 60, afhankelijk van welke is ingericht 10 om te: worden gekoppeld met een negatieve leiding van de spannings bron, en scheidt het tweede gebied volledig van de verbinding met de negatieve leiding.

Het tweede gebied is gevormd van een chalcogenide met als hoofdbestanddeel telluur, dat een hogere elektrische weerstand 15 heeft in zijn amorfe toestand en een lagere elektrische weerstand in zijn kristallijne toestand, en vanuit een toestand naar de andere kan worden geschakeld bij het aan de geleiders leggen van een elektrisch signaal met een passende waarde.

Het eersts gebied is gevormd van een materiaal met een hoger 20 percentage telluur dan het tweede gebied. Het derde gebied is ge vormd van een materiaal met 25 - 46 atoom-% germanium, waarbij de rest van het. materiaal in hodfdzaak bestaat uit telluur.

Het derde gebied bevat bij voorkeur ongeveer 33 atoom-% germanium, waarbij het tweede gebied tussen 10 en 25 atoom-% germanium 25, kan bevatten en bij voorkeur tussen 15 en 17% germanium.

Het eerste gebied bevat tevens bij voorkeur althans 90 atoom-% telluur.

Een ketenschema van de EEPRQM-geheugenketens 52 is afge-beeld in fig.6.

30 Fig.7 toont een ROM-orgaan 100, soortgelijk aan het orgaan, afgebeeld in fig.2 met een schrootweringgelijkrichtorgaan in een gesloten cel 102. Een open cel 104 kan in hoofdzaak gelijk aan de cel 12 zijn gevormd, met uitzondering van de diode 14, zoals weergegeven in fig.8. Het orgaan 100 is gevormd op een onderlaag 106, 35 die een daarop gevormde isolatielaag 108 heeft. Onderste of Y-as- 8 00 6 77 t - ia - geleiders 110 zijn gevormd op de laag 108, zoals hiervoor beschreven·

Verwijzende naar de csl 102 is een zwaar gestimuleerde amorfe legeringscontactlaag 112 gevormd op de geleider 110. Een intrin-5 sieke of enigszins gestimuleerde legeringslaag 114 met dezelfde geleidbaarheid is gevormd op de laag 112. Een isolatielaag 116 is dan gevormd over de cellen 102 en 104 met een door de laag 116 ge-etste of gesneden opening 118 voor elke gesloten cel 102. Een schrootwering 120 is dan gevormd op de legering 114, zoals de in 10 fig.2 weergegeven wering 16. Een bovenste X-asgeleider 122 is ge vormd over de cellen 102 en 104, zoals hiervoor beschreven. Da schrootwering 120 vormt dan het celgelijkrichtorgaan in plaats van het in de fig.2 of 5 weergegeven P-N-verbindingspunt.

Een ketenschema van de ROM-gesloten csl 102 en open cel 104 15 is afgebeeld in fig.8. De open cel 104 heeft geen ge lij kricht orgaan- 120, omdat het isolatiemateriaal 116 is afgezet op de legeringsla-gen.

Zowel het ROM-orgaan 10 als het EEPROM-orgaan 50 kan zijn afgezet op een isolatiemateriaallaag, die eerst is afgezet op een 20 metalen onderlaag, die een warmte-accumulator kan vormen en het stapelen en warmteverspreiden van een ROM-orgaan boven op een ander ROM-orgaan of van een EEPROM-orgaan bovenop een ander EEPR0M-orgaan, kan vergemakkelijken. Indien gewenst, kunnen de randen van de metalen onderlaag of onderlagen tevens een daarop gevormde 25 warmtestralingsvin hebben voor het verder vergemakkelijken van de warmteverspreiding.

Natuurlijk zijn metalen onderlagen niet essentieel, waarbij het ROM-orgaan 10 of EEPROM-orgaan 50, waarbij daarvan gebruik wordt gemaakt, een aantal voordelen heeft, waarvan enkele hiervoor 30 zijn beschreven en andere eigen zijn aan de uitvinding. Dergelijke dioden en geheugengebieden, die geheugenketens vormen in een ROM-of EEPROM-orgaan kunnen gemakkelijk worden afgezet door afzettechnieken voor dunne foelies op een onderlaag, waarbij de organen kunnen worden gestapeld voor het maken van een driedimensioneel geheu-35 genstelsel. Ook heeft een diode, gemaakt van twee gebieden van dit 8 00 6 77 1 - 19 - materiaal, t.w. één N-gestimuleerd en één P-gestimuleerd, een lage weerstand in de doorlaatrichting en een grote weerstand in omgekeerde richting.

