Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia przyrzadu pólprzewodnikowego, zwlaszcza ty¬ rystora.Tyrystory skladaja sie zwykle z czterech warstw materialu pólprzewodnikowego o przeciwnych wzgledem siebie typach przewodnictwa i trzech zlaczach pn pomiedzy nimi. W przypadku utwo¬ rzenia wielu takich przyrzadów na pojedynczej plytce pólprzewodnikowej, co najmniej dwa ze zlacz pn leza zwykle w poprzek calej plytki. Te dwa zlacza pn musza byc poddane pasywacji lub zabezpieczone w jakis sposób, tak zeby zlacza pn byly niezawodne i stabilne po oddzieleniu przy¬ rzadów.Znany jest sposób wytwarzania przyrzadu pól¬ przewodnikowego przy zapewnieniu pasywacji, który polega na wytrawieniu obszarów w plytce, zwTykle przeciwleglych wzgledem siebie, dla wy¬ dajnego wykorzystania obszaru plytki, wokól ka¬ zdego z wielu przyrzadów do glebokosci takiej, ze zlacza! pn zostaja odkryte. Wytrawione obszary zostaja nastepnie wypelnione znanym materialem pasywujacym. Przyrzady zostaja nastepnie oddzie¬ lone w plaszczyznie innej niz plaszczyzna prze¬ chodzaca przez wytrawione obszary tak, ze na material pasywujacy nie dzialaja zaklócenia pod¬ czas procesu oddzielania przyrzadów. Sposób ten ma kilka wad zwiazanych z tym, ze po wytwo¬ rzeniu wytrawionych obszarów, plytka jest struk¬ turalnie bardzo krucha. Oznacza to, ze jezeli gru¬ bosc plytki pomiedzy przeciwleglymi wytrawiony¬ mi obszarami zostaje bardzo zmniejszona, plytka ma tendencje do pekania podczas zwyklych ope¬ racji. 5 Znany sposób wytwarzania wielu tyrystorów na pojedynczej plytce, który zapobiega pekaniu, obej¬ muje wytworzenie wytrawionego obszaru wokól kazdego przyrzadu jedynie na jednej stronie plyt¬ ki. Obszar ten jest wykonany tak, ze rozciaga sie 10 do glebokosci takiej, ze jedynie jedno z dwóch' zlaczy pn zostaje odkryte. Nastepnie do plytki zostaja wdyfundowane domieszki, zwykle atomy boru, dila wytworzenia obszaru w pozostalej czesci plytki ponizej wytrawionego obszaru. Wytrawiony 15 obszar zostaje nastepnie wypelniony materialem, który pasywuje odkryte zlacze pn. Przyrzady zo¬ staja nastepnie rozdzielone w plaszczyznie innej niz plaszczyzna przechodzaca przez wytrawiony obszar. W tym sposobie drugie z dwóch omawia- 20 nych powyzej zlaczy pn nie wymaga specjalnej pasywacji, jezeli nie konczy sie ono, zgodnie z wdyfundowanym obszarem, w plaszczyznie roz¬ dzialu. Sposób ten ma jednakze te wade, ze jezeli plytka jest krzemowa, co zwykle ma miejsce, w 25 plytce powstaja dyslokacje. Dyslokacje te sa zwy¬ kle powodowane przez niedopasowanie sieci kry¬ stalicznych atomów iboru i atomów krzemu. Dys¬ lokacje te maja wplyw zaklócajacy podczas dzia¬ lania przyrzadu. Dla przykladu, takie dyslokacje 30 moga powodowac zwiekszenie pradów uplywo- 114 729114 729 wych, które moga spowodowac powazne uszkodze¬ nie zlacza przy potencjalach tak niskich jak okolo 200 V. Zwykle dyslokacje powoduja takze zmniej¬ szenie wydajnosci wyTObu.Celem wynalazku jcst opracowanie sposobu, który umozliwia tworzenie wielu przyrzadów pól- prow^dnikowych w plytce pólprzewodnikowej przy" zapewnieniu plytki trwadszej fizycznie i po- rcft^ss^almycli przyrzadów.Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodniko¬ wego wedlug wynalazku polega na tym, ze tworzy sie selektywnie zródlo drugich domieszek okres¬ lajacych • taki sam jak zródlo pierwszych domie¬ szek typ przewodnictwa wy-branych obszarów plytki pólprzewodnikowej, przy czym dobiera sie drugie domieszki o wiekszej dyfuzyjnosci w plyt¬ ce w, porównaniu z pierwszymi domieszkami i^ ogrzewa sie plytke do temperatury, w której wywoluje sie przenikanie pierwszych domieszek j "'''drugich domieszek w plytce przez czas dosta¬ tecznie dlugi tak, ze wytwarza sie za pomoca dru¬ gich domieszek pierwsze ciagle obszary pomiedzy dwiema przeciwleglymi powierzchniami.¦Wedlug wynalazku wytwarza sie za pomoca pierwszych domieszek drugie ciagle obszary po¬ miedzy pierwszymi ciaglymi obszarami. Podczas tworzenia zródla pierwszych domieszek wytwarza sie pierwsza warstwe materialu zawierajacego pierwsze domieszki na kazdej z dwóch glównych, przeciwleglych powierzchni plytki pólprzewodni¬ kowej.W jednej z realizacji wynalazku podczas two¬ rzenia pierwszej warstwy oddzialuje sie sila¬ nem lub boroetanem na plytke, skutkiem czego na kazdej z powierzchni plytki osadza sie szklo bo- rotfcrzemianofwe. Oddzialuje sie silanem lub bo¬ roetanem w takiej proporcji, ze szklo borokrze- mianowe zawiera okolo 17% wagowych boru.Reakcje te przeprowadza sie az do chwili, gdy okolo 6000 A szkla borokrzemianowego zostanie osadzone na kazdej z powierzchni.Wedlug wynalazku podczas selektywnego two¬ rzenia zródla drugich domieszek wytwarza sie druga warstwe materialu ¦ maskujacego" na po¬ wierzchniach plytki, selektywnie odkrywa sie fragmenty plytki i poddaje sie dzialaniu odkryte fragmenty zródla drugich domieszek. Podczas tworzenia drugiej warstwy materialu maskujacego osadza sie chemicznie dwutlenek krzemu z" gazo¬ wego silanu-. Druga warstwe materialu maskuja¬ cego wyzarza sie. Podczas wyzarzania ogrzewa, sie druga warstwe materialu maskujacego do tempe¬ ratury okolo 900°C przez okolo 30 minut.Wedlug wynalazku selektywnie odkrywa sie fragmenty dwóch przeciwleglych powierzchni, które to fragmenty leza naprzeciw siebie. Podczas selektywnego odkrywania odkrywa sie fragmenty zródla domieszek glinowych. .Wedlug. wynalazku podczas ogrzewania ogrzewa sie plytke do* okolo 1300°C przez okolo 20 godzin.Wedlug wynalazku jako pierwsza domieszke stosuje sie 'bor i jako druga domieszke stosuje sie glin.Wedlug wynalazku • podczas tworzenia warstwy materialu maskujacego osadza sie chemicznie dwutlenek krzemu z gazowego silanu.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania „na rysunku, na którym 5 fig. 1 przedstawia przekrój poprzeczny podloza z materialu pólprzewodnikowego na tyrystor w poczatkowym etapie wytwarzania, fig. 2 — prze¬ krój poprzeczny podloza z materialu pólprzewod¬ nikowego wraz z wytworzonymi na nim warstwa- 10 mi z materialu izolacyjnego, fig. 3 — podloze z fig. 2 wraz'z wytworzonymi na nim warstwami z materialu maskujacego, fig. 4 — podloze z £g. 3 po odkryciu fragmentów powierzchni materialu pólprzewodnikowego, fig. 5 — podloze wraz z wy- 15 tworzonymi w nim obszarami o przewodnictwach typu p i typu n, oraz fig. 6 — przekrój poprzecz¬ ny wytworzonego tyrystora.Poczatkowy poddawany obróbce przedmiot w sposobie wytwarzania przyrzadu pólprzewodniko- 20 wego 10 wedlug wynalazku jest podlozem z mate¬ rialu pólprzewodnikowego, jak pokazano na fig. 1.Korzystnie materialem na podloze jest krzem.Podloze ma korzystnie postac plytki 12 posiadaja¬ cej dwie w zasadzie równolegle, glówne, przeciw- 25 legle powierzchnie 14 i 16. Pomimo tego, ze plytka 12 moze miec dowolne wymiary stosowane w technologii pólprzewodnikowej, zalecane jest, aby plytka 12 miala srednice okolo 5,-1 centymetra i grubosc okolo 200 mikrometrów. Plytka 12 ma no poczatkowa