PL122352B1 - Alloyed aluminium foil for electrolytic capacitors and method of making the same - Google Patents
Alloyed aluminium foil for electrolytic capacitors and method of making the same Download PDFInfo
- Publication number
- PL122352B1 PL122352B1 PL1978210621A PL21062178A PL122352B1 PL 122352 B1 PL122352 B1 PL 122352B1 PL 1978210621 A PL1978210621 A PL 1978210621A PL 21062178 A PL21062178 A PL 21062178A PL 122352 B1 PL122352 B1 PL 122352B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- ingot
- aluminum
- rolled
- iron
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 6
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N azanium;azane;2,3,4-trihydroxy-4-oxobutanoate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O NGPGDYLVALNKEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].OCCN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O)C(=O)O PQVHMOLNSYFXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest folia do kondensatorów elektrolitycznych z aluminium stopowego zawierajacego obok glinu jako towarzyszace pierwiastki glówne krzem i zelazo oraz sposób jej wytwarzania. Folia ta wykazuje wysoka pojemnosc wlasciwa.Producenci kondensatorów elektrolitycznych stosuja czesto folie aluminiowe, aby zmniejszyc nie tylko ciezar ale takze wymiary zewnetrzne kondensatorów. Pomimo stosunkowo malej objetosci w pojemniku kondensatora folie aluminiowe zapewniaja duza powierzchnie. Ten obszar powierzchni folii aluminiowej zazwyczaj zwieksza sie gdy folie wytrawiasie chemicznie lub elektrochemicznie, przy czym powstaje tak zwana submikroskopowa tekstura powierzchni. Uzyskany wskutek takiego trawienia zwiek¬ szony obszar powierzchni, wspóldzialajac z izolacja elek¬ tryczna, która wytwarza sie dzieki, zaraz po trawieniu, utworzonej blonce anodowej na powierzchni folii, jest odpowiedzialny za wysoka pojemnosc wlasciwa na jed¬ nostke powierzchni folii.Na ogól jako material na folie dla takich kondensatorów stosuje sie wylacznie aluminium o wysokiej czystosci.Zachowanie sie folii podczas trawienia zalezy od warunków stawianych przez producentów kondensatorów i okreslone jest zarówno przez sklad stopowy folii jak i przez sposób jej wytwarzania.Do wyrobu kondensatorów niskonapieciowych (ponizej 100 woltów) w przypadku których prad uplywowy w kon¬ densatorze nie ma tak decydujacego znaczenia jak przy kondensatorach wysokonapieciowych, stosuje sie przewaz¬ nie mniej czyste i tansze stopy aluminiowejak na przyklad 10 15 20 25 30 stopy AA 1188 (0,06% krzemu, 0,06% zelaza, 0,005% miedzi, 0,01% manganu, 0,01% magnezu, 0,03% galu, 0,03 % cynku,i 0,01 % tytanu) lubAA 1193 (0,04% krzemu, 0,04% zelaza, 0,006% miedzi i 0,02% cynku). Otrzymane przez walcowanie na zimno wzmocnienie H 19 stosowany w Stanach Zjedn. Am. skrót dla folii nadzwyczaj twardych lub o twardosci sprezynowej Gest dla niniejszego specjal¬ nego zakresu napieciowego korzystniejsze niz obróbka 0 stosowany w Stanach Zjedn. Am. skrót dla miekkiego pól¬ wyrobu ugniatanego). Ta korzysc polega na drobniejszej powierzchniowej teksturze folii, która mozna uzyskac dzieki wzmocnieniu przez walcowanie na zimno.Istotna zalete wytrawionej tekstury powierzchniowej mozna w przypadku kondensatorów niskonapieciowych