De diode neemt een minimum aan ruimte in, doordat hij is ge-5 maakt door afzettechnieken voor een dunne foelie met de amorfe le gering. Een dergelijke diode neemt in samenhang met een geheugen-gebied in een ROM-orgaan of een EEPROM-orgaan zeer weinig ruimte in, zodat de geheugenketen of geheugenceldichtheid niet meer be- 2 hoeft te zijn dan 65 ym met een hartafstand tussen naburige geheu-1Q gencellen of ketens van 3 ym onder toepassing van 2 ynülithografie.

In gebruikelijke bipolaire ROM’s, is elke cel geïsoleerd tussen een paar verbindingspuntdiffusiekanalen. Te diffunderen materiaal wordt 2 ym breed afgezet, maar de hoge temperatuur van de werkwijze diffundeert het materiaal in de onderlaag. Als gevolg hiervan hebben 15 de kanalen een breedte van 4-6 ym, verder een gelijkrichterbreedte van ongeveer 2 ym en met 6 - 3 ym tussen de kanalen en de gelijk- richter. Dit heeft een hartafstand in een bipolaire ROM tot gevolg 2 van ongeveer 18 ym en een celdichtheid van ongeveer 323 ym .

Onder toepassing van oxyde-isolatie kunnen de gelijkrichters 20 in het beste geval grenzende aan de kanalen of deze overlappend worden gevormd, waarbij de kanalen echter 8 - 10 ym breed zijn.

nit heeft een hartafstand tot gevolg van ongeveer 12 urn en een bes- 2 ' te celdichtheid van ongeveer 161 urn .

' 2 2

De vermindering in celdichtheid van 162 ym tot 65 ym is 25 een zeer aanzienlijke kostenverlaging. Hoewel de gebruikelijke ROM's met verbindingspunt en oxyde-isolatie in afmeting kunnen worden verkleind wanneer fotolithografische technieken worden verbeterd, . treedt de overeenkomstige vermindering ook op in de ROM’s en EEPROM's, waarin gebruik wordt gemaakt van de onderhavige diode in 30 de vorm van een dunne foelie.

Λ Λ Λ A -7 7 4

Claims

1. Diode, voorzien van althans een eerste gebied en een tweede gebied, welke gebieden tegen elkaar liggen voor het vormen van een verbindingspunt daartussen, met het kenmerk, dat het eerste gebied (26, 86, 112 of 26, 70, 1143 is gemaakt van een amorfe legering, 5 die silicium en fluor bevat.

2. Diode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de amorfe legering tevens waterstof bevat.

3- Diode volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de amorfe legering bestaat uit SigF^H , waarin a tussen 80 en 98 atoom-% ligt, 10 b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%,

4. Diode volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het eerste gebied (26, 58, 112 of 28, 70, 114) van de amorfe legering is gestimuleerd met een n-stimulatiemateriaal.

5. Diode volgens een der voorgaande conclusies, met het ken- 15 merk, dat het eerste gebied (26, 68, 112 of 28, 70, 114) is gesti muleerd met een hoeveelheid stimulatiemateriaal, die tussen enkele -delen per miljoen en 5 atoom-% vormt,

6. Diode volgens conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat het stimulatiemateriaal bestaat uit fosfor.

7. Diode volgens conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat het stimulatiemateriaal bestaat uit arseen.

8. Diode volgens conclusies 1-7, met het kenmerk, dat het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) een metaal is, een me-taallegering of een metallisch materiaal, voorzien van een grote 25 weringhoogte op het eerste gebied voor het zodoende verschaffen van een schrootwering.

9. Diode volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) een metaal is, gekozen uit de groep van goud, platina, palladium en chroom.