rezystywnosc pomiedzy okolo 25 om. cm i 45 om. cm. Tak wiec srednia koncentracja domieszek w plytce jest pomiedzy 2,1 xl014 ato¬ mów/cm* do 1,0x104* atomów/cm*. Korzystnie jest, gdy zawarte domieszki sa takie, ze plytka 12 ma 35 slabe przewodnictwo typu n (donory), chociaz do¬ mieszki wytwarzajace slabe przewodnictwo typu p (akceptory) moga takze byc zastosowane, o ile wszystkie pozostale typy przewodnictwa zostana podobnie zmienione.AQ Omawiajac fig. 2, warstwy 18 i 19 materialu izolacyjnego, zawierajace w tym przypadku pier¬ wsze domieszki akceptorowe, sa utworzone na dwóch powierzchniach 14 i 16 plytki. Bor, jak ^wiadomo, jest ogólnie istosowana domieszka akcep- 45 torowa i warstwy 18 i 19 moga byc na przyklad ze szkla borokrzemianowego. Szklo borokrzemia- nowe moze byc wytworzone przy uzyciu znanej chemicznej techniki osadzania prózniowego i kom¬ binacji silanu (S1H4), boroetanu (B2H6, tlenu (Os) 50 i azotu (N2) jako gazów reagujacych. Korzystne jest, gdy silan i boroetan sa w takiej proporcji, ze uzyskane szklo borokrzemianowe zawiera okolo- 17% do okolo 20% boru: Korzystnie osadzanie kaz¬ dej z warstw 18 i 19 jest przeprowadzane az- do M czasu, gdy. poszczególne warstwy 18 i 19 beda mialy grubosc rzedu okolo 6000 A.Jak pokazano na fig. 3, warstwy 20 i 21 mate¬ rialu maskujacego sa wytworzone odpowiednio na warstwach 18 i 19 ze szkla borokrzemianowego. eo Kazda warstwa 20- i 21 materialu maskujacego moze byc na przyklad warstwa osadzona chemicz¬ nie w prózni wykonana z trwutlenku krzemu o grubosci pomiedzy okolo 30 000 A a okolo 36 000 A lub kazda moze byc warstwa azotku icrzemu a 65 grubosci rzedu okolo 2000 A lub podobnej. Jezeli114 729 zastosowany jest dwutlenek krzemu osadzony chemicznie w prózni, zalecane jest, aby plytka 12 zostala po jej wytworzeniu wyzarzona. Wyzarza¬ nie jest korzystnie realizowane przez ogrzewanie plytki 12 w okolo 900°C przez' okolo 30 minui.Proces wyzarzania powoduje utworzenie dwutlen¬ ku krzemu, tak ze jest on mniej podatny na przenikanie jakichkolwiek kolejnych dyfunduja- cych domieszek.Omawiajac teraz fig. 4 jest na niej pokazane, ze nastQpnie zostaja odkryte wybrane fragmenty 22 dwóch powierzchni 14 i 16 odpowiednio po¬ przez otwory 24 w warstwach 18, 20 i 19, 21.Otwory 24 zostaja utworzone przy zastosowaniu znanych technik maskowania i fotolitografii i za¬ stosowaniu znanych odczynników trawiacych. Ko¬ rzystne jest z przyczyn, które stana sie oczywiste, przy. wytwarzaniu tyrystora, aby otwory 24 na kazdej z powierzchni 11 i 16 lezaly naprzeciwko siebie.Plytka 12 posiadajaca uprzednio odkryte frag¬ menty 22 powierzchni 14 i 16, zostaje nastepnie odkryta dla zródla domieszek warunkujacych ten sam typ przewodnictwa, jak domieszki w war¬ stwach 18 i 19, w tym przypadku domieszek ak¬ ceptorowych. Te drugie domieszki powinny byc tego rodzaju, który ma wiekszy wspólczynnik dy¬ fuzji w porównaniu z pierwszymi domieszkami w warstwach 18 i 19. Korzystne jest, gdy druga do¬ mieszka jest glin, który ma dyfuzyjnosc w krze¬ mie okolo trzy razy wieksza niz bor. Domieszki glinowe moga byc dyfundowane do plytki 12 przy zastosowaniu dowolnego znanego sposobu. Do¬ mieszki glinowe wnikaja do powierzchni 14 i 13 przez otwory 24, pozostale warstwy 20 i 21 dwu¬ tlenku krzemu, w polaczeniu z warstwami 18 ; 19 ze szkla borokrzemianowego, maskuja nie odkryto fragmenty 26 powierzchni 14 i 16 przed domiesz¬ kami glinowymi. Plytka 12 jest. nastepnie chlo¬ dzona w konwencjonalny sposób. Korzystne