osiagnac dzieki temu, ze stosowana w przypadku wytwa¬ rzania folii kondensatorowych blonka anodowa na ogól nie pokrywa calkowicie tekstury powierzchniowej.Produkcja kondensatorów jest galezia przemyslu zwia¬ zana z nadzwyczaj wysokimi kosztami i z intensywna kon¬ kurencja a dostawcy metali, mogacy dostarczac folie alumi¬ niowe, osiagajace najwyzsza pojemnosc przy najmniejszej ilosci metalu koniecznej do wytworzenia folii, maja nad konkurentami istotna przewage w zbycie swych wyrobów.Sposób zapewnienia tego rodzaju zwiekszonej pojemnosci przy rozsadnie niskiej czystosci folii aluminiowych polega na tym, ze dodaje sie niektóre pierwiastki powodujace zwiekszenie pojemnosci odpowiednich stopów.Na przyklad opis patentowy Stanów Zjedn. Am. nr 3 498765 omawia 78%-owe zwiekszenie pojemnosci wlasciwej w porównaniu z aluminium o wysokiej czystosci 122 352122 352 3 wskutek dodania 70 ppm (czesci na milion) kadmu do aluminium. Patent ten ujawnia ponadto zwiekszenie o 10% pojemnosci wlasciwej wzgledem aluminium o wysokiej czystosci dzieki dodaniu 60 ppm indu do podstawowej struktury aluminium.Opis patentowy Stanów Zjedn. Am. Pln. nr 3 578 570 omawia zwiekszona gestosc wytrawionych porów i stad zwiekszona pojemnosc wyzarzonej folii aluminiowej za- wfeftifócejjed&t lub kilka pierwiastków, takichjak antymon? ba* lub? cyiriL w ilosci 5—Z00 ppm, co najwyzej 0,5 ppm olpwiui bizmutu oraz co najwyzej 2 ppm wapnia L chromu.Celem wynalazkujest uzyskanie ze stopowego aluminium r-foJji do kondensatorów elektrolitycznych, którcr w stanie / /wzn^cnionym^rzez walcowanie na zimno wykazywalyby zwiekszona pojernnofsc wlasciwa, oraz opracowanie sposobu / ich wytwarzania, pijfey czyni zwiekszona pojemnosc mialoby / sie uzyskac poprzez dodanie specyficznych pierwiastków *•—do aluminjum a z otrzymanego stopu mozna byloby wy¬ twarzac Totfe*Ja&z^ce zadana ceche duzej pojemnosci wlas¬ ciwej i niskich kosztów produkcji.Cel ten osiaga sie za pomoca folii do kondensatorów elektrolitycznych z aluminium stopOtttgO zawierajacego obok glinu jako towarzyszace, pierwiastki glówne krzem i zelazo, w tym co najwyzej' 0,5% wagowych krzemu, cd najwyzej 0,5% wagowych zelaza, co najwyzej $1% Wago¬ wych miedzi, co najwyzej 0,05% wagowych manganu, -c^ n*jwyz#j 0,05-% wagowych magnezu, co- najwyzej 0,01 % wagowych chromu, co najwyzej 0,01 % wagowych niklu i co najwyzej 0,01 % wagowych cynku, która to folia wedlug wynaiazkiL chotakteryzuje sic/ &ai* ze dodatków* zawiera 0,001—0,015% wagowych galu.Gal sluzy do podwyzszenia pojemnosci podstawowej struktury aluminium o wysokiej czystosci bez obnizenia zadanych wlasciwosci fizyczcych folii aluminiowej. Wago¬ wy udzial 0,001—0,015 %, dodanego galu jest bardzo maly i mozs byc takze, wyrazony jako 10—150 ppm. Zawartosc galu.w fiblii aluminiowejkorzystnie wynosi 0,005—0*01% wagowych.Oprócz galu moga znajdowac sie w skladzie folii alu¬ miniowej takze inne pierwiastki, nalezy jednak zwracac , uwage na to, aby ich udzial byl ograniczony tak, zeby, nie t zostala zmniejszona pojemnosc wlasciwa folii.Folie wedlug wynalazku mozna wytwarzac analogicznie do znanych sposobów ze stopu aluminiowego o skladzie identycznymjak sklad folii.Korzystny sposób wytwarzania z aluminium stopowego, folii do kondensatorów elektrolitycznych o podwyzszonej pojemnosci wlasciwej* polega wedlug wynalazku na tym, ze odlewa sie wlewek ze stopu aluminiowego o wyzej-mówio¬ nym,skladzie oraz o zawartosci 0,001—0,015 % wagowych galu, wlewek ten oczyszcza sie przez frezowanie az do znikniecia wszelkich widocznych zanieczyszczen, oczysz¬ czony wlewek ujednorodnia sie w ciagu co najmniej 30 minut w temperaturze 455—635°C*. ujednorodniony wle¬ wek walcuje sie na. goraco w temperaturze. 230—595 °C, zwalcowany na goraco wlewek chlodzi sie z predkoscia co najmniej 28 °C na godzine oraz walcuje na zimno z mi¬ nimalna redukcja 80%, korzystnie do wymiaru koncowego pomiedzy 0*0025 i 0,108*mm.Stop stosowany w sposobie wedlug wynalazku mozna odlewac w postaci wlewków wedlug jednego z dowolnych, znanych sposobów.. Nalezy, jednak zwracac uwage na to, zeby do ukladastopowego nie.dostaly sie zadne niepozada- ne pierwiastkijakozanicczyszczeiua. Ponadtonalezy zwrócic uwage na to, zeby stop byl utrzymywany w czystosci pod- 4 czas odlewania. Odlewanie wkwki cczyszcza sie (frezuje) starannie az zostana usuniete wszystkie widoczne zanie¬ czyszczenia pochodzace z naskórka odlewu.Oczyszczone wlewki ujednorodnia sie korzystnie w ciagu 5 la godzm w temperaturze 587—600°C. Hartowanie roz- walcowanych- na goraco korzystnie w temperaturze 510— —595°C wlewków przeprowadza si< korzystnie woda.Zastrzezona minimalna puedkosc cltudrara wynoszaca 28°C na godzine mozna znacznie przewyzszac^ w szczegól- 10 nosci rozwalcowane na goraco wlewki nart^jie sie natych¬ miast lub co najmniej z redkosc:'a 550*C na godzine.Najmniejsza uzyskana redukcja przy walcowaniu na zimna wynosi przewaznie ponad 80%, zas minimalna redukcja wynosi przede wszystkim °£ %, przy czym keriy&tny wy- 15 miar koncowy lezy w granicach pomiedzy 0,025 i 0,108 mm, Odpuszczanie folii zalezy od napiecia w kondeasatorze, wktórym umieszcza sie folit. W przypadkuJcandensatorów niskonapieciowych konieczne jest na ogfil mecno odpusz¬ czanie folii (drobna struktura wzerów) natpmfcstkondensa- 2C tory wysokonapieciowe wymagaja przewaznie folii zmiek¬ czonej przez wyzarzanie (gruba struktura wzerów). Stop stosowany w sposobie wetffef wynalazku do wytwarzania folii moze w zaleznosci od przewidywarego zastosowania koncowego byc odpuszczany róznymi*spesooami. 25 Aby móc oznaczyc rzeczywiste wartosci pojemnosci zarówno dla foliikontrolnych zastosowanych w celu porów¬ nawczym jak i dlafeUido»kondensatofów#l€ktr€li4ycapy6h wedlug wynalazku konieczne jest opracowanie odpowied¬ niej metody pomiaru w celu istotnego zmniejszen a mozli- Bfe Wosci zrobienia Wedo. Pdpczcdnio znanie metody pomiaro¬ we dla oznaczania pojemnosci folii ze stopów aluminium dostarczaly stosunkowo szerokiej rozmd'osci danych pojemnosciowych. Dlatego tez do oznaczania pojemnosci zastosowano nizej opisana metodepomaru. 35 Z wody. destylowanej sporzadzono roztwór trawiacy^ który zawiera 230 g/l/gramów na litr, przekrystalirowanego NaCl i 8 g/l NazS04. Roztwór ten podgrzano do tempera¬ tury 95°C w zlewce o pojemnosci 4 litrów i pozostawiono do odstania w ciagu co najmniej dwóch godzin przed zanu- 40 rzeniem oczyszczonych próbek do kapieli. Kazda próbke przycieto i odtluszczono przez przetarcie powierzchni próbki benzenem. Odtluszczone próbki przemyto metano¬ lem i wysuszono na powietrzu. Nastepnie w celu oczysz¬ czania próbek zanurzono je w ciagu 80 sekund, do lugu 45 sodowego (5 g/l NaOH) o temperaturze 40 °C. Pózniej próbki plukano biezaca woda destylowana i zamocowano w maskowanej oprawce do wytrawiania, przez co dla kazdej próbki tworzyla sie powierzchnia katodowa o wy¬ miarach 50x75 mm. Oprawke zawierajaca po jednej 50 uzytej próbce na dany stop zawieszano w zlewce z roz¬ tworem trawiacym i podlaczono do pradu elektrycznego.Próbki po 10 sekundach od chwili zanurzenia do kapieli trawiono w ciagu 203 sekund pradem elektrycznym o na¬ tezeniu 14,88 A (amperów). Dalej próbki usuwano zkapieli 55 trawiacej, plukano biezaca woda destylowana L zanurzano w ciagu 90 sekund, w roztworze HNOi (2 :1) w, tempera* turze pokojowej. Nastepnie plukano je ponownie w biezacej wodzie destylowanej i suszono wpiecu o temperaturze. 70°G w ciagu okolo 10 minut. Wreszcie kazda próbke przecho- 60 wywano w eksykatorze az. do chwili zastosowania do for¬ mowania. Próbki pocieto do przewidzianej wielkosci i, wraz z dwoma blachami katodowymi z aluminium umieszczono w roztworze winianu amonowego (30 g/l) opH. 5,5 znaj¬ dujacym sie w zlewce o pojemnosci 1 litra. Próbki.formo- » wano w 30 woltach przy stalym pradzie o natezeniu 1 A.5 Formowanie przy napieciu 30 woltów kontymrowano dopóki natezenie pradu nie spadlo do wartosci 50 mA (mtfklmpeiów). Nastepnie wszystkie próbki nsraricto z roztworu formujacego, przeplukana w wodzie destyfowa- nej i w cfagu okolb 19 minutsuszono- w piecu wtempera¬ turze 70*C Nastepnie przygotowane jjróbkf do pomiarów, przy czym przednia i tyirta stronekazdej próbki przykryto 'powleczona garwanicznie tasrn^ tale ze z próbek pozostala wolna tylko powierzchnia 50x25 mm. Kazda prdfeke poddawano pomiarom w litrowej zlewce z roztworem winianu amonowego (30 g/l) o pH 5,5—5,8. Przeciw- elektrode w zlewce stanowila blacha w ksztalcie walca ze stopu aluminium AA 1199 (0,006% krzemu, 0,006% zelaza, 0,006% miedzi, 0,006% magnezu i 0,006% cynku) przy czym ta blacha o ksztalcie walca byla dopasowana do wewnetrznej srednicy zlewki. Po pomiarze kazda próbke plukano w destylowanej wodzie i suszono. Powierzchnie próbki mierzono, nanoszac krzywa napiecia/czas na papier rejestrujacy i przeprowadzajac pomiar wzrostu krzywej formowania napiecia/czas przy 30 woltach. Pomiar ten wyrazono w sekundach na wolt.Pomiary skorygowano okreslajac pojemnosc przecw- elektrody wedlug nastepujacego wzoru 1: c C»Ct- (2-0a C C12-(2-03-CT(l-0 . w którym symbole oznaczaja: Cc — pojemnosc przeciwelektrody w uF (mikrofaradach), Cu — wartosc pojemnosci pomiedzy pojemnoscia próbek (Ci, C2) i pojemnoscia przeciwelektrody, Ct — laczna pojemnosc z poszczególnych pojemnosci próbek (Ci + C2) oraz f — róznica pojemnosci pomiedzy próbkami podzielona przez pojemnosc jednej próbki.Nalezy zwrócic uwage, ze wartosci pojemnosci we wzorze 1 nalezy wstawic w/tFa nie w ^F/cm2. Wartosci pojem¬ nosci koryguje sie do wartosci pojemnosci standardowej wodniesieniu do przeciwelektrody, która to wartosc wynosi 2600 uF lub 15 uF/cm2. Pojemnosc jakiejkolwiek próbki w serii jest wiec wyrazona za pomoca ponizszego wzoru 2: Cs=Cl—£»=£.. o-l) n — 1 w którym symbole oznaczaja: Cs — pojemnosc próbki w uF/cm2 Cj — zmierzona pojemnosc próbki w pozycji i szeregu pomiarowego po poprawce dla efektu przeciw- elektrodowego w //F/cm2, Ci — wartosc zmierzona dla pierwszej próbki, Cn — wartosc zmierzona dla ostatniej próbki, i — numer oddzielnej próbki w osobnej pozycji (po¬ zycja i) w szeregu oraz n — numer ostatniej próbki w szeregu.Gdy i = n, oznacza to, ze zmierzono ostatnia próbke.Podane nizej przyklady objasniaja blizej wynalazek.Przyklad I. Do porównawczego stopu aluminium o wysokiej czystosci, zawierajacego 0,0008% wagowych krzemu, 0,0016% wagowych zelaza, 0,0004% wagowych miedzi, 0,003% wagowych manganu, 0,0002% wagowych magnezu, 0,002% wagowych cynku, 0,0003% wagowych boru i slad tytanu dodawano gal w ilosci 0,005% wago¬ wych lub 0,01 % wagowych.Z obu stopów aluminiowych zawierajacych gal jak tez ze stopu porównawczego bez galu odlewano wlewki Dur- ville*a o wadze okolo 2,5 kg. 952 2 wlewte o wymiarach 109x100x45 mm zrrezowano 1,3 mm powierzchni. Tak oczyszczono wlewki ujednorod- rriano wciagu- 10 godzin w temperaturze 593±ff*C. Na¬ stepnie wfewkr walcowano m goraco w* temperaturze 5 okolo 510°C do wymiaru korkowego 10,8 mm, przy czym po kazdym przejsciu przeprowadzono wyzarzanie miedzy- operacyjrre. Rozwalcowane na goraco wfewki ochlodzono nastepnie woda i walcowano na zimno do wymiaru fcori- cowego &,(& mm. Nastepnie mierzona pojemnosc kazdej 10 próbkifolii i porównywano z pojemnoscia próbki kontrolnej Wyniki przedstawiono w podanej nizej tablicy.Tablica Wplyw dodatku galu na pojemnosc folii z aluminium o wysokiej czystosci Dodany pierwiastek Zaden (próbka kontrolna) Ga | Ga Zanalizowana zawartosc (%wag.) 1 0,005 0,01 Pojemnosc 1 OF/cm2) 14,2 16,2 17,1 I 25 Dane przedstawione w tablicy wskazuja na to, ze do¬ datek galu do stopu na folie aluminiowe o wysokiej czys¬ tosci, stosowano zazwyczaj do wyrobu kondensatorów o duzej pojemnosci wlasciwej silnie zwieksza pojemnosc tych folii. To powoduje ze kondensator z folia wedlug wy- 30 nalazku wykazuje znacznie zwiekszona sprawnosc w po¬ równaniu ze ^nanymi kondensatorami, w których stosuje sie zwykla folie aluminiowa o wysokiej czystosci.Zastrzezenia patentowe 35 1. Folia do kondensatorów elektrolitycznych zaluminium stopowego zawierajacego obok glinu jako towarzyszace pierwiastki glówne krzem i zelazo, w tym co najwyzej 0,5 % wagowych krzemu, 0,5% wagowych zelaza, co naj- 40 wyzej 0,1% wagowych miedzi, co najwyzej 0,05% wago¬ wych manganu, co najwyzej 0,05% wagowych magnezu, co najwyzej 0,01 % wagowych chromu, co najwyzej 0,01 % wagowych niklu i co najwyzej 0,01% wagowych cynku, znamienna tym, ze dodatkowo zawiera 0,001—0,015% 45 wagowych galu. 2. Folia wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze zawiera obok aluminium 0,005—0,01 % wagowych dodanego galu. 3. Sposób wytwarzania z aluminium stopowego zawie¬ rajacego obok glinu jako towarzyszace pierwiastki glówne 50 krzem i zelazo, w tym co najwyzej 0,5 % wagowychkrzemu, co najwyzej 0,5 % wagowych zelaza, co najwyzej 0,1 % wa¬ gowych miedzi, co najwyzej 0,05% wagowych manganu, co najwyzej 0,05% wagowych magnezu, co najwyzej 0,01 % wagowych chromu, co najwyzej 0,01% wagowych niklu 55 i co najwyzej 0,01 % wagowych cynku, folii do kondensa¬ torów elektrolitycznych o podwyzszonej pojemnosci wlas¬ ciwej, znamienny tym, ze odlewa sie wlewek ze stopu aluminiowego o zawartosci 0,001—0,015% wagowych galu, wlewek ten oczyszcza sie przez frezowanie az do 60 znikniecia wszelkich widocznych zanieczyszczen, oczysz¬ czony wlewek ujednprodnia sie w ciagu co najmniej 30 minut w temperaturze 455—635°C i ujednorodniony wlewek walcuje sie na goraco w temperaturze 230—595°C, zwalcowany na goraco wlewek chlodzi sie z predkoscia 65 co najmniej 28°C na godzine i walcuje na zimno z minima!-na redukca 80%, korzystnie do wymiaru koncowego po¬ miedzy 0,0025 i 0,108 mm. 4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wlewek ujednorodnia sie w ciagu 10 godzin w temperaturze 587— —600°C. 5. Sposób wedlug zastrz. 3 albo 4, znamienny tym, ze ujednorodniony wlewek walcuje sie na goraco w tem¬ peraturze 510—595°C. 6. Sposób wedlugzastrz. 5, znamienny tym, ze wlewek 122 352 8 po kazdym przejsciu wyzarza sie miedzyoperacyjnie. 7. Sposób wedlug zastrz. 3 albo 5, znamienny tym, ze zwalcowany na goraco wlewek studzi sie woda korzystnie z predkoscia co najmniej 550°C na godzine. 8. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wal¬ cowanie na zimno prowadzi sie z minimalna redukcja 99 %. 9. Sposób wedlug zastrz. 5 albo 8, znamienny tym, ze walcowanie na zimno prowadzi sie do wymiaru konco¬ wego pomiedzy 0,025 i 0,108 mm.LDD Z-d 2, z. 1179/1400/83, n. 85+20 egz.Cena 100 zt PL PL
Claims (9)
1. Zastrzezenia patentowe 35 1. Folia do kondensatorów elektrolitycznych zaluminium stopowego zawierajacego obok glinu jako towarzyszace pierwiastki glówne krzem i zelazo, w tym co najwyzej 0,5 % wagowych krzemu, 0,5% wagowych zelaza, co naj- 40 wyzej 0,1% wagowych miedzi, co najwyzej 0,05% wago¬ wych manganu, co najwyzej 0,05% wagowych magnezu, co najwyzej 0,01 % wagowych chromu, co najwyzej 0,01 % wagowych niklu i co najwyzej 0,01% wagowych cynku, znamienna tym, ze dodatkowo zawiera 0,001—0,015% 45 wagowych galu.
2. Folia wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze zawiera obok aluminium 0,005—0,01 % wagowych dodanego galu.
3. Sposób wytwarzania z aluminium stopowego zawie¬ rajacego obok glinu jako towarzyszace pierwiastki glówne 50 krzem i zelazo, w tym co najwyzej 0,5 % wagowychkrzemu, co najwyzej 0,5 % wagowych zelaza, co najwyzej 0,1 % wa¬ gowych miedzi, co najwyzej 0,05% wagowych manganu, co najwyzej 0,05% wagowych magnezu, co najwyzej 0,01 % wagowych chromu, co najwyzej 0,01% wagowych niklu 55 i co najwyzej 0,01 % wagowych cynku, folii do kondensa¬ torów elektrolitycznych o podwyzszonej pojemnosci wlas¬ ciwej, znamienny tym, ze odlewa sie wlewek ze stopu aluminiowego o zawartosci 0,001—0,015% wagowych galu, wlewek ten oczyszcza sie przez frezowanie az do 60 znikniecia wszelkich widocznych zanieczyszczen, oczysz¬ czony wlewek ujednprodnia sie w ciagu co najmniej 30 minut w temperaturze 455—635°C i ujednorodniony wlewek walcuje sie na goraco w temperaturze 230—595°C, zwalcowany na goraco wlewek chlodzi sie z predkoscia 65 co najmniej 28°C na godzine i walcuje na zimno z minima!-na redukca 80%, korzystnie do wymiaru koncowego po¬ miedzy 0,0025 i 0,108 mm.
4. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wlewek ujednorodnia sie w ciagu 10 godzin w temperaturze 587— —600°C.
5. Sposób wedlug zastrz. 3 albo 4, znamienny tym, ze ujednorodniony wlewek walcuje sie na goraco w tem¬ peraturze 510—595°C.
6. Sposób wedlugzastrz. 5, znamienny tym, ze wlewek 122 352 8 po kazdym przejsciu wyzarza sie miedzyoperacyjnie.
7. Sposób wedlug zastrz. 3 albo 5, znamienny tym, ze zwalcowany na goraco wlewek studzi sie woda korzystnie z predkoscia co najmniej 550°C na godzine.
8. Sposób wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze wal¬ cowanie na zimno prowadzi sie z minimalna redukcja 99 %.
9. Sposób wedlug zastrz. 5 albo 8, znamienny tym, ze walcowanie na zimno prowadzi sie do wymiaru konco¬ wego pomiedzy 0,025 i 0,108 mm. LDD Z-d 2, z. 1179/1400/83, n. 85+20 egz. Cena 100 zt PL PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/847,781 US4166755A (en) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | Aluminum alloy capacitor foil and method of making |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL210621A1 PL210621A1 (pl) | 1979-07-30 |
| PL122352B1 true PL122352B1 (en) | 1982-07-31 |
Family
ID=25301489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1978210621A PL122352B1 (en) | 1977-11-02 | 1978-10-31 | Alloyed aluminium foil for electrolytic capacitors and method of making the same |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4166755A (pl) |
| JP (1) | JPS5498959A (pl) |
| DE (1) | DE2804573A1 (pl) |
| FR (1) | FR2440603A1 (pl) |
| PL (1) | PL122352B1 (pl) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7710775A (nl) * | 1977-10-03 | 1979-04-05 | Philips Nv | Kathodefolie voor elektrolytische condensator. |
| JPS57158352A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Showa Alum Corp | Aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| GB8307158D0 (en) * | 1983-03-15 | 1983-04-20 | British Petroleum Co Plc | Powder forging of aluminium |
| EP0142460B1 (de) * | 1983-08-25 | 1987-09-16 | Schweizerische Aluminium Ag | Verfahren zur Herstellung von Aluminiumdünnband und-Folien mit hohem Würfeltexturanteil |
| US4537665A (en) * | 1984-09-04 | 1985-08-27 | Sprague Electric Company | Production of aluminum foil capacitor electrodes |
| US4554131A (en) * | 1984-09-28 | 1985-11-19 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Aluminum battery alloys |
| IL90105A (en) | 1988-04-29 | 1993-05-13 | Igen Inc | Method and apparatus for conducting electro- chemiluminescence measurements |
| JP2572479B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-01-16 | 昭和アルミニウム株式会社内 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JPH0795502B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1995-10-11 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ陽極箔用アルミニウム合金 |
| US5186235A (en) * | 1990-10-31 | 1993-02-16 | Reynolds Metals Company | Homogenization of aluminum coil |
| US5573861A (en) * | 1993-07-06 | 1996-11-12 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | High purity aluminum conductor used at ultra low temperature |
| FR2707420B1 (fr) * | 1993-07-07 | 1996-05-15 | Sumitomo Chemical Co | Conducteur en aluminium de grande pureté utilisé à très basse température. |
| JP2907718B2 (ja) * | 1993-12-29 | 1999-06-21 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング方法 |
| EP1841892B1 (en) * | 2004-12-21 | 2012-08-01 | Showa Denko K.K. | Aluminum material for electrolytic capacitor electrode, production method of electrode material for electrolytic capacitor, anode material for aluminum electrolytic capacitor, and aluminum electrolytic capacitor |
| JP5094025B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-12-12 | 東洋アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP4435194B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2010-03-17 | 株式会社東芝 | 非水電解質電池、電池パック及び自動車 |
| CN102095939A (zh) * | 2010-12-07 | 2011-06-15 | 胡冠奇 | 一种3003阴极电子铝箔比电容的测量方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH480883A (de) * | 1964-08-27 | 1969-11-15 | Alusuisse | Verfahren zur Herstellung aushärtbarer Bänder und Bleche aus aushärtbaren Aluminiumlegierungen mit Kupfergehalten unter 1% |
| FR1550195A (pl) * | 1967-09-08 | 1968-12-20 | ||
| US3578570A (en) * | 1967-09-25 | 1971-05-11 | Kaiser Aluminium Chem Corp | Aluminum capacitor foil |
| JPS4838285B1 (pl) * | 1970-10-07 | 1973-11-16 | ||
| YU40575A (en) * | 1975-02-20 | 1982-02-25 | Inst Tehnickih Nauka Sanu | Alloy of aluminium with indium or gallium or thallium |
| FR2335027A1 (fr) * | 1975-12-08 | 1977-07-08 | Traitement Metaux Alliages | Procede d'amelioration des condensateurs electrolytiques |
-
1977
- 1977-11-02 US US05/847,781 patent/US4166755A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-02-03 DE DE19782804573 patent/DE2804573A1/de not_active Withdrawn
- 1978-10-23 JP JP13036078A patent/JPS5498959A/ja active Pending
- 1978-10-31 PL PL1978210621A patent/PL122352B1/pl unknown
- 1978-11-02 FR FR7831045A patent/FR2440603A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2804573A1 (de) | 1979-05-03 |
| PL210621A1 (pl) | 1979-07-30 |
| US4166755A (en) | 1979-09-04 |
| JPS5498959A (en) | 1979-08-04 |
| FR2440603A1 (fr) | 1980-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL122352B1 (en) | Alloyed aluminium foil for electrolytic capacitors and method of making the same | |
| PL122370B1 (en) | Alloyed aluminium foil for electrolytic capacitors and method of making the same | |
| US4086148A (en) | Process of making etched aluminum sheets and electrolytic capacitors formed therefrom | |
| US5714271A (en) | Electrolytic condenser electrode and aluminum foil therefor | |
| JP4576001B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| Pearson et al. | The production and properties of super-purity aluminium | |
| JPH0347937A (ja) | 陽極酸化処理後の色調が白色のアルミニウム合金材料 | |
| US3498765A (en) | Capacitor foil composed of alloys of aluminum and cadmium or indium | |
| US4214041A (en) | Composite aluminum capacitor foil | |
| Perryman | Grain Boundary Attack on Aluminum in Hydrochloric Acid and Sodium Hydroxide | |
| Roald et al. | Corrosion rate and ETCH structures of aluminum; effect of heat treatment and impurities | |
| US3464870A (en) | Aluminum polishing process | |
| JP2803762B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2826590B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP2793964B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム箔 | |
| JP2626845B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用硬質アルミニウム箔 | |
| PL127280B1 (en) | Method of manufacturing silicon steel sheet of goss texture | |
| JP2764463B2 (ja) | 陽極酸化処理後の色調が黒色のアルミニウム合金およびその製造方法 | |
| JP2544233B2 (ja) | 陽極酸化処理後の色調が青灰色のアルミニウム合金およびその製造方法 | |
| JPH0489118A (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP3370244B2 (ja) | 機械的強度の高い電解コンデンサ用アルミニウム合金箔 | |
| JPS58126993A (ja) | 連続式焼鈍酸洗装置用溶融塩浴 | |
| JPH04124806A (ja) | 電解コンデンサ陽極箔用アルミニウム合金 | |
| JPH0372703B2 (pl) | ||
| JP3203678B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 |