NL8402859A - Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen. Download PDF

Info

Publication number
NL8402859A
NL8402859A NL8402859A NL8402859A NL8402859A NL 8402859 A NL8402859 A NL 8402859A NL 8402859 A NL8402859 A NL 8402859A NL 8402859 A NL8402859 A NL 8402859A NL 8402859 A NL8402859 A NL 8402859A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
mask
groove
masking
opening
Prior art date
Application number
NL8402859A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8402859A priority Critical patent/NL8402859A/nl
Priority to CN85103535A priority patent/CN85103535B/zh
Priority to EP85201462A priority patent/EP0178000B1/de
Priority to DE8585201462T priority patent/DE3577776D1/de
Priority to US06/776,330 priority patent/US4717689A/en
Priority to JP60206181A priority patent/JPS6174342A/ja
Publication of NL8402859A publication Critical patent/NL8402859A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/947—Subphotolithographic processing

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
NL8402859A 1984-09-18 1984-09-18 Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen. NL8402859A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8402859A NL8402859A (nl) 1984-09-18 1984-09-18 Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.
CN85103535A CN85103535B (zh) 1984-09-18 1985-05-06 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件
EP85201462A EP0178000B1 (de) 1984-09-18 1985-09-13 Verfahren zur Herstellung submikronischer Gräben, z.B. in Halbleitermaterial und nach diesem Verfahren hergestellte Anordnungen
DE8585201462T DE3577776D1 (de) 1984-09-18 1985-09-13 Verfahren zur herstellung submikronischer graeben, z.b. in halbleitermaterial und nach diesem verfahren hergestellte anordnungen.
US06/776,330 US4717689A (en) 1984-09-18 1985-09-16 Method of forming semimicron grooves in semiconductor material
JP60206181A JPS6174342A (ja) 1984-09-18 1985-09-18 幅狭条溝形成方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8402859 1984-09-18
NL8402859A NL8402859A (nl) 1984-09-18 1984-09-18 Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.
CN85103535A CN85103535B (zh) 1984-09-18 1985-05-06 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8402859A true NL8402859A (nl) 1986-04-16