jest, gdy w tym momencie istnieje koncentracja po¬ wierzchniowa domieszek glinowych wieksza niz okolo lxl01B atomów/cm*, które wnikaja do plyt¬ ki 12 ponizej odkrytych fragmentów 22 do glebo¬ kosci okolo 12 mikrometrów. W zwiazku z ogrze¬ waniem plytki 12 podczas procesu dyfuzji pewna ilosc boru z warstw 18 i 19 przechodzi do plytki 12 i dlatego w tym momencie istnieje takze kon¬ centracja powierzchniowa domieszek borowych okolo lxl018 atomów/cm*, które wnikaja do plytki 12 ponizej nie odkrytych fragmentów 26 do glebokosci okolo 3 mikrometry.Pomimo tego, ze opisano zastosowanie warstw 18 i 19 ze szkla borokrzemianowego jako sposobu zapewnienia koncentracji powierzchniowej domie¬ szek borowych ponizej nie ddisloniejtych fragmen¬ tów 26, niniejszy sposób nie stanowi ograniczenia.Dla przykladu, domieszki borowe moga byc do¬ starczone w wyniku implantacji jonów przed wy¬ tworzeniem warstw 20 i 21 materialu maskuja¬ cego. Zalecana koncentracja powierzchniowa do¬ mieszek borowych jest uzyskiwana przy uzyciu znanych technik implantacji jonów. Warstwy 20 i 21 materialu maskujacego sa przy implantacji jonów zastosowanej dla zródla domieszek boro¬ wych, stosunkowo grubsze w celu kompensacji zmniejszonego maskowania glinu zwiazanego z brakiem warstw 18 i 19 ze szkla borokrzemiano¬ wego. Odmiennie, koniecznosc warstw 20 i 21 ma- 5 terialu maskujacego moze byc w zasadzie wyeli¬ minowana, jezeli zródlo domieszek glinowych jest takze tworzone za pomoca implantacji jonów. Wy-., zej opisany sposób wykorzystania szkla borokrze¬ mianowego i warstwy materialu maskujacego jest/ 10 obecnie zalecany ze wzgledu na wyzsze koszty technik implantacji jonów.W niniejszym sposobie, pozostale szklo z dwu¬ tlenku krzemu i borokrzemianowe zostaje nastep¬ nie usuniete przy uzyciu znanych sposobów. Plyt- 15 ka 12 jest nastepnie ogrzewana do temperatury, w której pierwsze domieszki i drugie domieszki wnikaja nadal do niej. Plytka 12 pozostaje w tej temperaturze przez czas, który jest dostatecznie dlugi, by drugie domieszki przeniknely przez plyt- 20 ke 12 i utworzyly ciagly obszar 28 pomiedzy po¬ wierzchniami 14 i 16, jak pokazano na fig. 5. W niniejszym przykladzie plytka 12 jest ogrzewana do temperatury pomiedzy okolo 1200°C a okolo 1300°C i utrzymywana w tym zakresie tempera-, 25 tury odpowiednio przez okolo 140 godzin do okolo 20 godzin. Jest to znacznie krótszy czas od czasu potrzebnego w przypadku zastosowania boru lub domieszki posiadajacej stosunkowo mniejsza dy¬ fuzyjnosc, w celu utworzenia obszaru 28. Ponadto 30 koncentracja glinu w przyblizeniu w polowie dro¬ gi przez plytke 12 jest rzedu okolo 2xl015 ato¬ mów/cm' i jest dla przedstawionych temperatur i czasów* wieksza w porównaniu z koncentracja przy zastosowaniu materialu o stosunkowo mniej- 33 szym wspólczynniku dyfuzji. Powoduje to stosun¬ kowo lepsza pasywacje przyrzadu, w tym przy¬ padku tyrystora. Podczas wyzej opisanego pro¬ cesu, domieszki borowe wnikaja na glebokosc okolo 40 mikrometrów od kazdej powierzchni 14 40 i 16 i od innego ciaglego obszaru 30 ponizej po¬ wierzchni pomiedzy obszarami 28.W wyniku powyzszego procesu zostaje wytwo¬ rzonych wiele obszarów 32 pierwotnej plytki 12.Obszary 32 sa w tym przypadku wykonane z ma- 45 terialu plytki 12, która- ma w zasadzie ten sam typ przewodnictwa i koncentracje podczas wszy¬ stkich opisanych powyzej etapów i obszary 32 sa w zasadzie otoczone przez ciagle obszary 28 i 30.Wiele zlacz pn 34 wystepuje pomiedzy obszarami 50 32 i otaczajacymi je obszarami 28 i 30.W tym miejscu etapy sposobu wedlug wynalaz¬ ku zostaja w zasadzie zakonczone. Z plytki mozna uzyskac wiele czterowarstwowych npnp przyrza¬ dów pólprzewodnikowych 10, na przyklad tyry- 5j storów, w wyniku procesu przeprowadzanego zgodnie z nastepujacymi etapami. Etap wytwarza¬ nia obszarów katod 36 typu n w ciaglych obsza¬ rach 30, które tworza dla przykladu obszary bra¬ mek 38, etap ten moze zostac zrealizowany przy e9 uzyciu znanych technologii pólprzewodnikowych.Etap elektrycznego oddzielania obszarów bramek 38 od ciaglych obszarów 28 i 30 przy uzyciu zna¬ nych metod, takich jak wytrawianie Obsza-, rów i nastepnie ich wypelnianie Ten etap • 65 oddzielania powinien byc talti, zeby odkry-114 729 te fragmenty zlacz pn 34 zostaly poddane pasywacji po wypelnieniu wytrawionych obsza¬ rów. Pozostale elektrycznie ciagle obszary 28 i 30 tworza w tym przypadku obszary anod. Ob¬ szary 32 tworza obszary baz kazdego z tyrystorów.Pierwsze, drugie i trzecie doprowadzenie, odpo¬ wiednio 40, 42 i 44, moga zostac wytworzone przy uzyciu znanych technik. W tym przykladzie pier¬ wsze, drugie i trzecie doprowadzenie, odpowiednio 40, 42 i 44, tworza elektrody i anode, bramke i katode. W koncu plytka 12 zostaje podzielona znanym sposobem wzdluz plaszczyzn, które prze¬ chodza przez ciagle obszary 28.Jak omawiano powyzej, otwory 21 sa korzystnie utworzone naprzeciw siebie na powierzchniach 14 i 16. Jezeli plytka 12 bylaby stosunkowo ciensza, na przyklad rzedu okolo 150 mikrometrów, by¬ loby mozliwe wytworzenie ciaglego obszaru 28 przez odkrycie obszarów 22 jedynie na jednej po¬ wierzchni 14 plytki 12. Jednakze czas dyfuzji byl¬ by zwiekszony a wiec plytka bylaby poddana sto¬ sunkowo wyzszej temperaturze dyfuzji przez ten dluzszy czas. Jest to niepozadane, poniewaz pod¬ danie stosunkowo wysokim temperaturom moze spowodowac zanieczyszczenie plytki 12 i im dluzej plytka 12 jest poddawana dyfuzji, tym wieksza jest mozliwosc uszkodzenia plytki 12'. Ponadto, jezeli ciagly obszar 28 zostaje wytworzony przez dyfuzje jedynie z jednej powierzchni, uzyskiwana koncentracja domieszek przy przeciwleglej po¬ wierzchni jest mniejsza niz w powyzej omawia¬ nym sposobie, co powoduje mniejsza pasywacje zlacza.Zastosowanie glinu jako drugiej domieszki dla wytworzenia ciaglego obszaru 28 ma dalsza zalete, nawet pomimo tego, ze stwarza trudnosci przy maskowaniu, poniewaz glin ma mniejsze niedopa¬ sowanie sieci krystalicznych w porównaniu z krze¬ mem. Dla przykladu, bor, najczesciej stosowana domieszka typu p, ma niedopasowanie sieci kry¬ stalicznej rzedu okolo 25%, podczas gdy glin ma niedopasowanie sieci krystalicznej rzedu okolo 7%.Niedopasowanie sieci krystalicznej jest pomiarem porównawczym wymiarów atomów dwóch ma¬ terialów. Tak wiec dla przykladu, jezeli bor ma niedopasowanie sieci krystalicznej 25% wzgledem krzemu i glinu ma niedopasowanie sieci krysta¬ licznej wzgledem krzemu jedynie 7%, jeden atom boru wprowadzony do plytki krzemowej powoduje wieksze zaklócenia atomowe niz jeden atom glinu.Tak wiec przy uzyciu gilinu zamiast boru jako drugiej domieszki dla utworzenia ciaglego obszaru 28, ciagly obszar 28 zostaje fizycznie mniej zakló¬ cony i skutkiem tego zapewnia lepsza pasywacje elektryczna dla przyrzadu 10.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewod¬ nikowego, zwlaszcza tyrystora, w którym tworzy sie zródlo pierwszych domieszek, okreslajacych jeden typ przewodnictwa, na dwóch glównych, przeciwleglych powierzchniach plytki pólprzewod¬ nikowej, przy czym plytka zawiera domieszki przeciwnego typu, znamienny tym. ze tworzy s;e selektywnie zródlo drugich domieszek okreslaja¬ cych taki sam jak zródlo pierwszych domieszek typ przewodnictwa wybranych obszarów plytki pólprzewodnikowej, przy czym dobiera sie drugie 5 domieszki o wiekszej dyfuzyjnosci w plytce w po¬ równaniu z pierwszymi domieszkami i ogrzewa sie plytke do temperatury, w której wywoluje sie przenikanie pierwszych domieszek i drugich do¬ mieszek w plytce przez czas dostatecznie dlugi 10 tak, ze wytwarza sie za pomoca drugich domie¬ szek pierwsze ciagle obszary pomiedzy dwiema przeciwleglymi powierzchniami. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wytwarza sie za pomoca pierwszych domieszek 15 drugie ciagle obszary pomiedzy pierwszymi cia¬ glymi obszarami. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze. podczas tworzenia zródla pierwszych domieszek wytwarza sie pierwsza warstwe materialu zawie- 20 rajacego pierwsze domieszki na kazdej z dwóch glówmych, przeciwleglych powierzchni plytki pól¬ przewodnikowej. 4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze podczas tworzenia pierwszeij warstwy olddzialu- 25 je sie silanem lub boroetanem na plyitke, skut¬ kiem czego na kazdej z powierzchna plytki osadza sie szklo borokrzemianowe. 5. Sposób wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze oddzialuje sie silanem lub boroetaneim w takiej 30 proporcji, ze szklo borokrzemianowe zawiera oko¬ lo 17% wagowych boru. 6. Sposób wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze przeprowadza sie reakcje oddzialywania silanem lub boroetanem, az do chwili, gdy okolo 0000 A 35 szkla borokrzemjanowego zostanie osadzone na kazdej z powierzchni plytki. 7. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze podczas selektywnego tworzenia zródla drugich domieszek wytwarza sie druga warstwe materialu 4d maskujacego na powierzchniach plytki, selektyw¬ nie odkrywa sie fragmenty plytki i poddaje sie dzialaniu odkryte fragmenty zródla drugich do¬ mieszek. 8. Sposób wedlug zastrz. 7, znamienny tym, ze 45 podczas tworzenia drugiej warstwy materialu maskujacego osadza sie chemicznde dwutlenek krzemu z gazowego silanu. 9. Sposób wedlug zastrz. &, znamienny tym, ze wyzarza sie druga warstwe materialu maskuja- ii cego. 10. Sposób wedlug zastrz. fy znamienny tym, ze podczas wyzarzania ogrzewa sie druga warstwe materialu maskujacego do temperatury okolo 900°C przez okolo 30 minut. 35 11. Sposób wedlug zastrz, 7, znamienny tym, ze selektywnie odkrywa sie fragmenty dwóch prze¬ ciwleglych powierzchni, które to fragmenty leza naprzeciw siebie. 12. Sposób wedlug zastrz, 7, znamienny tym, ze 6§ podczas selektywnego odkrywania odkrywa sie; fragmenty zródla domieszek glinowych. 13. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze podczas ogrzewania ogrzewa sie plytke, do okofo* 1300°C przez okolo 20 godzin. w 14. Sposób wedlug zastrz, 1, znamienny tym, le114 729 9 10 stosuje sie bor jako pierwsza domieszke i glin podczas tworzenia warstwy materialu maskujace- jako druga domieszke. go osadza sie chemicznie dwutlenek krzemu z ga- 15. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zowego silanu.Fig. I ^//////////mr Fig.I K^yyyyypyyyyyy? Fig. J F/g. 4 Fig. 3 2fr M U gg wk 11' M' JK L24 *2I */*.# Kv?ro i , h , , a, ,\\T^kta 40-* «' ^J4 *-30 PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL