Przedmiotem wynalazku jest czujnik odksztalcen postaciowych reagujacy na odksztalcenia postacio¬ we powierzchni ciala, do którego jest przytwier¬ dzony.Stosowany dotychczas czujnik odksztalcen po¬ staciowych znany z opisu patentowego ZSRR nr 439690 wykonany jest z cienkiej prostokatnej plyt¬ ki monokrysztalu germanu. Czujnik posiada czte¬ ry punktowe elektrody — dwie zasilajace i dwie sygnalowe z których jedna zasilajaca i jedna sy¬ gnalowa jest prostujaca, przy czym plaszczyzna w której polozone sa warstwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sygnalowych jest plaszczyzna krystalograficzna typu 110 zas najdluzsza krawedz plytki prostokatnej jest obrócona wzgledem osi typu 111 o kat 30°.Opisany czujnik charakteryzuje sie mala czulos¬ cia na naprezenia i deformacje, przy tym jest clu- ly na wszystkie skladowe wymienionych wielkosci, charakterystyczne dla plaskiego stanu deformacji w plaszczyznie elektrod tzn. jest czuly na defor¬ macje postaciowe, poprzeczne i wzdluzne. Ponad¬ to wyzej wymieniony czujnik znany z opisu pa¬ tentowego ZSRR posiada nieliniowe charaktery¬ styki przetwarzania i charakterystyki pradowo na¬ pieciowe oraz wykazuje znaczna wrazliwosc na temperature i w zwiazku z tym wymaga stoso¬ wania terrhokompensacji.Niedogodnoscia przedstawionego rozwiazania jest równiez koniecznosc specjalnego polaryzowania 10 15 25 30 wszystkich elektrod wzgledem siebie tzw. napie¬ cie zasilania podaje sie na jedna pare elektrod a na druga pare elektrod podaje sie przedpiecie, przy tym przedpiecie to powinno byc podawane ze zródla symetrycznego wzgledem zasilania.Czujnik odksztalcen postaciowych wedlug wy¬ nalazku wykonany w postaci pólprzewodnikowej polikrystalicznej warstwy prostokatnej osadzonej na podkladce nosnej z materialu dielektrycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewod¬ nosci elektrycznej w stosunku do warstwy pól¬ przewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygna¬ lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania charak¬ teryzuje sie tym, ze warstwa pólprzewodnikowa jest polikrystaliczna.W innym rozwiazaniu czujnika warstwa pól¬ przewodnikowa jest rnonokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu i wówcaas plaszczyzna, w której polozone sa war¬ stwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sy¬ gnalowych jest plaszczyzna typu 111.W alternatywnym rozwiazaniu czujnika war¬ stwa pólprzewodnikowa jest rnonokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu, przy czym plaszczyzna, w której sa po¬ lozone warstwy kontaktowe elektrod zasilania i elektrod sygnalowych jest plaszczyzna typu 100 116 745f 116 \ 3 natomiast os laczaca najbardziej wysuniete ku srodkowi czujnika punkty warstw kontaktowych elektrod sygnalowych ma kierunek typu 100 i 110.Ponadto korzystne jest gdy w kazdym z wymie¬ nionych rozwiazan elektrody zasilania sa nanie¬ sione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pól¬ przewodnikowej.Czujnik -wediug wynalazku wykazuje korzystne skutki techniczne i techniczno-uzytkowe. Charak¬ teryzuje sie on duza czuloscia na naprezenia i de- iormacje. W ukladzie wspólrzednych prostokatnych oxtx2 jest czuly jedynie na deformacje postaciowe ij. nie reaguje on na deformacje wzdluz i w po¬ przek osi czujnika. Ponadto czujnik wedlug wy- ^nalazku w stosunku do rozwiazania znanego jest | bardziej czuly w zakresie deformacji spelniaja¬ cych prawo Hooka. , ] Nowoopracowany czujnik posiada liniowe cha- {^r^^erj^styki przetwarzania a w przypadku zasto¬ sowania nieprostujacych kontaktów elektrod ma równiez liniowe charakterystyki pradowo-napie- ciowe. Wykazuje tez zmniejszona wrazliwosc na temperature, dzieki czemu zbedne jest stosowanie termokompensacji zera.Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykla- dzie wykonania na rysunku na którym fig. 1 przedstawia czujnik odksztalcen postaciowych w widoku z boku a fig. 2 ten sam czujnik w wido¬ ku z góry. jCzujnik odksztalcen postaciowych wykonany technika naparowania prózniowego sklada sie z prostokatnej warstwy pólprzewodnikowej 1 nanie¬ sionej na podkladke nosna 2 wykonana z mate¬ rialu dielektrycznego. Na warstwe pólprzewodni¬ kowa 1 naniesione sa warstwy metaliczne kontak- 35 towe stanowiace elektrody zasilania 3 i elektrody sygnalowe 4, Do elektrod zasilania 3 dolaczone sa metaliczne odprowadzenia pradowe 5 zas do elek¬ trod sygnalowych 4 dolaczone sa metaliczne od¬ prowadzenia pradowe 6. Elektrody zasilania 3 40 i elektrody sygnalowe 4 oraz warstwa pólprzewod¬ nikowa 1 wykonane sa symetrycznie wzgledem osi uicladu wspólrzednych prostokatnych cxlt ox2 przy czym os oxj przechodzi przez najbardziej wysunie¬ te ku srodkowi czujnika punkty elektrod sygnalo- 45 wych 4.Czulosc czujnika zalezy wprost proporcjonalnie od stosunku odleglosci elektrod zasilania 3 do od¬ leglosci elektrod sygnalowych 4.W. przypadku realizacji czujnika z pólprzewod- 50 ników monokrystalicznych o strukturze typu dia¬ mentu lub sfalerytu w celu wyeliminowania czu¬ losci na odksztalcenia osiowe czuynik jest realizo¬ wany w plaszczyznie krystalograficznej typu 111 lub w plaszczyznie typu 100 lecz w tym drugim M przypadku nalezy os 0X4 zorientowac w kierunku typu 100 lub typu 110.Maksymalna czulosc na odksztalcenia katowe uzyskuje sie gdy czujnik realizowany jest w pla¬ szczyznie krystalograficznej" typu 100 zas os oxt ^ jest zorientowana nastepujaco: dla pólprzewodni¬ ków, w których l*44l l*ii—««! os oxt jest równolegla do kierunku typu 100, gdzie: & '4 JI44, Jiji, JI12 oznaczaja wspólczynniki piezorezystyw- nosci pólprzewodników, natomiast dla pólprzewod¬ ników, w którym |jt44l < 1^11—Jt12l os oxj jest równolegla do kierunku typu 110.Maksymalne wartosci czulosci sa okolo dwukrot¬ nie wieksze cd czulosci uzyskiwanych przy reali¬ zacji czujnika w plaszczyznie krystalograficznej typu 111 i od dwu do czterokrotnie wieksze od czulosci uzyskiwanych dla analogicznych pólprze¬ wodników polikrystalicznych.Zastrzezenia patentowe 1. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dielek¬ trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygnalo¬ we usytuowane na osi laczacej srodki warstw kon¬ taktowych elektrod zasilania i rozmieszczone sy¬ metrycznie wzgledem elektrod zasilania, znamien¬ ny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest po¬ likrystaliczna. 2. Czujnik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 3. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu die¬ lektrycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elek¬ trody sygnalowe usytuowane na osi laczacej srod¬ ki warstw kontaktowych elektrod zasilania i roz¬ mieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasi¬ lania, znamienny tym, ze warstwa pólprzewodni¬ kowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze kry-: stalograficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyzna, w której polozone sa warstwy kontaktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sy¬ gnalowych (4) jest plaszczyzna typu 111. 4. Czujnik wedlug zastrz. 3, znamienny tm, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 5. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dialek- trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody — dwie elektrody zasilania i dwie elektrody sygna¬ lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania, zna¬ mienny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze krystalograficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyz¬ na, w której- sa polozone warstwy kontaktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sygnalowych (4) jest plaszczyzna typu 100 natomiast os laczaca naj-116 745 bardziej wysuniete ku srodkowi czujnika punkty warstw kontaktowych elektrod sygnalowych (4) ma kierunek typu 100. 6. Czujnik wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz kra¬ wedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 7. Czujnik odksztalcen postaciowych wykonany z pólprzewodnikowej warstwy prostokatnej osa¬ dzonej na podkladce nosnej z materialu dielek¬ trycznego lub pólprzewodnika o przeciwnym typie przewodnosci elektrycznej w stosunku do warstwy pólprzewodnikowej posiadajacy cztery elektrody - lowe usytuowane na osi laczacej srodki warstw 10 kontaktowych elektrod zasilania i rozmieszczone symetrycznie wzgledem elektrod zasilania, zna¬ mienny tym, ze warstwa pólprzewodnikowa (1) jest monokrystaliczna o strukturze krystalogra¬ ficznej typu diamentu lub sfalerytu przy czym plaszczyzna, w której sa polozone warstwy kon¬ taktowe elektrod zasilania (3) i elektrod sygnalo¬ wych (4) jest plaszczyzna typu 100 natomiast os laczaca najbardziej wysuniete ku srodkowi czuj¬ nika punkty warstw kontaktowych elektrod sy¬ gnalowych (4) ma kierunek typu 110. 8. Czujnik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze elektrody zasilania (3) sa naniesione wzdluz calej krawedzi bocznej warstwy pólprzewodnikowej. 5,6 A Fig. 1 F.g 2 PL