Family

ID=25741633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8402859A NL8402859A (nl) 1984-09-18 1984-09-18 Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4717689A (de)
EP (1) EP0178000B1 (de)
JP (1) JPS6174342A (de)
CN (1) CN85103535B (de)
DE (1) DE3577776D1 (de)
NL (1) NL8402859A (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924287A (en) * 1985-01-20 1990-05-08 Avner Pdahtzur Personalizable CMOS gate array device and technique
NL190388C (nl) * 1986-02-07 1994-02-01 Nippon Telegraph & Telephone Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting.
JPS63193562A (ja) * 1987-02-06 1988-08-10 Toshiba Corp バイポ−ラトランジスタの製造方法
IL82113A (en) * 1987-04-05 1992-08-18 Zvi Orbach Fabrication of customized integrated circuits
US4799990A (en) * 1987-04-30 1989-01-24 Ibm Corporation Method of self-aligning a trench isolation structure to an implanted well region
US4916083A (en) * 1987-05-11 1990-04-10 International Business Machines Corporation High performance sidewall emitter transistor
US4847670A (en) * 1987-05-11 1989-07-11 International Business Machines Corporation High performance sidewall emitter transistor
US4814290A (en) * 1987-10-30 1989-03-21 International Business Machines Corporation Method for providing increased dopant concentration in selected regions of semiconductor devices
US5008210A (en) * 1989-02-07 1991-04-16 Hewlett-Packard Company Process of making a bipolar transistor with a trench-isolated emitter
JP2741964B2 (ja) * 1991-04-15 1998-04-22 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US5120668A (en) * 1991-07-10 1992-06-09 Ibm Corporation Method of forming an inverse T-gate FET transistor
US5245206A (en) * 1992-05-12 1993-09-14 International Business Machines Corporation Capacitors with roughened single crystal plates
US5414283A (en) * 1993-11-19 1995-05-09 Ois Optical Imaging Systems, Inc. TFT with reduced parasitic capacitance
US5389559A (en) * 1993-12-02 1995-02-14 International Business Machines Corporation Method of forming integrated interconnect for very high density DRAMs
KR0157928B1 (ko) * 1995-12-27 1998-12-15 문정환 자체 접합형 아웃-리거 위상반전마스크 제조방법
KR100456698B1 (ko) * 2002-09-04 2004-11-10 삼성전자주식회사 강유전체 메모리 소자의 제조 방법
JP5184476B2 (ja) * 2009-09-17 2013-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3536547A (en) * 1968-03-25 1970-10-27 Bell Telephone Labor Inc Plasma deposition of oxide coatings on silicon and electron bombardment of portions thereof to be etched selectively
US4053349A (en) * 1976-02-02 1977-10-11 Intel Corporation Method for forming a narrow gap
JPS52128066A (en) * 1976-04-20 1977-10-27 Matsushita Electronics Corp Manufacture of semiconductor device
CA1129118A (en) * 1978-07-19 1982-08-03 Tetsushi Sakai Semiconductor devices and method of manufacturing the same
US4274909A (en) * 1980-03-17 1981-06-23 International Business Machines Corporation Method for forming ultra fine deep dielectric isolation
JPS5864044A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS5893343A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Toshiba Corp 半導体集積回路の分離領域形成方法
NL8105559A (nl) * 1981-12-10 1983-07-01 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een smalle groef in een substraatgebied, in het bijzonder een halfgeleidersubstraatgebied.
JPS58175847A (ja) * 1982-04-08 1983-10-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
NL8202686A (nl) * 1982-07-05 1984-02-01 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een veldeffektinrichting met geisoleerde stuurelektrode, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
US4545114A (en) * 1982-09-30 1985-10-08 Fujitsu Limited Method of producing semiconductor device
NL8301262A (nl) * 1983-04-11 1984-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij met behulp van ionenimplantatie patronen worden aangebracht in een laag siliciumnitride.
US4601778A (en) * 1985-02-25 1986-07-22 Motorola, Inc. Maskless etching of polysilicon

Also Published As

Publication number Publication date
DE3577776D1 (de) 1990-06-21
EP0178000A3 (en) 1986-04-23
EP0178000A2 (de) 1986-04-16
EP0178000B1 (de) 1990-05-16
JPS6174342A (ja) 1986-04-16
US4717689A (en) 1988-01-05
CN85103535A (zh) 1986-11-05
CN85103535B (zh) 1988-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8402859A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.
US4613402A (en) Method of making edge-aligned implants and electrodes therefor
US5372960A (en) Method of fabricating an insulated gate semiconductor device
US4824796A (en) Process for manufacturing semiconductor BICMOS device
US5472897A (en) Method for fabricating MOS device with reduced anti-punchthrough region
US5015599A (en) Method of manufacturing a device comprising MIS transistors having a projecting gate on the weakly doped parts of source and drain regions
EP0333426A2 (de) Dynamischer RAM
US4267011A (en) Method for manufacturing a semiconductor device
EP0083816A1 (de) Halbleiteranordnung mit einem Verbindungsmuster
NL8701251A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
US4539742A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
NL8402856A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4114256A (en) Reliable metal-to-junction contacts in large-scale-integrated devices
US4859630A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
NL8800157A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JP2597631B2 (ja) 半導体デバイスおよびその製造方法
EP0242893B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
US4590093A (en) Method of manufacturing a pattern of conductive material
US4809055A (en) Semiconductor device having an electrode and a method of manufacturing the same
JPH06204167A (ja) 半導体装置の製造方法
US5986310A (en) Prolonging a polysilicon layer in smaller memory cells to prevent polysilicon load punch through
US4653173A (en) Method of manufacturing an insulated gate field effect device
KR100311103B1 (ko) 반도체장치의제조방법
EP0495541A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor
KR100235629B1 (ko) Mosfet 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed