PL122274B1 - Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride - Google Patents
Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride Download PDFInfo
- Publication number
- PL122274B1 PL122274B1 PL20478778A PL20478778A PL122274B1 PL 122274 B1 PL122274 B1 PL 122274B1 PL 20478778 A PL20478778 A PL 20478778A PL 20478778 A PL20478778 A PL 20478778A PL 122274 B1 PL122274 B1 PL 122274B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- downwards
- cadmium fluoride
- agent
- etching
- bvii
- Prior art date
Links
- LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L cadmium fluoride Chemical compound F[Cd]F LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 101150104773 Apoh gene Proteins 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 for example Chemical class 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest srodek do poleruja¬ cego trawienia zwiazków typu AnByn, takich jak fluorek kadmu. Fulorek kadmu znajduje zastoso¬ wanie w optoelektronice, jako material elektrolu¬ minescencyjny w w zakresie widma widzialnego.Niezaleznie od konstrukcji i rodzaju przyrzadów optoelektronicznych na bazie tego materialu, za¬ wsze istnieje koniecznosc przygotowania blyszcza¬ cej, gladkiej i czystej jego powierzchni. Powierzch¬ nie takie otrzymuje sie droga obróbki polegajacej kolejno na szlifowaniu, polerowaniu i trawieniu chemicznym lub elektrolitycznym, majacym na celu usuniecie warstwy uszkodzonej obróbka me¬ chaniczna oraz oczyszczenie chemiczne powierzch¬ ni. Szlifowanie i polerowanie fluorku kadmu wy¬ konuje sie znanymi metodami, stosowanymi z uzy¬ ciem tlenku glinu jako proszku sciernego i poler¬ skiego. Srodki te opisane sa w: (J. Appl. Phys. 1971, vol. 62, No 2, p. 86—7 przez M. F. Ehmana i M. 0'Horo; w Phys. Rev. 1969, No 183, p. 695 przez R. P. Hhosla oraz w Kristall und Technik 1972, vol. 7, No 10, p. 1101—1108 przez N. Brinka et. al.).Znanymi z literatury srodkami trawiacymi pole- rujaco powierzchnie fluorku kadmu sa: stezony kwas solny, mieszanina kwasów solnego, fluorowo¬ dorowego i wody oraz 5% wodny roztwór cyjanku potasu. Trawienie w wymienionych mieszaninach jest obarczone niedogodnosciami, a mianowicie: wskutek .duzej szybkosci trawienia w stezonym 10 15 kwasie solnym (predkosc ok. 60—70 jim/min). nie udaje sie precyzyjnie i w sposób powtarzalny usu¬ wac cienkich kilkumikrometrowych warstw, a tra¬ wienie w pozostalych wymienionych mieszaninach czestokrotnie powoduje powstawanie obszarów ze zmetnieniami. Niedogodnosc, wynikajaca z duzej szybkosci trawienia mozna usunac przez dodanie moderatorów reakcji. Czesto stosowanymi modera¬ torami reakcji sa zwiazki organiczne np. glicery¬ na, glikol etylenowy, alkohole, a takze zwiazki nie¬ organiczne jak np. kwas siarkowy. Wymienione zwiazki jako moderatory nie moga byc stosowa¬ ne jako dodatek do mieszanin trawiacych fluorek kadmu, bowiem powoduja zmetnienia na po¬ wierzchni.Srodek wedlug wynalazku, zawierajacy wodny roztwór chlorowodoru sklada sie z 10—80% wago¬ wych stezonego kwasu solnego i 10—80% wago¬ wych stezonego kwasu ortofosforowego jako mo¬ deratora.Zaleta roztworu trawiacego polerujaco fluorek kadmu jest mozliwosc regulacji predkosci trawie¬ nia w granicach 65^1 jam/min., bowiem predkosc zalezy od stosunku ilosci obu skladników. W wy¬ niku zastosowania srodka wedlug wynalazku uzy¬ skuje sie precyzje, powtarzalnosc procesu trawie¬ nia niezaleznie od grubosci strawionej warstwy i gladkie, blyszczace, przezroczyste powierzchnie.Srodek wedlug wynalazku zostanie blizej objas¬ niony na szczególowych przykladach zastosowania. 