Przedmiotem wynalazku jest czujnik odksztalcen postaciowych reagujacy na odksztalcenia postacio¬ we powierzchni ciala, do którego jest przytwier¬ dzony.Stosowany dotychczas czujnik odksztalcen po¬ staciowych znany z opisu patentowego ZSRR nr 439690 wykonany jest z cienkiej prostokatnej plyt¬ ki monokrysztalu germanu. Czujnik posiada czte¬ ry punktowe elektrody — dwie zasilajace i dwie sygnalowe z których jedna zasilajaca i jedna sy¬ gnalowa jest prostujaca, przy czym plaszczyzna w której polozone sa warstwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sygnalowych jest plaszczyzna krystalograficzna typu 110 zas najdluzsza krawedz plytki prostokatnej jest obrócona wzgledem osi typu 111 o kat 30°.Opisany czujnik charakteryzuje sie mala czulos¬ cia na naprezenia i deformacje, przy tym jest clu- ly na wszystkie skladowe wymienionych wielkosci, charakterystyczne dla plaskiego stanu deformacji w plaszczyznie elektrod tzn. jest czuly na defor¬ macje postaciowe, poprzeczne i wzdluzne. Ponad¬ to wyzej wymieniony czujnik znany z opisu pa¬ tentowego ZSRR posiada nieliniowe charaktery¬ styki przetwarzania i charakterystyki pradowo na¬ pieciowe oraz wykazuje znaczna wrazliwosc na temperature i w zwiazku z tym wymaga stoso¬ wania terrhokompensacji.Niedogodnoscia przedstawionego rozwiazania jest równiez koniecznosc specjalnego polaryzowania 10 15 25 30 wszystkich elektrod wzgledem siebie tzw. napie¬ cie zasilania podaje sie na jedna pare elektrod a na druga pare elektrod podaje sie przedpiecie, przy tym przedpiecie to powinno byc podawane ze zródla symetrycznego wzgledem zasilania.Czujnik odksztalcen postaciowych wedlug wy¬ nalazku wykonany w postaci pólprzewodnikowej polikrystalicznej warstwy prostokatnej osadzonej na podkladce nosnej z materialu dielektrycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewod¬ nosci elektrycznej w stosunku do warstwy pól¬ przewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygna¬ lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania charak¬ teryzuje sie tym, ze warstwa pólprzewodnikowa jest polikrystaliczna.W innym rozwiazaniu czujnika warstwa pól¬ przewodnikowa jest rnonokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu i wówcaas plaszczyzna, w której polozone sa war¬ stwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sy¬ gnalowych jest plaszczyzna typu 111.W alternatywnym rozwiazaniu czujnika war¬ stwa pólprzewodnikowa jest rnonokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu, przy czym plaszczyzna, w której sa po¬ lozone warstwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sygnalowych jest plaszczyzna typu 100 116 745f 116 \ 3 natomiast os laczaca najbardziej wysuniete ku srodkowi czujnika punkty warstw kontaktowych elektrod sygnalowych ma kierunek typu 100 i 110.Ponadto korzystne jest gdy w kazdym z wymie¬ nionych rozwiazan elektrody zasilania sa nanie¬ sione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pól¬ przewodnikowej.Czujnik -wediug wynalazku wykazuje korzystne skutki techniczne i techniczno-uzytkowe. Charak¬ teryzuje sie on duza czuloscia na naprezenia i de- iormacje. W ukladzie wspólrzednych prostokatnych oxtx2 jest czuly jedynie na deformacje postaciowe ij. nie reaguje on na deformacje wzdluz i w po¬ przek osi czujnika. Ponadto czujnik wedlug wy- ^nalazku w stosunku do rozwiazania znanego jest | bardziej czuly w zakresie deformacji spelniaja¬ cych prawo Hooka. , ] Nowoopracowany czujnik posiada liniowe cha- {^r^^erj^styki przetwarzania a w przypadku zasto¬ sowania nieprostujacych kontaktów elektrod ma równiez liniowe charakterystyki pradowo-napie- ciowe. Wykazuje tez zmniejszona wrazliwosc na temperature, dzieki czemu zbedne jest stosowanie termokompensacji zera.Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykla- dzie wykonania na rysunku na którym fig. 1 przedstawia czujnik odksztalcen postaciowych w widoku z boku a fig. 2 ten sam czujnik w wido¬ ku z góry. jCzujnik odksztalcen postaciowych wykonany technika naparowania prózniowego sklada sie z prostokatnej warstwy pólprzewodnikowej 1 nanie¬ sionej na podkladke nosna 2 wykonana z mate¬ rialu dielektrycznego. Na warstwe pólprzewodni¬ kowa 1 naniesione sa warstwy metaliczne kontak- 35 towe stanowiace elektrody zasilania 3 i elektrody sygnalowe 4, Do elektrod zasilania 3 dolaczone sa metaliczne odprowadzenia pradowe 5 zas do elek¬ trod sygnalowych 4 dolaczone sa metaliczne od¬ prowadzenia pradowe 6. Elektrody zasilania 3 40 i elektrody sygnalowe 4 oraz warstwa pólprzewod¬ nikowa 1 wykonane sa symetrycznie wzgledem osi uicladu wspólrzednych prostokatnych cxlt ox2 przy czym os oxj przechodzi przez najbardziej wysunie¬ te ku srodkowi czujnika punkty elektrod sygnalo- 45 wych 4.Czulosc czujnika zalezy wprost proporcjonalnie od stosunku odleglosci elektrod zasilania 3 do od¬ leglosci elektrod sygnalowych 4.W. przypadku realizacji czujnika z pólprzewod- 50 ników monokrystalicznych o strukturze typu dia¬ mentu lub sfalerytu w celu wyeliminowania czu¬ losci na odksztalcenia osiowe czuynik jest realizo¬ wany w plaszczyznie krystalograficznej typu 111 lub w plaszczyznie typu 100 lecz w tym drugim M przypadku nalezy os 0X4 zorientowac w kierunku typu 100 lub typu 110.Maksymalna czulosc na odksztalcenia katowe uzyskuje sie gdy czujnik realizowany jest w pla¬ szczyznie krystalograficznej" typu 100 zas os oxt ^ jest zorientowana nastepujaco: dla pólprzewodni¬ ków, w których l*44l l*ii—««! os oxt jest równolegla do kierunku typu 100, gdzie: & '4 JI44, Jiji, JI12 oznaczaja wspólczynniki piezorezystyw- nosci pólprzewodników, natomiast dla pólprzewod¬ ników, w którym |jt44l < 1^11—Jt12l os oxj jest równolegla do kierunku typu 110.Maksymalne wartosci czulosci sa okolo dwukrot¬ nie wieksze cd czulosci uzyskiwanych przy reali¬ zacji czujnika w plaszczyznie krystalograficznej typu 111 i od dwu do czterokrotnie wieksze od czulosci uzyskiwanych dla analogicznych pólprze¬ wodników polikrystalicznych.Zastrzezenia patentowe 1. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dielek¬ trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygnalo¬ we usytuowane na osi laczacej srodki warstw kon¬ taktowych elektrod zasilania i rozmieszczone sy¬ metrycznie wzgledem elektrod zasilania, znamien¬ ny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest po¬ likrystaliczna. 2. Czujnik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 3. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu die¬ lektrycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elek¬ trody sygnalowe usytuowane na osi laczacej srod¬ ki warstw kontaktowych elektrod zasilania i roz¬ mieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasi¬ lania, znamienny tym, ze warstwa pólprzewodni¬ kowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze kry-: stalograficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyzna, w której polozone sa warstwy kontaktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sy¬ gnalowych (4) jest plaszczyzna typu 111. 4. Czujnik wedlug zastrz. 3, znamienny tm, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 5. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dialek- trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygna¬ lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania, zna¬ mienny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyz¬ na, w której- sa polozone warstwy kontaktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sygnalowych (4) jest plaszczyzna typu 100 natomiast os laczaca naj-116 745 bardziej wysuniete ku srodkowi czujnika punkty warstw kontaktowych elektrod sygnalowych (4) ma kierunek typu 100. 6. Czujnik wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz kra¬ wedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 7. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dielek¬ trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody - lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw 10 kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania, zna¬ mienny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze krystalogra¬ ficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyzna, w której sa polozone warstwy kon¬ taktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sygnalo¬ wych (4) jest plaszczyzna typu 100 natomiast os laczaca najbardziej wysuniete ku srodkowi czuj¬ nika punkty warstw kontaktowych elektrod sy¬ gnalowych (4) ma kierunek typu 110. 8. Czujnik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 5,6 A Fig. 1 F.g 2 PLThe subject of the invention is a deformation sensor which reacts to deformations in the surface of the body to which it is attached. The deformation sensor used hitherto known from USSR patent No. 439690 is made of a thin rectangular plate of germanium monocrystalline. The sensor has four point electrodes - two power and two signal ones, of which one power and one signal is rectifying, the plane in which the contact layers of power and signal electrodes are located is a 110 type crystallographic plane, while the longest edge of the rectangular plate is rotated with respect to the type 111 axis by an angle of 30 °. The described sensor is characterized by a low sensitivity to stresses and deformations, and it is sensitive to all components of the above-mentioned quantities, characteristic of a flat deformation state in the electrode plane, i.e. it is sensitive to defect form, transverse and longitudinal. In addition, the above-mentioned sensor known from the USSR patent has nonlinear processing and voltage characteristics, and has a high sensitivity to temperature, and therefore requires the use of terrhocompensation. The disadvantage of the presented solution is also the need for special polarization 10 15 25 30 of all electrodes in relation to each other, the so-called The supply voltage is applied to one pair of electrodes, and the second pair of electrodes is pre-tensioned, at the same time the pre-tension should be applied from a source symmetric with respect to the power supply. The sensor for deformation in the form of a rectangular semiconductor polycrystalline layer deposited on a support pad made of a dielectric material or a semiconductor of the opposite type of electrical conductivity to the semiconductor layer, having four electrodes - two power electrodes and two signal electrodes located on the axis connecting the centers of the contact layers of the power electrodes and arranged symmetrically with respect to the power electrodes. The semiconductor layer is polycrystalline. Another solution of the sensor is that the semiconductor layer is non-crystalline with a crystallographic structure such as diamond or sphalerite, and therefore the plane in which the contact layers of the power electrodes are located. and the signal electrodes is a plane of type 111. In an alternative embodiment of the sensor, the semiconductor layer is a non-crystal with a crystallographic structure of the diamond or sphalerite type, the plane in which the contact layers of the power and signal electrodes are located is that of the type 100 116 745f 116 [3], while the outermost points of the contact layers of the signal electrodes adjoining the center of the sensor have a direction of the 100 and 110 type. In addition, it is preferred that in each of the solutions mentioned the power electrodes are applied along the entire edge of the side semi-conductive layer. The sensor according to the invention shows favorable technical and operational effects. It is characterized by a high sensitivity to stress and deformation. In the rectangular coordinate system, oxtx2 is sensitive only to form deformations ij. it does not react to deformations along and along the sensor axis. Moreover, the sensor according to the invention is in relation to the known embodiment | more sensitive to deformations according to Hook's law. The newly developed sensor has linear processing contacts and in the case of using non-straightening electrode contacts it also has linear current-voltage characteristics. It also exhibits a reduced sensitivity to temperature, which makes it unnecessary to use zero thermocompensation. The subject of the invention is shown in the embodiment in the drawing, where Fig. 1 shows the deformation sensor in a side view and Fig. 2 shows the same sensor in the view. in advance. The deformation sensor made by the vacuum vaporization technique consists of a rectangular semiconductor layer 1 applied on a support cushion 2 made of a dielectric material. On the semiconductor layer 1, metallic contact layers are applied, constituting the power electrodes 3 and signal electrodes 4. Power electrodes 3 are connected with metallic current leads 5, while signal electrodes 4 are connected with metallic current leads 6. Electrodes power supply 3 40 and signal electrodes 4 and the semiconductor layer 1 are made symmetrically with respect to the axis of the rectangular coordinate system cxlt ox2, the axis oxj passing through the points of the signal electrodes most protruding towards the center of the sensor 4. The sensitivity of the sensor depends directly proportional to the ratio of the distance of the supply electrodes 3 to the distance of the signal electrodes 4.W. in the case of making the sensor from monocrystalline semiconductors of the structure of the diamond or sphalerite type in order to eliminate the sensitivity to axial deformation, the sensor is implemented in a crystallographic plane of type 111 or in a plane of type 100, but in the latter case the axis should be 0x4 orientate in the direction of type 100 or type 110. The maximum sensitivity to angular deformations is obtained when the sensor is realized in a crystallographic plane "type 100 and the axis oxt ^ is oriented as follows: for semiconductors in which l * 44 l * ii— ««! Os xt is parallel to the direction of the 100 type, where: & '4 JI44, Jiji, JI12 mean the piezoresistivity coefficients of semiconductors, while for semiconductors where | jt44l <1 ^ 11 - Jt12l os oxj is parallel to The maximum sensitivity values are about twice as high as those obtained when the sensor is implemented in the type 111 crystallographic plane and from two to four times not greater than the sensitivity obtained for analogous polycrystalline semiconductors. Patent claims 1. A shape sensor made of a rectangular semiconductor layer mounted on a carrier pad made of a dielectric material or a semiconductor of the opposite type of electrical conductivity to the semiconductor layer having four electrodes - two feed electrodes and two signal electrodes situated on the axis joining the centers of the contact layers of the feed electrodes and arranged symmetrically with respect to the feed electrodes, characterized in that the semiconductor layer (1) is polycrystalline. 2. Sensor according to claim The method of claim 1, wherein the power electrodes (3) are provided along the entire edge of the side semiconductor layer. 3. A deformation sensor made of a rectangular semiconductor layer deposited on a supporting pad made of a di-electric material or a semiconductor of the opposite type of electrical conductivity to the semiconductor layer, having four electrodes - two power electrodes and two signal electrodes located on the connecting axis The centers of the contact layers of the power electrodes and arranged symmetrically with respect to the power electrodes, characterized in that the semiconductor layer (1) is monocrystalline with a diamond or sphalerite crystal structure, the plane in which the contact of the supply electrodes (3) and signal electrodes (4) is a plane type 111. The sensor according to claim 1 The method of claim 3, characterized in that the power electrodes (3) are provided along the entire side edge of the semiconductor layer. 5. A deformation sensor made of a rectangular semiconductor layer deposited on a carrier pad made of a dialectical material or a semiconductor of the opposite type of electrical conductivity to the semiconductor layer, having four electrodes - two power electrodes and two signal electrodes located on the connecting axis the centers of the contact layers of the power electrodes and arranged symmetrically with respect to the power electrodes, characterized in that the semiconductor layer (1) is monocrystalline with a crystallographic structure of the diamond or sphalerite type, with the plane in which the contact layers of the power electrodes (3) are located and the signal electrodes (4) is a plane of the type 100, while the contact layer of the contact layers of the signal electrodes (4) that most protruding towards the center of the sensor (4) is connected with the direction of the 100 type. The method of claim 5, wherein the feed electrodes (3) are applied along the edge of the side of the semiconductor layer. 7. A deformation sensor made of a rectangular semiconductor layer deposited on a carrier pad made of a dielectric material or a semiconductor of the opposite type of electrical conductivity to the semiconductor layer, having four electrodes located on the axis joining the centers of the layers of the contact power electrodes and arranged symmetrically with respect to the supply electrodes, characterized in that the semiconductor layer (1) is monocrystalline with a diamond or sphalerite-type crystalline structure, with the plane in which the contact layers of the supply electrodes (3) and signal electrodes ( 4) is the type 100 plane, while the points of contact layers of the signal electrodes (4) that protrude towards the center of the sensor have the direction of the 110 type. The method of claim 1, wherein the power electrodes (3) are provided along the entire edge of the side semiconductor layer. 5.6 A Fig. 1 F.g 2 PL