10. Diode volgens een der conclusies 1-7, met het kenmerk, dat het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) is gemaakt van een amorfe legering, die silicium en fluor bevat. 8006771 9· - 21 -

11. Diode volgens conclusie 10, met het Kenmerk, dat de amorfe legering van het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) bestaat uit Si F. H , waarin a tussen 80 en 98 atoom-% ligt, b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%.

12. Diode volgens conclusie 10 of 11, methet Kenmerk, dat het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) van amorf materiaal is gestimuleerd met een p-stimulatiemateriaal.

13. Diode volgens een der voorgaande conclusies, met het Kenmerk, dat het tweede gebied is gestimuleerd met een hoeveelheid 10 stimulatiemateriaal, die tussen enkele delen per miljoen en 5 atoom-% vormt.

14. Diode volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat het stimulatiemateriaal bestaat uit borium of aluminium.

15. Diode volgens een der voorgaande-conclusies, met het ken- 15 me^k, dat de eerste en tweede gebieden (26, 68, 112 en 28, 70, 1141 daartussen een isolator hebben.

16. Diode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het tweede gebied (28, 70, 114 of 26, 68, 112) is gemaakt van een materiaal, dat andersoortig is dan de amorfe legering voor het zodoende vor- 20 men van een heteroverbindingspunt.

17. Diode volgens conclusie 1 o·? 16 met het kenmerk, dat het eerste gebied (26, 68, 112)-N- of P-gestimuleerd is, waarbij het tweede gebied (28, 70 , 114) P- of N-gestimuleerd is.

18. Diode volgens een der voorgaande conclusies, met het ken- 25 merk, dat althans het eerste gebied (26, 68, 112 i of 28, 70, 114) bestaat uit een afgezette dunne foelie.

19. ROM-orgaan, voorzien van open en gesloten cellen met geheu- genketenmiddelen op elk gesloten celkruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die zich uitstrekt in een eerste * 30 richting over een geleider van een tweede groep geleiders, die zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste richting waarbij de eerste groep geleiders is geïsoleerd van de tweede groep geleiders en elke geheugenketen is gekoppeld met een tussen een paar kruisende geleiders op een van de kruispunten en isolatie-35 middelen bevat, met het kenmerk, dat de isolatiemiddelen een diode 8006771 -f - 22 - C14, 14'j 120} bevattsn, voorzien van althans een eerste gebied (26» 26'; 112} en een tweede gebied (28, 28’; 114}, welke gebiedt tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbinding punt, waarbij het eerste gebied is gemaakt van een amorfe legerir 5 20. Orgaan volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat de amon legering althans silicium, fluor en/of waterstof bevat.

21. Orgaan volgens conclusie 20, met het kenmerk, dat de amor-legering bestaat uit Si^H^, waarin a tussen 80 en 98 atoom-% 1: b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%.

22. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 21, met het kenmerl dat het eerste gebied (26, 26'; 1123 van de amorfe legering is gi stimuleerd met een n-stimulatiemateriaal.

23. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 22, met het kenmerl dat het tweede gebied een metaal is, een metaallegering of een mi 15 tallisch materiaal, voorzien van een grote weringhoogte op het eerste gebied voor het zodoende verschaffen van een schrootwerini

24. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 22, met het kenmerl dat. het tweede gebied is gemaakt van een amorfe legering, die si cium en fluor en/af waterstof bevat. 20' 25. Orgaan volgens conclusie 24, met het kenmerk, dat het twei de gebied (28, 28'; 114) van de amorfe legering is gestimuleerd met een p-stlmulatiamateriaal.

26. Orgaan volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat het twei de gebied (28, 28/; 114) is gemaakt van een materiaal, dat ander 25 soortig is dan de amorfe legering voor het zodoende vormen van ei heteroverbindingspunt.

27. Orgaan volgens conclusie 19, met het kenmerk, dat het eer gebied (26, .26'; 112) N- of P-gestimuleerd is, waarbij het tweedi gebied (28, 28'; 114) P- of N-gestimuleerd is.

28. Orgaan volgens een der conclusies 19-27, met het kenmerl dat althans het eerste gebied (26, 26'; 112) een afgezette dunne foelie is.

29. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 28, met het kenmer dat de geheugenketenmiddelen (11, 12) een geheugengabied (16, 21 35 1Q2, 104) bevatten, dat in lijn ligt met de gebieden (26, 26’; 1 8006771 - 23 - 28, 28’; 1143 van de diode (14, 14’; 120),-waarbij alle gebieden CIS, 20, 28; 21, 26’, 28'; 102, 112, 1143 naast elkaar liggen op een lijn in hoofdzaak loodrecht op en zich uitstrekkende tussen een paar kruisende geleiders CIS, 20; 110, 1223 op het kruispunt 5 en een afgezette oxyde-isolatie aanwezig is tussen elk kruispunt voor het verschaffen van een zeer kleine hartafstand tussen naburig ge geheugenketenmiddelen voor het zodoende verschaffen van een zeer hoge pakdichtheid van cellen in het ROM-orgaan.

30. Orgaan volgens conclusie 29, met het kenmerk, dat het geheu- 10 gengebied C16, 21; 102, 104} evenals de diode (14, 14’; 120) be staat uit een dunne foelieafzetting.

31. Orgaan volgens conclusie 19 of 30, met het kenmerk, dat althans enkele van de cellen (11, 12; 102, 104) op elkaar zijn gestapeld,

32. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 31, met het kenmerk, dat de eerste en tweede gebieden (26, 28; 26'. 28’; 112, 114) daartussen een isolator hebben.

33. EEPR0M-orgaan, voorzien van geheugenketenmiddelen op elk kruispunt van een geleider van een eerste groep geleiders, die 20 zich uitstrekt in een eerste richting over een geleider van een tweede groep geleiders, die zich uitstrekt in een tweede richting dwars op de eerste richting, waarbij de eerste groep geleiders is geïsoleerd van de tweede groep geleiders, en elk geheugenketenmiddel is gekoppeld met en tussen een paar kruisende geleiders op een 25 van de kruispunten en isolatiemiddelen bevat, met het kenmerk, dat de isolatiemiddelen een diode (58) omvatten, voorzien van althans een eerste gebied (68) en een tweede gebied (70), welke gebieden tegen elkaar liggen voor het daartussen vormen van een verbindingspunt, waarbij het eerste gebied (68) is gemaakt van een amorfe le-30 gerirg,

34. Orgaan volgens conclusie 33, met het kenmerk, dat de amorfe legering althans silicium, fluor en/of waterstof bevat.

35. Orgaan volgens conclusie 33 af 34, met het kenmerk, dat de amorfe legering bestaat uit SigF^I-^, waarin a tussen 80 en 98 atoom- 35. ligt, b tussen 0 en 10 atoom-% en c tussen 0 en 10 atoom-%. y w - 24 - . 36. Orgaan volgens aen der conclusias 33 - 35, met hst kanmerk, dat het eerste gebied (68) van amorf materiaal is gestimuleerd met een n-stimulatiemateriaal.

37, Orgaan volgens een der conclusies 33 - 36, met het kenmerk, 5 dat het tweede gebied (70) bestaat uit aen metaal, metaallegering of metallisch materiaal, voorzien van een grote weringhoogte op het eerste gebied voor het zodoende verschaffen van een schroatwering.

38, Orgaan volgens een der conclusies 33 - 36, met het kenmerk, dat het tweede gebied (70) is gemaakt van een amorfe legering, die • 10. silicium en fluor en/of waterstof bevat.

39, Orgaan volgens conclusie 38, met het kenmerk, dat het tweede gebied (70) van de amorfe legering is gestimuleerd met een p-stimulatiemateriaal. 40» Orgaan volgens een der conclusies 33 - 39* met het kenmerk, 15 dat het tweede gebied (70) is gemaakt van een materiaal, dat ander soortig is ten opzichte van de amorfe legering voor het zodoende vormen van een heteroverbindingspunt.

41. Orgaan volgens een der conclusies 33 - 36, of 38 - 40,. met het kenmerk, dat het eerste gebied (68) N- of P-gestirauleerd is, 20 waarbij het tweede gebied (70) P- of N-gestimuleerd is.

42. Orgaan volgens een der conclusies 33 - 41, met het kenmerk, dat het eerste gebied (68) is gestimuleerd door een hoeveelheid sti-mulatiemateriaal, die tussen enkele delen per miljoen en 5 atoom-% vormt.

43. Orgaan volgens een der conclusies 33 - 42, met het kenmerk, dat althans het eerste gebied (68) een afgezette dunne foelie is.

44. Orgaan volgens een der conclusies 33 - 43, met het kenmerk, dat de geheugenketenmiddelen (52) een geheugengebied (56) bevatten, dat in lijn ligt met de gebieden (68, 70) van de diode (58), waar-30 bij alle gebieden naast elkaar liggen op een lijn in hoofdzaak lood recht op en zich uitstrekkende tussen een paar kruisende geleiders (60, 62) op een kruispunt, en een afgezette oxyde-isolatie (72) aanwezig is tussen elk kruispunt daarvan voor het verschaffen van een zeer kleine hartafstand tussen naburige geheugenketenmiddelen (52) 35 voor het zodoende verschaffen van een zeer hoge pakdichtheid van ge- 800 6 77 1 - 25 - heugenketenmiddelsn C523 in; het EEPROM-orgaan (50).

45. Orgaan volgens conclusie 44, met het kenmerk, dat het geheu-gengebied (56) evenals de diode (58) een dunne foelieafzetting is.

45. Orgaan volgens conclusie 45, met het kenmerk, dat het geheu- 5 gengebied (56) een materiaal met omkeerbare faseverandering omvat,. welk materiaal in een sterk geleidende toestand of een vrijwel . niet-geleidende toestand kan worden ingesteld.

47. Orgaan volgens een der conclusies 44 - 46, met het kenmerk, dat elk geheugenketenmiddel (523 een geheugengebied (56) bevat, 10 dat germanium en telluur bevat.

46, Orgaan volgens conclusie 46 of 47, met het kenmerk, dat elk geheugenketenmiddel een geheugenstructuur bevat, die zich bevindt tussen een van de geleiders en een gebied van de diode, welke geheugenstructuur eerste, tweede en derde gebieden bevat, waarvan het 15 eerste gebied grenst aan de ene geleider of het ene gebied, afhanke lijk van welke daarvan moet worden gekoppeld met een positieve spanningsbron, waarvan het tweede gebied zich tussen de eerste en derde gebieden in bevindt, en waarvan het derde gebied grenst aan het ene gebied of de ene geleider, afhankelijk van welke moet worden gekop-20 peld. met een negatieve leiding van de spanningsbron, en het tweede gebied volledig, scheidt van de verbinding met de negatieve leiding, welk tweede gebied is gevormd van een chalcogenids met als hoofdbestanddeel telluur, dat een hogere elektrische weerstand heeft in zijn amorfe toestand en een lagere elektrische weerstand in zijn 25 ' kristallijne toestand, en van een toestand naar een andere kan wor~ den geschakeld bij het aan de geleiders leggen van een elektrisch signaal met de juiste waarde, waarbij het eerste gebied is gevormd van een materiaal met een hoger percentage telluur dan het tweede gebied, en het derde gebied is gevormd van een materiaal met tus-30 sen 25 en 45 atoom-% germanium, en de rest in hoofdzaak telluur.

49. Orgaan volgens een der conclisies 33 - 48, met het kenmerk, dat een aantal geheugenketenmiddelen (52) op elkaar is gestapeld.

50. Orgaan volgens een der conclusies 19 - 32, met het kenmerk, dat dit door een techniek voor het afzetten van dunne foelies is 35 gevormd op een dunne laag (106) van isolatiemateriaal, welke laag op 800 6 77 1 -26 - t zijn beurt is afgezet op een metalen onderlaag C1063, zodat de door de actieve componenten van het ROM-orgaan (100) opgewekte warmte door geleiding kan worden overgebracht naar de metalen onderlaag (106),. die dient als een warmta-accumulator voor het ver-. 5 spreiden van deze warmte.

51. Orgaan volgens een dar conclusies 33 - 49, mat het kenmerk,, dat dit is gevormd door een techniek voor hét afzetten van dunne foelies op een dunne laag (66) van isolatiemateriaal, welke laag op zijn beurt is afgezet op een metalen onderlaag (64), zodat door de 10 actieve componenten van het EEPROM-orgaan (50) opgewekte warmte door geleiding kan worden overgebracht naar de metalen onderlaag-(64), die dient als een warmte-accumulator voor het verspreiden van deze warmte. 800 6 77 t