122 274122 274 Mieszanina trawiaca z moderatorem w postaci stezonego kwasu ortofosforowego wypolerowane sa monokrystaliczne plytki fluorku kadmu o sredni¬ cy 8—10 mm, jtrawione w temperaturze pokojowej w mieszaninie, w ciagu 2 minut. Mieszanina ta Sklada sie z 18% wagowych chlorowodoru i 42,5% wagowych kwasu ortofosforowego. Nastepuje usu¬ niecie warstwy, uszkodzonej podczas mechanicznego polerowania. Uzyskuje sie gladka, blyszczaca po¬ wierzchnie. W tym procesie predkosc trawienia wynosi 7 ^rn/min. A oto przyklad regulacji tra¬ wienia. Stosuje sie mieszanine trawiaca o skladzie 14,4% wagowych chlorowodoru i 51% wagowych iwasu ortofosforowego. Trawi sie w temperaturze 10 pokojowej monokrystaliczna plytke fluorku kad¬ mu, uprzednio wypolerowana mechanicznie. Przy predkosci trawienia wynoszacej 5 ^m/min. uzysku¬ je sie blyszczaca i przezroczysta powierzchnie flu¬ orku kadmu.Zastrzezenie patentowe Srodek do polerujacego trawienia zwiazków typu AnByii, szczególnie fluorku kadmu, zawierajacy wodny roztwór chlorowodoru, znamienny tym, ze sklada sie z 10—80% wagowych stezonego kwasu solnego i 10—80% wagowych stezonego kwasu or¬ tofosforowego, jako moderatora. 100% HCl w/apOh PZGraf. Koszalin A-2147 A-4 Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Srodek do polerujacego trawienia zwiazków typu AnByii, szczególnie fluorku kadmu, zawierajacy wodny roztwór chlorowodoru, znamienny tym, ze sklada sie z 10—80% wagowych stezonego kwasu solnego i 10—80% wagowych stezonego kwasu or¬ tofosforowego, jako moderatora. 100% HCl w/apOh PZGraf. Koszalin A-2147 A-4 Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20478778A PL122274B1 (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20478778A PL122274B1 (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL204787A1 PL204787A1 (pl) | 1979-09-24 |
| PL122274B1 true PL122274B1 (en) | 1982-07-31 |
Family
ID=19987660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL20478778A PL122274B1 (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL122274B1 (pl) |
-
1978
- 1978-02-21 PL PL20478778A patent/PL122274B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL204787A1 (pl) | 1979-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
| AU780184B2 (en) | Method for raw etching silicon solar cells | |
| WO1997018582A1 (en) | Wafer-cleaning solution and process for the production thereof | |
| KR101332206B1 (ko) | 반도체 처리 방법 | |
| CN101602231A (zh) | 电镀钻石线锯的制备方法 | |
| KR20130093070A (ko) | 수성 알칼리 에칭 및 세정 조성물 및 실리콘 기판 표면을 처리하는 방법 | |
| RU2012117735A (ru) | Способы общей обработки кварцевой оптики для уменьшения оптического повреждения | |
| CN102628009A (zh) | 清洗液及清洗方法 | |
| TW200411759A (en) | Process for etching silicon wafers | |
| CN201428002Y (zh) | 电镀钻石线锯的装置 | |
| JP3066750B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| US20090042390A1 (en) | Etchant for silicon wafer surface shape control and method for manufacturing silicon wafers using the same | |
| US6046117A (en) | Process for etching semiconductor wafers | |
| KR100983064B1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 알칼리 에칭액 및 알칼리 에칭 방법 | |
| KR100197339B1 (ko) | 실리콘웨이퍼로부터 손상된 결정영역을 제거시키는방법 | |
| PL122274B1 (en) | Agent for polishing etching of aii downwards bvii downwards type compounds, especially cadmium fluoride | |
| KR100734163B1 (ko) | 에칭액, 에칭방법 및 반도체 실리콘 웨이퍼 | |
| CN101452826A (zh) | 包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法 | |
| JP3686910B2 (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法 | |
| DE102014013591A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliciumoberflächen mit niedriger Reflektivität | |
| Mendel et al. | Polishing of silicon by the cupric ion process | |
| Rao et al. | Aging effects of KOH+ NH2OH solution on the etching characteristics of silicon | |
| Zhang et al. | Recent progress on critical cleaning of sapphire single-crystal substrates: A mini-review | |
| DE10212657A1 (de) | Verfahren zur Reinigung einer Siliciumscheibe nach der Politur | |
| CN109716486A (zh) | 硅锭的切割方法、硅晶圆的制造方法及硅晶圆 |