NO790817L - Termoelementinnretning. - Google Patents

Termoelementinnretning.

Info

Publication number
NO790817L
NO790817L NO790817A NO790817A NO790817L NO 790817 L NO790817 L NO 790817L NO 790817 A NO790817 A NO 790817A NO 790817 A NO790817 A NO 790817A NO 790817 L NO790817 L NO 790817L
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
thermocouple
armature
bore
assembly according
axial
Prior art date
Application number
NO790817A
Other languages
English (en)
Inventor
Saxon Blackston Swearingen
Original Assignee
Nat Distillers Chem Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nat Distillers Chem Corp filed Critical Nat Distillers Chem Corp
Publication of NO790817L publication Critical patent/NO790817L/no

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Vending Machines For Individual Products (AREA)
  • Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
  • Control Of Combustion (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

Termoelementinnretning
Oppfinnelsen angår generelt temperaturmålingsteknikk, og særlig temperaturmåling ved benyttelse av et termoelement. Nærmere bestemt angår oppfinnelsen en termoelementmontasje som er konstruert for på beskyttende måte å bevare et termoelement i en høytrykksomgivelse på en slik måte at termoelementets reaksjonstid ikke forringes.
Ved fremstillingen av polyethylen er nøyaktig kontroll av den temperatur som er tilstede i en reaktor, vesentlig for å sikre produksjon av et polyethylenprodukt av høy kvalitet. Tid-lige polyethylenreaktorer benyttet vanligvis et termoelement som var installlert i en varmebrønn, og hvor et varmeledende materia-le, såsom en olje eller silicon, var anbragt i varmebr.ønnen for å sikre en god termisk forbindelse eller en høy grad av varmeover-føring mellom brønnen og termoelementet. Etter at dette arrange-ment var benyttet i flere år, ble det konstruert et termoelement som på tilfredsstillende måte ville motstå de store trykk som hersket i polyethylenreaktoren, og som følgelig ville være i stand til å nedsenkes direkte i reaktantmaterialene som ble be-handlet i reaktoren, uten å nødvendiggjøre bruken av en beskyttende varmebrønn. Selv om bruken av et termoelement som kunne installeres direkte i reaktorprosessmediet, representerte en for-bedring i forhold til den tidligere type av termoelement som var installert i en varmebrønn, kunne de termoelementet som ble benyttet, ikke detektere temperaturendringer tilstrekkelig raskt til å gjøre det mulig å ta forholdsregler som ville hindre øde-leggende, ukontrollerte reaksjoner fra å genereres i reaktoren, eller resultere i produksjon a<y>materialer som ikke oppfyller sine fremstillingsspesifikasjoner.
Reaksjonstiden til disse tidligere kjente termoelementer passet ganske godt til reaksjonstiden for styreutrustningen for den polyethylenreaktor som på den tid var tilgjengelig i teknikken. I de senere år er det imidlertid blitt utviklet styreutrustning som har mye raskere reaksjonstider. Med hen-blikk på den raske reaksjonstid for eksisterende styreutrustning har den iblant langsommere reaksjonstid for termoelementet blitt en begrensende faktor i reaksjonshastigheten for det totale reaktor s ty resy stem .
Reaksjons- eller responstiden for et termoelement defi-neres generelt som den medgåtte tid som kreves for at termoelementovergangen skal nå 63,2 % av sin endelige temperatur når den fortløpende utsettes for to forskjellige temperaturnivåer. Reaksjonstiden blir vanligvis påvirket av flere faktorer, deriblant typen og størrelsen av tråd som benyttes for å danne elementene i termoelementovergangen, størrelsen av termoelementovergangs-sveisen og varmebortledningsvirkningen av de beskyttende hylstere eller kapper som benyttes for å holde og omslutte termoelementet. Det har derfor vært praksis på området å installere termoelementer i en forholdsvis tung, rustfri stålkappe for å sikre at termoelementmontasjen har tilstrekkelig mekanisk styrke for benyttelse i.polyethylenreaktorer. Den beskyttende kappe virker som en varmestråler eller varmebortleder og blir følgelig en meget vesentlig faktor når det gjelder å forringe termoelementets reaksjonstid.
Det blir derfor ønskelig å tilveiebringe en termoelementmontasje som er konstruert for å virke i en omgivelse med høyt trykk opp til ca. 4 000 kg/cm 2, slik som i en polyethylenreaktor, som vil virke i en omgivelese med høy temperatur opp til ca. 315° C, som har tilstrekkelig mekanisk styrke til å tillate den å utnyttes i reaktoren, og som også har en rask reaksjonstid, av en størrelse på mindre 0,2 sek., for å sette den i stand til raskt å avføle eventuelle temperaturendringer som finner sted i reaktoren.
US patent nr. 3 811 9 58 (Maurer) viser en termoelementmontasje i hvilken den avfølende termoelementovergang er innkaps-let i en sylindrisk metallkappe som er forenet med en større sylindrisk kappe. Maurer beskjeftiger seg ikke i det hele tatt med drift i en høytrykksomgivelse, og forbindelsen mellom de to
sylindriske seksjoner av termoelementet ville ikke tilveiebringe en tilstrekkelig trykktetning for en høytrykksomgivelse. Videre
viser ikke dette patent noen dobbel termoelementmontasje, men har i stedet en konstruksjon som sørger for b are én termoelementovergang.
US patent nr. 3 589 192 (Sabovik) viser en termoele-mentmontas je i hvilken et langstrakt, mantlet termoelement er opptatt i en boring i en monterings- eller armatur-legemsdel. Det mantlede termoelement fastholdes løsbart i monteringslegemet, slik at det er bevegelig eller forskyvbart aksialt i forhold til legemsdelen, og derved tilveiebringer en justering ved hjelp av hvilken termoelementovergangen kan rage varierende avstander ut fra legemsdelens ende. Trykktetningen i denne termoelementmontasje er dannet av en kompressibel pakning som er anordnet mellom de to bevegelige deler og som ville gi tilstrekkelig tetning i en høytrykksomgivelse.
US patent nr. 3 539 400 (Pustell) viser en termoele-mentmontas je som er dannet av to konsentriske, sylindriske kapper i hvilke den ytre sylindriske kappe fullstendig omslutter den indre sylindriske kappe. Konstruksjonen av denne termoelementmontasje er utformet for å utligne varmeutvidelse mellom de forskjellige kapper i montasjen. Pustell beskjeftiger seg ikke i det hele tatt med tilstrekkelig tetning av termoelementmontasjen mot de skadelige virkninger av drift i en høytrykksomgivelse.
US patent nr. 3 284 247 (McCall) viser en termoelementmontasje i hvilken termoelementtrådene er anbragt i to aksiale kanaler som er dannet i termoelementoverflaten og strekker seg langs den aksiale lengde av et element av montasjen. Termoelementtrådene er imidlertid bare anbragt i disse kanaler for føringsformål, og termoelementmontasjen som er vist i McCall-patentet, er ikke konstruert for å motstå uforholdsmessig høye driftstrykk.
US patent nr. 3 996 071 (Klicks) viser ehtermoelement-montas je som er konstruert for å måle temperatur i omgivelser med ekstremt høyt trykk, men er ikke opptatt av om termoelementets reaksjonstid forringes på grunn av den beskyttende montasje. Konstruksjonen av termoelementmontasjen ifølge dette patent er følgelig av en beskaffenhet som er fullstendig forskjellig fra beskaffenheten av konstruksjonen ifølge den foreliggende oppfin-nelse .
For å overvinne eller redusere de begrensninger og ulemper som påtreffes i den kjente teknikk, tar oppfinnelsen sikte på ' tilveiebringelse av en forbedret termoelementmontasje som er konstruert for å virke i en omgivelse med høy temperayatur og høyt trykk, og hvor montasjen også er konstruert for å reagere raskt på endringer i temperatur.
I overensstemmelse med en foretrukket utførelse av oppfinnelsen skal det beskrives en termoelementmontasje som omfatter minst ett termoelement som er i det minste delvis anbragt i en aksial kanal som strekker seg langs lengden av en monterings-eller armaturdel. Den temperaturfølende ende av termoelementet rager noe utenfor den ene ende av armaturdelen for å tillate termoelementet å reagere raskt på endringer i temperatur uten å besværes urimelig av armaturdelens langsommere temperaturendring. Den nevnte armaturdels andre ende er anbragt i; en aksial boring som er dannet i den ene ende av en andre armaturdel, idet den sistnevnte ende av den første armaturdel i boringen er tettende forenet med den andre armaturdel for å danne en høytrykksbestandig tetning for montasjen.
I den beskrevne utførelse har de første og andre armaturdeler videre i hovedsaken sylindrisk form og er fortrinnsvis dannet av rustfritt stål, idet armaturdelene er sammenloddet langs sine innbyrdes, kontaktflater hvor den første armaturdels ende strekker seg inn i den aksiale boring som er dannet i den andre armaturdel. I den viste utførelse av oppfinnelsen er videre termoelementet loddet inn i den aksiale kanal i nærheten av der hvor de første og andre sylindriske deler er sammenloddet, og også ved den ende av den første armaturdel fra hvilken termoelementet strekker seg inn i det temperaturfølende område.
I overensstemmelse med en første beskrevet utførelse av oppfinnelsen er videre den aksiale kanal dannet i overflaten av den første armaturdel, mens den aksiale kanal i en andre utførel-se av oppfinnelsen er utformet som en åpning som strekker seg innvendig over den aksiale lengde- av den første armaturdel. I den foretrukne utførelse av oppfinnelsen er dessuten termoelementmon-tas jen en dobbel montasje som har to separate.termoelementer som er anbragt i to aksiale kanaler som er dannet i den første armaturdel.
Det er følgelig et formål med oppfinnelsen å tilveiebringe en termoelementmontasje som omfatter et termoelement som er innrettet til å operere med raske respons- eller reaksjonstider som reaksjon på endringer i temperatur.
Et annet formål med oppfinnelsen er å tilveiebringe en termoelementmontasje av den beskrevne type i hvilken det termoelementet er tilveiebragt en armatur som vil sette termoelementet i stand til å benyttes i en høytrykksomgivelse.
Et mer spesielt formål med oppfinenlsen er å tilveiebringe en termoelementmontasje for benyttelse i en polyethylenreaktor, hvor termoelementmontasjen har en rask respons på endringer i temperatur og er innrettet til å motstå de høye trykk og temperaturer som påtreffes i en sådan reaktor.
De foregående og andre formål og fordeler med termo-elementmontas jen ifølge oppfinnelsen vil fremgå av den etterføl-gende nærmere beskrivelse av foretrukne utførelsesformer under henvisning til tegningene, der fig. 1 viser et lengdesnitt av en første utførelse av en termoelementmontasje som er konstruert i overensstemmelse med oppfinnelsen, fig. 2 viser et tverrsnitt etter linjen 2 - 2 på fig. 1, fig. 3 viser et tverrsnitt etter linjen 3 - 3 på fig. 1, fig. 4 viser et lengdesnitt av én kompo-nent av termoelementmontasjen på fig. 1, fig. 5 viser et lengdesnitt av en ahdre utførelse av en termoelementmontasje ifølge oppfinnelsen, og fig. 6 viser et tverrsnitt etter linjen 6 - 6 på f ig . 5 .
Idet det nå henvises til utførelsen ifølge fig. 1-4 på tegningene, er det på fig. 1 vist et langsgående snittbilde av en termoelementmontasje som omfatter første og andre termoelementer 12 og 14 som er montert i en beskyttende armatur 16. Termoelementene omfatter temperaturfølgende ender 18 og 2 0 i hvilke termoelementovergangene er beliggende, og trådparéne 22, 24 som leder termoelementenes utgangssignaler, idet de sistnevnte er beskyttende anbragt i sylinderformede kapper eller mantler 26 og 28 som strekker seg langs i hovedsaken hele lengden av armaturen
16. Termoelementene 12 og 14 kan være kommersielt tilgjengelig utstyrt som er tilgjengelig fra det amerikanske firma Omega Engineering Company, Inc., Stamford, Connecticut. Termoelementene benytter fortrinnsvis tråd med en diameter på 0,025 mm for å danne termoelementovergangen som er innesluttet i en mantel som har en diameter på 0,5 mm og er dannet av Inconel. Inconel-mantelen setter termoelementet i stand til å avføle ekstremt høye temperaturer uten å bli ødelagt. Denne fysiske egenskap er vik-tig da de temperaturer som termoelementene utsettes for i en polyethylenreaktor, særlig under voldsomme nedbrytninger i reaktoren, er ekstremt høye.
Fordelen med å benytte forholdsvis små termoelementer ligger i det faktum at de har forholdsvis små termiske tregheter, slik at de er egnet for å reagere raskt på endringer i temperatur inne i reaktoren. I modifikasjoner av oppfinnelsen er det mulig å benytte andre størrelser og typer av termoelementer. Armatyren 16 som beskyttende opptar termoelementene, består av en første
langstrakt, sylindrisk seksjon eller del 30 og en andre sylindrisk
del 32 med større diameter. Den ene ende av delen 30 med den minste diameter strekker seg inn i en sirkulær boring 34 i den sylindriske del 32 (fig. 4) langs den sentrale- lengdeakse ved delens ene ende. Enden av den sylindriske del 30 strekker seg inn i boringen 3 4 til kontakt med en skulder 3 6 som er dannet av en tverrgående endevegg vhor boringen 3 4 er forenet med en koaksial boring 38 som har mindre diameter og som fortsetter gjennom i hovedsaken resten av lengden av den sylindriske del 32. Armaturdelene 30 og 32 er sølvslagloddet ved sine forbindelsesflater, slik at de tilveiebringer en høytrykkstetning for termoelement-montiasjen.
Den sylindriske del 32 omfatter et utvendig gjenget parti 40 som tillater termoelementmontasjen å monteres på sikker måte i en tilsvarende, innvendig gjenget åpning i reaktoren. Delen 33 omfatter videre et avsmalnende eller konisk parti 42 ved den ende hvor den er forenet med delen 3 0 med liten diameter. Det avsmelnende parti 42 kan være'tilpasset til å lette tetning av montasjen mot en tilsvarende, sammenpassende flate i reaktoren (ikke vist) når montasjen skrues på plass i reaktoren. En boring 44 med større diameter /som er dannet i den motsatte ende av delen 32, opptar den ene ende av en armatur eller et rørstykke 4 6 som kan innpresses i boringen og loddes på plass, og som opptar forbindelsene mellom parene av utgangssignaltråder 22 og 24
og ytterligere ledninger 48 og 50 som kopler utgangssignalene fra
termoelementene tilpassende styreutrustning (ikke vist) for reaktoren. Rørstykket 4 6 er ved sin utragende ende forsynt med en utvendig gjenge 52 for å oppta et tilsmalnende innvendig gjenget, andre parti av armaturen (ikke vist). I en foretrukket utførelse av oppfinnelsen kan de sylindriske deler 30 og 32 være konstruert av rustfritt stål av høy kvalitet, selv om andre passende materialer også kan benyttes. Når montasjen er montert på reaktoren, slik den er vist på tegningene, er den sylindriske del til venstre for det gjengede parti 40 anbragt i reaktoren, mens den sylindriske del med større diameter til høyre for det gjengede parti 40 strekker seg utenfor reaktoren. Montasjen er konstruert for å motstå trykkforskjeller mellom det indre og det ytre av reaktoren opp til ca. 4000 kg/cm 2.
Den sylindriske del 3 0 av armaturen har to i lengderet-ningen forløpende, diametralt motstående, åpne kanaler 54 som er dannet langs delens ytre sylindriske overflate. Kanalene 54 kan være freset inn i delens 30 overflate. De åpne kanaler 54 strekker seg fra delens'30 temperaturfølende ende langs størstedelen av delens lengde, men ender foran det sted hvor delens 30 andre ende går inn i boringen 34. I den andre ende av delen 30 er boret aksialt forløpende hull 3 6 som dannerønskede kanaler som i koak-sialt forhold står i forbindelse med bunnpartiene av de åpne kanaler 54. Hullene har noe større diameter enn termoelementmantlene, og når for eksempel mantlene hver har en ytterdiameter på 0,5 mm, kan hvert av'hullene ha en diameter på 0,65 mm. Termoelementene anbringes i kanalene 54, slik som vist på fig. 1, 2 og 3, og sølv-slagloddes deretter u hullene eller de lukkede kanaler 56 for å tilveiebringe høytrykkstetninger for montasjen. Termoelementene blir også sølvslagloddet i de åpne kanaler 54 ved spissen 58 nær den temperaturfølende ende av montasjen, ved bare å anbringe noen få dråper av loddemetall i kanalene ved 58. Termoelementene 12 og 14 festes således i kanalene i den sylindriske del 30 ved beg-ge ender av denne, men er fritt understøttet i kanalene 54 over det meste av sin lengde langs delen 30. Denne fritt understøt-tede plassering tillater termoelementene å bøyes svakt i lengden for å kompensere for eventuelle forskjeller i graden av varmeutvidelse mellom armaturen og termoelementene.
De temperaturfølende ender av termoelementene 12 og 14, hvor termoelementovergangene er beliggende, rager en aksial av stand D utenfor enden av delern 30. Den utragende avstand D tillater termoelementene å reagere raskt på endringer i temperatur som finner sted i reaktoren, da de itragende ender av termoelementene er forholdsvis frigjort fra den høye termiske treghet av den større fysiske masse av armaturen. I én utførelse ble denne utragende avstand D valgt lik 1,2 mm. Den utragende avstand D for termoelementendene er et kompromiss mellom en stor avstand som sørger for en høy reaksjonshastighet for termoelementene, og en liten avstand som gir maksimal beskyttelse av termoelementene. Avhengig av den ønskede anvendelse av termoelementmontasjen og den nødvendige reaksjonstid, kan avstanden D selektivt velges større eller mindre.
Den så langt beskrevne utførelse av termoelementmontasjen ifølge oppfinnelsen konstrueres ved benyttelse av følgende monteringsteknikk: •
Armaturdelene rengjøres med et passende løsningsmiddel, og de overflater av termoelementene som skal loddes sammen, ren-gjøres med et fint sandpapir. Loddepasta påføres på de områder av termoelementene som skal loddes sammen, og termoelementene inn-føres i og gjennom de aksiale kanaler i den sylindriske del 30. Termoelement-mantlene 26, 28 beveges deretter frem og tilbake for å sikre at loddepasta arbeides grundig inn i de lukkede partier 56 av de aksiale kanaler 54, 56. Loddepasta anbringes deretter
på den temperaturfølende ende 58 av delen 3 0 hvor termoelementene skal loddes. Deretter innstilles den aksiale utragningsavstand D
- for termoelementenes temperaturfølende ender utenfor enden av delen 30. De partier av termoelementmantlene 26, 28 som ligger nær montasjens temperaturfølende ende 58, sølvslagloddes deretter i kanalene 54. Termoelementene blir deretter krummet eller svakt bøyd i kanalene 54 for å tillate forskjell i varmeutvidelse mellom termoelementene og armaturdelen 3 0 med minst diameter. Den
o
sylindriske del 30 anbringes deretter i vertikal stilling, og den del av armaturen som omgir de lukkede kanaler 56, oppvarmes for å fordampe fuktighet fra loddepastaen i de lukkede kanaler. Loddepasta og en liten vulst av sølv-loddemetall anbringes deretter
rundt termoélementmantelen ved toppen av inngangen til de lukkede kanaler. Delen 30 oppvarmes deretter rundt partiet med de lukkede kanaler 56 inntil loddemetall strømmer fullstendig gjennom de lukkede kanaler og kommer frem ved disses nedre ender. Enden av
den minste sylinderarmatur 30 som skal innføres i den aksiale boring 34 i den større armaturdel 32, rengjøres deretter med et fint sandpapir og all loddepasta og sølv-loddemetall fjernes fra. denne ende. Loddepasta anbringes på de arealer eller flater som skal loddes, og enden av delen 3 0 innføres i boringen 3 4 i den større del 32 inntil den berører flaten eller skulderen 36. Montasjen anbringes deretter i vertikal stilling med delen 30 på toppen, og den største sylindriske armaturdel 32 oppvarmes rundt det område som skal loddes, for å fordampe eventuell fuktighet i loddepastaen. Loddepasta og en vulst av sølvloddemetall anbringes på toppen av delen 32 med størst diameter rundt det område som skal sammenføyes. Utsiden av den store sylindriske armaturdel 3 2 oppvarmes deretter rundt det område som skal loddes, inntil loddemetall strømmer inn i området mellom de to monterte deler 30 og 32. Deretter avkjøles montasjen, og den avsmalnende ende 42 av den store sylindriske del maskineres til den riktige koniske form.
Fig. 5 og 6 viser en andre utførelse av en termoelementmontasje 60 som likner den som allerede er beskrevet og hvor lik-nende eller like deler er betegnet med de samme henvisningstall som på fig. 1-4, men hvor imidlertid kanalene 62 og 64 som er dannet i den sylindriske del 3 0 av armaturen, er fullsteridig luk-ket langs hele lengden av denne del i stedet for å være åpne slik som kanalene 54 i den foran beskrevne utførelse. I denne utfø-relse av oppfinnelsen kan kanalene dannes ved ganske enkelt å
bore to aksiale hull langs lengden av delen 30. Hullene bør være tilstrekkelig store til å tillate eventuell forskjell i varmeutvidelse som finner sted mellom termoelementene 26, 28 og armaturen 30, og bør likevel fremdeles tillate en tilfredsstillende lodding av termoelementenes endepartier 66 og 68 i endene av den sylindriske armaturdel 30.

Claims (9)

1. Termoelementmontasje for drift i en omgivelse med høyt trykk og som sørger for rask reaksjonstid på avfølte endringer i temperatur, karakterisert ved at den omfatter minst ett termoelement (12, 14) som har rask reaksjonstid på av-følte temperaturendringer, en første beskyttende armaturdel (30) som har minst én aksial kanal (54, 56; 62, 64) som strekker seg langs lengden av armaturdelen, idet termoelementet er beskyttet ved at det er i det minste delvis anbragt 1 den aksiale kanal, idet termoelementet har en temperaturfø lende ende (18, 20) som rager noe utenfor den første armaturdels (30) ene ende for å sette den i stand til å avføle temperaturen i det umiddelbart tilgrensende område uten å påvirkes for mye av den første armaturdels temperatur, en andre beskyttende armaturdel~ (32) som er utformet med en aksial boring (34), idet den første armaturdels andre ende er anbragt i boringen, og idet termoelementet strekker seg gjennom boringen, og en anordning for tettende sammenføyning av den første armaturdels (30) andre ende med den andre armaturdel (32) i den nevnte boring (34), for å danne en høytrykkstet-ning mellom de første og andre armaturdeler.
2. Termoelementmontasje ifølge krav 1, karakterisert ved at de første og andre armaturdeler (30, 32) hver har en i hovedsaken sylindrisk form.
3. Termoelementmontasje ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at anordningen for tettende sammenføyning av armaturdelene omfatter midler for lodding av den første armaturdels (30) andre ende i den nevnte boring (34) i den andre armaturdel (32) .
4. Termoelementmontasje ifølge krav 3, karakterisert ved at termoelementet (12, 14) er fastloddet i den aksiale kanal (54, 56; 62, 64) i nærheten av den loddede forbindelse mellom de første og andre armaturdeler, idet termoelementet er fastloddet i den aksiale kanal nær den første armaturdels andre ende, idet et parti av termoelementet strekker seg mellom de to områder hvor det er fastloddet i den aksiale kanal, slik at det er fritt bevegelig i forhold til den aksiale kanal for å tillate en forskjell i varmeutvidelse mellom termoelementet og den første armaturdel. .
5. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den andre armaturdel (32) har et utvendig gjenget parti (40) langs.en del av sin aksiale lengde, og en aksial boring (38) i hvilken termoelementet strekker seg.
6. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den aksiale kanal (54, 56) er dannet i den ytre overflate av den første armaturdel (30).
7.. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den aksiale kanal (62, 64) er en boring som strekker seg aksialt inne i den første armaturdel (30).
8. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at den omfatter to av de nevnte termoelementer (12, 14), og at to aksiale kanaler (54, 56; 62, 64) er dannet i parållelt adskilt forhold i den første beskyttende armaturdel (30) og strekker seg aksialt langs denne, idet hver aksial kanal er innrettet til å oppta et respektivt av termoelementene (12, 14).
9. Termoelementmontasje ifølge ett av de foregående krav, karakterisert ved at termoelementet (10, 60) er et forholdsvis tynt, i hovedsaken sylinderformet termoelement.
NO790817A 1978-03-13 1979-03-12 Termoelementinnretning. NO790817L (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/886,232 US4217463A (en) 1978-03-13 1978-03-13 Fast responsive, high pressure thermocouple

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO790817L true NO790817L (no) 1979-09-14

Family

ID=25388667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO790817A NO790817L (no) 1978-03-13 1979-03-12 Termoelementinnretning.

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4217463A (no)
JP (1) JPS54122180A (no)
BE (1) BE874801A (no)
BR (1) BR7901477A (no)
DE (1) DE2909692A1 (no)
DK (1) DK101379A (no)
FI (1) FI790327A7 (no)
FR (1) FR2422943A1 (no)
GB (1) GB2016804A (no)
IT (1) IT1111529B (no)
LU (1) LU81032A1 (no)
NL (1) NL7901254A (no)
NO (1) NO790817L (no)

Families Citing this family (387)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2473177B1 (fr) * 1980-01-04 1985-06-21 Kawaso Electric Ind Co Dispositif pour determiner la teneur en carbone d'un metal en fusion
DE3147484A1 (de) * 1981-12-01 1983-06-09 Schott-Geräte GmbH, 6238 Hofheim Druck- und flammendurchschlagsicherer sensorenkopf
JPS6112032U (ja) * 1984-06-28 1986-01-24 大同特殊鋼株式会社 測温センサ−
US4778538A (en) * 1987-07-15 1988-10-18 Westinghouse Electric Corp. Dual temperature sensing device having twin well thermowell for dual resistance temperature detectors
FR2659445B1 (fr) * 1990-03-06 1992-07-10 Auxitrol Element sensible a la temperature, et sonde de mesure comportant un tel element.
US5427452A (en) * 1994-01-10 1995-06-27 Thiokol Corporation Rugged quick-response thermocouple for use in evaluating gas generants and gas generators
JP2858220B2 (ja) * 1994-09-13 1999-02-17 川惣電機工業株式会社 温度測定装置における測温センサーエレメント
DE19600822A1 (de) * 1996-01-11 1997-07-17 Basf Ag Sonde zur Temperaturmessung
KR970063801A (ko) * 1996-02-22 1997-09-12 김광호 반도체 소자 제조 장치의 열전대(thermocouple)
USD397043S (en) 1997-05-07 1998-08-18 Kasman David H Thermocouple assembly
US7018096B2 (en) * 2003-04-25 2006-03-28 Universal Leaf Tobacco Company, Inc. Packed product temperature measuring device
DE102006040135B4 (de) * 2006-08-26 2010-04-08 Temperaturmeßtechnik Geraberg Temperaturfühler mit Prüfkanal
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
FR2958037B1 (fr) * 2010-03-26 2025-01-10 Sc2N Sa Capteur de temperature
DE102011008176B4 (de) 2011-01-10 2013-02-07 Klaus Irrgang Thermoelektrischer Temperaturfühler
DE202011001277U1 (de) 2011-01-10 2012-04-16 Klaus Irrgang Thermoelektrischer Temperaturfühler
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9188489B2 (en) * 2011-12-01 2015-11-17 Rosemount Inc. Twisted sensor tube
US20130301677A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Thermo King Corporation Temperature probe for transport refrigeration
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9587993B2 (en) * 2012-11-06 2017-03-07 Rec Silicon Inc Probe assembly for a fluid bed reactor
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
JP6632583B2 (ja) * 2017-08-30 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び基板処理装置
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
CN108151895A (zh) * 2017-12-28 2018-06-12 大连交通大学 一种尺寸可定制的瞬态响应温度传感器及其制备方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN120591748A (zh) 2018-06-27 2025-09-05 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TWI908758B (zh) 2020-02-04 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
TWI911214B (zh) 2020-05-19 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
JP7197534B2 (ja) * 2020-06-12 2022-12-27 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB814503A (en) * 1956-06-06 1959-06-03 Jay Paul Gould Thermocouple attachment for pressure vessels, lines and the like
US3376169A (en) * 1963-07-12 1968-04-02 Bayard C. Davis Thermocouple assembly having a deformable ferrule housing

Also Published As

Publication number Publication date
BE874801A (fr) 1979-09-13
GB2016804A (en) 1979-09-26
NL7901254A (nl) 1979-09-17
LU81032A1 (fr) 1979-10-30
IT1111529B (it) 1986-01-13
FI790327A7 (fi) 1979-09-14
US4217463A (en) 1980-08-12
DE2909692A1 (de) 1979-09-27
IT7920949A0 (it) 1979-03-13
JPS54122180A (en) 1979-09-21
DK101379A (da) 1979-09-14
BR7901477A (pt) 1979-10-09
FR2422943A1 (fr) 1979-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO790817L (no) Termoelementinnretning.
US3038951A (en) Fast acting totally expendable immersion thermocouple
US11313747B2 (en) Fill fluid thermal management
US2999121A (en) Fast acting totally expendable immersion thermocouple
US5348395A (en) Aspirating pyrometer with platinum thermocouple and radiation shields
US2839594A (en) Contact thermocouple assembly
US4749415A (en) Fast response thermocouple element
KR100441572B1 (ko) 온도측정용프로브
US3935032A (en) Sheathed thermocouple
US9354121B2 (en) Corrosion resistant thermowells with thin wall tips
GB1378279A (en) Device for positioning within a wall of a furnace and for measuring the temperature in the furnace
US2152153A (en) Thermocouple
US4460802A (en) Radially activated thermocouple assembly
Magee et al. High-temperature adiabatic calorimeter for constant-volume heat capacity measurements of compressed gases and liquids
US5201022A (en) Coated optical fiber
US2094102A (en) Thermoelectric apparatus
US2581229A (en) High-temperature quick action thermocouple
US3467175A (en) Infrared detecting device
CN211178772U (zh) 热电偶
US9683899B2 (en) Immersible fast responding thermocouple assembly
Rusby Introduction to temperature measurement.
US12253419B2 (en) Thermometer
JPS5924979Y2 (ja) スラグ用浸漬測温計
Nanigian Thermocouples: In-Wall, Wall Surface and In-Stream
US3200647A (en) Best available copy