Przedmiotem wynalazku jest uklad kompensacji temperaturowej wzmocnienia wzmacniacza tranzystorowego z tranzystorem wzmacniajacym majacym zlacze baza-emiter, przeznaczony do stabilizacji wzmocnienia w warunkach zmiennej temperatury roboczej, zawierajacy obwód polary¬ zacji ustalajacy punkt pracy tranzystora wzmacniajacego oraz zródlo napiecia zasilania majace pierwszy i drugi zaciski, zgodnie z wynalazkiem obwód polaryzacji sklada sie z polaczonym szeregowo i wlaczonym miedzy pierwszym zaciskiem, stanowiacym punkt o potencjale odniesienia ukladu i drugim zaciskiem zródla napiecia zasilania pierwszy obwód przewodzacy prad, na którym zalezy od temperatury spadek napiecia jest równy spadkowi napiecia na zlaczu baza-emiter tranzystora wzmacniajacego, drugi obwód przewodzacy prad, na którym spadek napiecia jest stala wielokrotnoscia wartosci spadku napiecia na pierwszym obwodzie przewodzacym prad i zmienia sie w zaleznosci od zmian temperatury z zachowaniem stalej relacji wzgledem spadku napiecia na pierwszym obwodzie przewodzacym prad, oraz trzeci obwód przewodzacy prad odznaczajac sie zasadniczo stala niezalezna od temperatury impedancja. Przy tym obwód baza-emiter tranzystora wzmacniajacego jest wlaczony miedzy punktem polaczenia pierwszego i drugiego obwodów prze¬ wodzacych prad a pierwszym zaciskiem zródla zasilania bedacym punktem o potencjale odniesiena ukladu.Tranzystorwzmacniajacy oraz pierwszy, drugi i trzeci obwody przewodzace prad sa wytwo¬ rzone w technologi ukladów scalonych na jednej monolitycznej plytce pólprzewodnikowej.Trzeci obwód przewodzacy prad zawiera pierwszy rezystor, drugi obwód przewodzacy prad zawiera pierwszy tranzystor, drugi obwód przewodzacy prad zawiera drugi tranzystor, przy czym obwody kolektor-emitery pierwszego i drugiego tranzystorów sa wlaczone szeregowo. Przy czym miedzy kolektorem i emiterem drugiego tranzystora sa zalaczone polaczone szeregowo drugi i trzeci rezystory, których punkty polaczenia jest dolaczony do bazy drugiego tranzystora, spadek napiecia na trzecim rezystorze stanowi spadek napiecia na zlaczu baza-emiter drugiego tranzy¬ stora, a spadek napiecia na drugim rezystorze znajduje sie w takiej relacji wzgledem spadku napiecia na trzecim rezystorze, która jest wyznaczona stosunkiem rezystancji drugiego rezystora do rezystancji trzeciego rezystora.Z kolektorem tranzystora wzmacniajacego jest polaczony emiter trzeciego tranzystora, któ¬ rego baza jest polaczona z punktem polaczenia pierwszego rezystora i drugiego obwodu przewo¬ dzacego prad, a kolektor — z drugim zaciskiem zródla napiecia zasilania. Przy czym tranzystor wzmacniajacy i trzeci tranzystor tworza wzmacniacz kaskodowy, w którym stosunek rezystancji dugiego rezystora do rezystancji trzeciego rezystora jest wyznaczony w ten sposób, azeby potencjal bazy trzeciego tranzystora byl zasadniczo równy polowie spadku napiecia miedzy pierwszym a drugim zaciskami zródla napiecia.Kolektor pierwszego tranzystora w pierwszym obwodzie przewodzacym pradjest polaczony z baza tranzystora wzmacniajacego, emiter pierwszego tranzystora jest polaczony punktem o poten¬ cjale odniesienia ukladu poprzez pierwsza diode, natomiast emiter tranzystora wzmacniajacego jest polaczony z punktem o potencjale odniesienia ukladu poprzez druga diode, przy czym prad polaryzacji przeplywajacy przez szeregowa galaz obwodu kolektor-emiterpierwszego tranzystora i pierwsza diode jest zalezny od pradu polaryzacji przeplywajacego przez polaczone szeregowo obwód kolektor-emiter tranzystora i druga diode tak, iz jest proporcjonalny stosunkowi powierzchni obszaru emitera pierwszego tranzystora do powierzchni obszaru emitera wzmacniaja¬ cego tranztystora.Punkt polaczenia pierwszego i drugiego obwodów przewodzacych prad jest polaczony z baza tranzystora wzmacniajacego poprzez obwód sprzegajacy.Obwód sprzegajacy sklada sie z polaczonych szeregowo czwartego rezystora, piatego rezy¬ stora oraz zlacza baza-emiter czwartego tranzystora, którego emiterjest polaczony z baza tranzy¬ stora wzmacniajacego, a kolektor — z kolektorem trzeciego tranzystora poprzez obwód,127 575 3 zawierajacy element, którego pojemnosc jest zalezna od przylozonego napiecia. Przy czym baza czwartego tranzystora jest polaczona ze zródlem sygnalu wejsciowego, wzmacnianego przez tran¬ zystor wzmacniajacy.Miedzy kolektorem pierwszego tranzystora w pierwszym obwodzie przewodzacym prad a baza tegoz tranzystora jest wlaczony obwód szeregowy skladajacy sie z szóstego rezystora siód¬ mego rezystora i zlacza baza-emiter piatego rezystora, którego emiter jest polaczony z baza pierwszego tranzystora, a kolektor — z zaciskiem zródla napiecia zasilania. Przy tym punkt polaczenia szóstego i siódmego rezystorów jest dolaczony do ukladu automatycznej regulacji wzmocnienia.Na zalaczonym rysunku przedstawiony jest czesciowo w postaci schematu blokowego a czesciowo w postci schematu ideowego uklad bedacy urzeczywistnieniem niniejszego wynalazku.Na rysunku przedstawiony jest przeznaczony dla odbiornika telewizyjnego wzmacniacz cze¬ stotliwosci posredniej zrealizowany zgodnie z zasadami niniejszego wynalazku. Wzmacniacz zawiera pierwszy i drugi stopnie wzmacniajace czestotliwosci posredniej 300 i 330 odpowiednio, które wzmacniaja sygnaly o czestotliwosci posredniej dostarczane przez zródlo sygnalowe 200.Zastepczy uklad polaryzacji 370 reaguje na sygnal sterujacy wzmocnieniem dostarczany przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia celem zapewnienia regulacji wzmocnienia wzmac¬ niaczy czestotliwosci posredniej i polaryzacji ukladu 150 polaryzujacego automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej. Wzmacniacze czestotliwosci posredniej, uklad zastepczy polaryzacji oraz uklad polaryzacji 150 sa skompensowane temperaturowo pod wzgledem zmian wzmocnienia wywolanych zmianami temperatury poprzez uklad powielajacy 600 napiecie polaryzacji Vbe.Zastepczy uklad polaryzacji 370 i uklad 600 powielajacy napiecie polaryzacji Vbc równiez sa zbudowane tak, aby zapewniac odpowiednia polaryzacje dla kaskadowych stopni wzmacniajacych w pierwszym i drugim wzmacniaczach czestotliwosci posredniej 300 i 330 odpowiednio. Wzmac¬ niacze czestotliwosci posredniej 300 i 330, uklad zastepczy polaryzacji 370, uklad polaryzacji 150 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej i uklad 600 powielajacy napiecie polaryzacji Vbe moga byc wytworzone w technologii ukladów scalonych w postaci plytki monolity¬ cznej pólprzewodnikowej majacej obszary zlaczone dla podlaczenia elementów skladowych ukladu, zródel sygnalowych i zródel zasilania zewnetrznych wzgledem plytki pólprzewodnikowej.Wytwarzanie ukladu w postaci ukladu scalonego równiez zapewnia, ze uklady beda narazone na takie same zmiany temperatury otoczenia, co zapewnia mozliwosc kompensacji temperaturowej wszystkich ukladów poprzez zastosowanie jednego ukladu polaryzacyjnego kompensujacego zmiany temperatury.Uklady przedstawione na rysunku wzmacniaja sygnaly o czestotliwosci posredniej dostar¬ czane przez zródlo sygnalowe 200 wytwarzajace sygnaly o czestotliwosci posredniej. Te sygnaly o czestotliwosci posredniej sa zasadniczo wytwarzane przez mieszacz, wchodzacy w sklad glowicy odbiornika telewizyjnego, a widmo czestotliwosciowe tych sygnalów miesci sie w pasmie przeno¬ szenia wyznaczonego charakterystyka przenoszenia filtru zalaczonego przed wzmacniaczem cze¬ stotliwosci posredniej. Zródlo 200 sygnalów o czestotliwosci posredniej jest polaczone ze wzmacniaczem czestotliwosci posredniej poprzez zewnetrzne zaciski zlaczowe 202. Zacisk zala- czowy 202 jest polaczony z baza tranzystora buforowego 302 pierwszego wzmacniacza 300 czestot¬ liwosci posredniej.Kolektor tranzystora 302 jest dolaczony do zródla napiecia zasilania (+ V), a jego emiterjest polaczony ze zródelm napiecia odniesienia (masa) poprzez rezystor 304. Emiter tranzystora 302jest równiez polaczony z baza tarnzystora 306. Emiter tranzystora 306 jest polaczony z masa poprzez obwód równolegly skladajacy sie z rezystora 310 i spolaryzowanego w kierunku przewodzenia pólprzewodnikowego elementu prostujacego, którym jest dioda PIN 308. Kolektortranzystora 306 jest polaczony z emiterem tranzystora 312, którego baza jest polaczona z ukladem powielania polaryzujacego napiecia VbC 600 poprzez rezystor 314, a jego kolektor jest dolaczony do zewne¬ trznego zacisku zlaczowego 316.Kolektor tranzystora 302 jest równiez polaczony ze zródlem napiecia zasilania + V poprzez obwód szeregowy skladajacy sie z rezystora 324 i elementu 326 którego pojemnosc zalezna jest od4 127 575 przylozonego napiecia i który dziala jako element reagujacy na wartosci szczytowe sygnalu doprowadzonego do wzmacniacza w poblizu nosnej obrazu w warunkach slabych sygnalów uzytecznych. Tranzystory 306 i 312 sa zalaczone w ukladzie wzmacniacza kaskodowego i stanowia pierwszy stopien wzmocnienia sterowanego dla sygnalów o czestotliwosci posredniej.Zewnetrzny obwód rezonansowy 320 jest dolaczony do zewnetrznych zacisków zlaczowych 316 poprzez rezystor 318. Sygnal o czestotliwosci posredniej jest nastepnie doprowadzony z obwodu rezonansowego 320 do wejscia drugiego wzmacniacza czestotliwosci posredniej 330 poprzez zewnetrzny zacisk zlaczowy 322. Zewnetrzny zacisk zlaczowy 322 jest polaczony z baza tranzystora buforowego 532, którego kolektor jest dolaczony do zródla napiecia zasilania + V a emiter jest polaczony z masa poprzez rezystor 334.Drugi wzmacniacz czestotliwosci posredniej 330 jest zbudowany w taki sam sposób jak pierwszy wzmacniacz czestotliwosci posredniej 300 i zawiera tranzystor buforowy 332, wzmacniacz kaskodowy zrealizowany z wykorzystaniem tranzystorów 336 i 342, diode PIN 338 zalaczona miedzy emiterem tranzystora 336 zalaczonego w ukladzie o wspólnym emiterze a masa ukladu oraz przynalezne elementy rezystancyjne. Wyjscie drugiego wzmacniacza czestotliwosci posredniej 330 jest dolaczone poprzez kolektor tranzystora 342 do zewnetrznego obwodu rezonansowego 350 poprzez zewnetrzne zaciski zlaczowe 346. Wzmocniony sygnal o czestotliwosci posredniej jest nastepnie doprowadzany poprzez obwód rezonansowy 350 do trzeciego wzmacniacza czestotli¬ wosci posredniej nie pokazanego na rysunku celem dalszego wzmocnienia i do dalszych ukladów przetwarzania sygnalów.Wzmocnienie wzmacniaczy czestotliwosci posredniej 300 i 330 jest regulowane napieciem sterujacym o czestotliwosci posredniej uzyskiwanym z napiecia sterujacego automatycznej regula¬ cji wzmocnienia wytwarzanego przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia. Uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia moze byc, dla przykladu, takim ukladem, który wytwarza napiecie sterujace automatycznej regulacji wzmocnienia, które zmienia sie w zaleznosci od poziomu odebranego sygnalu wizyjnego.Napiecie sterujace automatycznej regulacji wzmocnienia jest doprowadzane do bazy tranzy¬ stora 372 w ukladzie zastepczym 370 poprzez obwód szeregowy skladajacy sie z rezystora 362 i rezystora 364 z zewnetrznego zacisku zlaczowego 402. Kolektor tranzystora 372jest dolaczony do zródla napiecia zasilania + V, a jego emiter jest polaczony z baza tranzystora 376 i z masa ukladu poprzez rezystor 374. Tranzystor 376 ma emiter polaczony z masa ukladu poprzez PIN diode 378, a jego kolektor jest dolaczony do lacza 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej. Lacze 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej jest pola¬ czone z baza tranzystora 372 poprzez kondensator 368 i dolaczone do punktu polaczenia rezysto¬ rów 362 i 364 poprzez rezystor 366.Uklad zastepczy 370 jest tak nazywany dlatego, ze reguluje on prad polaryzacji dostarczany do pierwszego i drugiego wzmacniaczy czestotliwosci posredniej 300 i 330 oraz do ukladu 150 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej i jest tak zbudowany, aby miec geometrie, która jest replika lub odwzorowaniem geometrii wzmacniaczy czestotliwosci posredniej i ukladu automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej. W szczególnosci mozna zauwazyc, ze uklad zastepczy 370 ma potrójny spadek napiecia na zlaczu baza-emiter (3 Vbc) równy spadkowi napiecia miedzy baza tarnzystora 372 i uziemiona katoda PIN diody 378, który dopaso¬ wuje podobne 3 Vbc struktury wzmacniaczy czestotliwosci posredniej i uklad polaryzacji automaty¬ cznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej.Poniewaz zastepczy uklad polaryzacji 370 stanowi replike pierwszego i drugiego wzmacniaczy czestotliwosci posredniej 300 i 330, prad spoczynkowy kolektor-emiter tranzystora 376 bedzie odwzorowany jako spoczynkowy prad polaryzacyjny w obwodach kolektor-emiter tranzystorów 306 i 336 w sposób podobny do odbicia lustrzanego. Stosunek pradu przeplywajacego przez tranzystor 376 do pradów przeplywajacych przez tranzystory wzmacniacza czestotliwosci posred¬ niej jest funkcja obszarów emiterowych odpowiednich tranzystorów.W przykladzie przedstawionym tytulem ilustracji na zalaczonym rysunku obszary emiterowe tranzystorów 306 i 336 sa dwukrotnie wieksze niz obszar emiterowy tranzystora 376. Tooznacza, ze przy braku sterowania automatycznego, to znaczy w warunkach spoczynkowych, prad przeplywa-127 575 5 jacy przez tranzystor 376 równy jednemu miliamperowi bedzie odwzorowany jako dwumiliampe- rowy prad przeplywajacy przez kazdy z tranzystorów 306 i 336.Oczywiste jest, ze obszary emiterowe odpowiednich tranzystorów moga byc wyskalowane wedlug innej zasady, jezeli wymagane jest, aby przez wzmacniacze czestotliwosci posredniej przeplywaly inne prady spoczynkowe. Zastepczy uklad polaryzacji 370 równiez moze byc wykorzy¬ stany do polaryzacji równoleglej wiekszej liczby wzmacniaczy w warunkach spoczynkowych, jezeli zachodzi ku temu potrzeba.Napiecie automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej na laczu 360 jest doprowadzane do bazy tranzystora 302 pierwszego wzmacniacza czestotliwosci posredniej 300 poprzez obwód szeregowy skladajacy sie z rezystorów 382 i 384. Kondensator 386jest dolaczony do punktu polaczenia rezystorów 382 i 384 i do masy ukladu. Kondensator ten zapewnia odsprzezenie lacza 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej od sygnalów czestotli¬ wosci posredniej obecnych na bazie tranzystora 302. Podobne napiecie automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej jest doprowadzone do bazy tranzystora 332 poprzez obwód szeregowy skladajacy sie z rezystorów 390 i 392 z lacza automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej.Lacze 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniejjest odizolowane od sygnalu czestotliwosci posredniej obecnego na bazie tranzystora 332 za pomoca kondensatora 394, który jest zalaczony miedzy punktem polaczenia rezystorów 390 i 392, a masa ukladu i tworzy obwód zapewniajacy filtracje skladowych malej czestotliwosci napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej w tym punkcie. Napiecie automatycznej regulacji wzmoc¬ nienia czestotliwosci posredniej równiez jest doprowadzane do ukladu 150 polaryzacji automaty¬ cznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej poprzez rezystor odsprzegajacy 380.Uklad 150 polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej reaguje na zmniejszenie napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej doprowa¬ dzanego do jego wyjscia wytworzeniem opóznionego napiecia automatycznej regulacji wzmocnie¬ nia czestotliwosci radiowej, która jest doprowadzana do glowicy odbiornika telewizyjnego, nie pokazanej na zalaczonym rysunku. Rezystor odsprzegajacy 380jest dolaczony do bazy tranzystora 154, która jest polaczona z masa ukladu poprzez kondensator 152. Kolektor tranzystora 154 jest dolaczony do zródla napiecia zasilania + V, a jego emiter jest polaczony z masa ukladu poprzez rezystor 156 i z baza tranzystora 160 poprzez rezystor 158. Emiter tranzystora 160 jest polaczony z masa ukladu poprzez spolaryzowana w kierunku przewodzenia PIN diode 162, ajego kolektorjest polaczony z baza tranzystora 166 i z rezystorem regulowanym 190. Nastawienie rezystora regulo¬ wanego 190 okresla punkt polaryzacji, to znaczy poziom napiecia na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej, przy którym zmniejszenie jest zapoczatkowane przez uklad polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej.Dioda Zenera 164 ma anode polaczona z baza tranzystora 160 i katoda polaczona z kolekto¬ rem tranzystora 160. Dioda Zenera 164 pracuje jako dynamiczny stabilizator zakresu przezna¬ czony do zabezpieczania tranzystora 160 przed nadmiernym wzrostem napiecia najego kolektorze, co moze miec miejsce podczas przelaczania kanalów.Jezeli odbiornik telewizyjny odbiera bardzo silny sygnal telewizyjny podczas przelaczania kanalów, system automatycznej regulacji wzmocnienia bedzie reagowal tak, by zmniejszyc wzmoc¬ nienie wzmacniaczy czestotliwosci posredniej i czestotliwosci radiowej. Takiezmniejszenie wzmoc¬ nienia bedzie powodowalo ustawienie tranzystora 160 w stan nieprzewodzenia.W przypadku, gdyby nie byla przewidziana dioda Zenera 164, napiecie na kolektorze tego tranzystora mogloby wzrosnac do poziomu + V równego napieciu zasilania doprowadzanemu poprzez rezystor regulowany 190.Jezeli przelacznik kanalowy ostatecznie zatrzymuje sie w pozycji odpowiadajacej kanalowi, w którym odbieranyjest slaby sygnal telewizyjny, glowica odbiornika telewizyjnego powinna praco¬ wac w warunkachm charakteryzujacych sie duzym wzmocnieniem. Przy tym tranzystor 160 zaczyna przewodzic prad elektryczny, co zmniejsza napiecie na jego kolektorze i zwieksza wzmoc¬ nienie czestotliwosci radiowych. Jednakze uklad automatycznej regulacji wzmocnienia zawiera pewne elementy opózniajace, które moga zwalniac taka reakcje ukladu 150 polaryzacji automaty-6 127 575 cznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej, i moze zawierac kondensator dolaczony do kolektora tranzystora 150. Dioda Zenera zapobiega takiemu zwolnieniu reakcji ukladu polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej poprzez stabilizowanie napiecia kolektora tranzystora 160 na maksymalnym poziomie, od którego uklad moze niezwlocznie powrócic do normalnego stanu.Jak zaznaczono uprzednio, obwody wejsciowe ukladu polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej zawieraja tranzystory 154 i 160 oraz diode PIN 162. Tworza one obwód 3 Vbe, który dopasowuje napiecia polaryzacji ukladu zastepczego 370. Poniewaz uklad 150 polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej dziala przy bardzo malych poziomach pradowych w porównaniu z pradami wzmacniaczy czestotliwosci posredniej w przedstawionym na rysunku przykladzie realizacji wynalazku obszar emitera tranzystora 160jest wybierany o wiele mniejszym, niz obszar emiterowy tranzystora 376. To oznacza, ze prad kolektorowo-emiterowy tranzystora 160 bedzie mniejszy od pradu kolektorowo-emiterowego dopasowanego tranzystora 376 zalaczonego w zastepczym ukladzie polaryzacji 370.Kolektor tranzystora 166 jest dolaczony do zródla napiecia zasilania + V i tranzystor ten wytwarza napiecie automatycznej regulacji wzmocnienia doprowadzane do elektrody emiterowej 170 wykorzystywane dla glowicy odbiornika telewizyjnego. Tranzystor 168 ma druga elektrode emiterowa 172, która jest polaczona z masa ukladu poprzez obwód szeregowy skladajacy sie z rezystorów 174 i 176. Punkt polaczenia rezystorów 174 i 176 jest polaczony z baza tranzystora 180, którego emiter polaczony jest z masa poprzez rezystor 182. Tranzystor 180 wytwarza napiecie automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej o biegunowosci odwrotnej wzgledem biegunowosci napiecia uzyskiwanego z emitera 170 uzyskiwane na kolektorze tego tranzystora. W ten sposób uklad 150 polaryzacji automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej wytwarza dwa napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia o róznych biegunowosciach, co czyni przydatnym go do zastosowania z glowica, dzialajaca zgodnie z okreslona zasada regulacji.Nalezy równiez zaznaczyc, ze zakres napiecia o polaryzacji odwrotnej nie jest ustalony sztywno lecz moze byc wyznaczony przez uzytkownika poprzez wybór impedancji obciazenia na wyjsciu ukladu automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci radiowej.Uklad polaryzacji 600 zwielokrotnionego napiecia Vbe dziala jako zródlo napiecia dla lacza 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej i dla tranzystora 376. Tranzy¬ stor 602 ma kolektor dolaczony do zródla + V napiecia zasilania poprzez rezystor 610, ajego emiter jest polaczony z laczem 360 automatcznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej poprzez rezystor 608. Rezystor 604 jest polaczony z kolektorem i baza tranzystora 602, a rezystor 606 jest zalaczony miedzy baza a emiterem tranzystora 602. Gdy rezystancje rezystorów 604 i 606 odpowia¬ daja wartoscia podanym na rysunku, na rezystorze 606 podtrzymuje sie spadek napiecia równy 1 Vte, to znaczy okolo 0,7 V, równy spadkowi napiecia na zlaczu baza-emiter tranzystora 602, zabocznikowanym przez ten rezystor.Poniewaz stosunek rezystancji rezystorów 604 i 606 jest równy okolo pieciu do jednego w danym przykladzie realizacji wynalazku, na rezystorze 604 spadek napiecia bedzie wynosil 5 Vbe w przypadku ogólnego spadku napiecia równego 6 Vbc w obwodzie kolektor-emiter tranzystora 602.Tak wiec napiecie na emiterze tranzystora 602, a wiec i na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej pozostaje na poziomie który okolo 6 Vtcjest mniejszy od napiecia na kolektorze tranzystora.Gdy z ukladu 400 automatycznej regulacji wzmocnienia nie doprowadza sie napiecie sterujace, to znaczy w warunkach roboczych odpowiadajacych maksymalnemu wzmocnieniu, napiecie na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia utrzymywane jest na poziomie o okolo 3 Vbc wyzszym od poziomu napiecia na wspólnym punkcie ukladu poprzez uklad zastepczy 370. W tych warunkach napiecie doprowadzane do baz tranzystorów 312 i 342 zalaczonych we wzmacniaczach kaskodowych jest okolo 9 Vbe wieksze od potencjalu wspólnego punktu ukladu (masy ukladu).Korzystne jest, gdy napiecie polaryzacji wzmacniaczy kaskodowych 306,312 i 336,342 równe polowie napiecia + V dostarczanego przez zródlo zasilania przypada na kazdy z dwóch tranzysto¬ rów zalaczonych w ukladzie wzmacniacza kaskodowego w stanie spoczynku. Na przyklad, gdy wybrane jest zródlo zasilania o napieciu równym 12 V, napiecie to jest doprowadzone do kolekto-i i 127575 7 rów tranzystorów kaskodowych 312 i 342 zalaczonych w ukladzie o wspólnej bazie poprzez obwody rezonansowe 320 i 350 odpowiednio. Poza tym korzystnym jest, gdy napiecie polaryzacji wzmacniaczy kaskodowych wynosi 6 V, które to napiecie stale jest doprowadzane do kolektorów tranzystorów 306 i 336. Napiecie na bazach tranzystorów 312 i 342 bedzie w ten sposób wieksze od 6VookololVbe.Poniewaz bazy tranzystorów 312 i 342 sa spolaryzowne napieciem równym 9Vbe przez zastepczy uklad polaryzacji 370 i powielajacy uklad polaryzacji 600, wynoszacym okolo 6,3 V, mozna zauwazyc, ze wzmacniacze kaskodowe sa spolaryzowane w sposób odpowiedni tymi ukladami w warunkach spoczynkowych.W warunkach roboczych uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia wytwarza napiecie sterujace automatycznej regulacji wzmocnienia, które bezposrednio zalezy od poziomu poddanego detekcji sygnalu wizyjnego; slaby (o malym poziomie) sygnal wizyjny bedzie powodowal wytworze¬ nie napiecia sterujacego automatycznej regulacji wzmocnienia o malym poziomie, natomiast silny (o duzym poziomie) sygnal wizyjny bedzie powodowal wytworzenie napiecia sterujacego automa¬ tycznej regulacji wzmocnienia o duzym poziomie. W warunkach slabego sygnalu do ukladu zastepczego polaryzacji 370 doprowadza sie napiecie sterujace automatycznej regulacji wzmocnie¬ nia o malym poziomie, wywolujace male zmiany spoczynkowych warunków przewodzenia tranzy¬ storów 372 i 376. Napiecie na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej bedzie z tego powodu równe okolo 3 VbC. Napiecie to jest doprowadzane do bazy tranzystorów 302 i 332 wzmacniaczy czestotliwosci posredniej 300 i 330. Tranzystory 302 i 306 oraz 332 i 336 beda wówczas przewodzic duze prady, a do PIN diod 308 i 338 beda doprowadzane przez tranzystory 306 i 336 odpowiednio duze stale prady polaryzujace. Duze prady polaryzujace beda powodowac, ze PIN diody beda mialy male rezystancje, przez co calkowite rezystancje zalaczone w obwodach emiterów tranzystorów 306 i 336 beda male. Wzmacniacze kaskodowe 306, 312 i 336, 342 beda wówczas wzmacnialy slabe sygnaly czestotliwosci posredniej dostarczane przez zródlo 200 sygnalów czestotliwosci posredniej.Gdy poziom sygnalów wizyjnych zwieksza sie wraz ze zwiekszeniem poziomu odbieranego sygnalu telewizyjnego czestotliwosci radiowe, wówczas zwieksza sie poziom sygnalu sterujacego automatycznej regulacji wzmocnienia wytwarzanego przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia. Zwiekszenie napiecia sterujacego automatycznej regulacji wzmocnienia powoduje zwiekszenie pradu przeplywajacego przez rezystor 362 ku zastepczemu ukladowi polaryzacji 370 i na lacze 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej. Zastepczy uklad polaryzacji 370 bedzie reagowal na przeplyw pradu z ukladu 400 automatycznej regulacji wzmoc¬ nienia w taki sposób, aby utrzymac poziom napieciowy na bazie tranzystora 372 równym okolo 3Vbc. Jest to zwiazane ze zwiekszeniem przewodzenia tranzystora 376.Zasadniczo caly zwiekszony przeplyw pradu od ukladu automatycznej regulacji wzmocnienia jest kierowany do lacza 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej poprzez rezystor 366, a nastepnie do masy poprzez tranzystor 376, co powoduje spadek napiecia na rezystorze 366. Spadek napiecia na rezystorze 366 bedzie powodowal, ze napiecie na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej spadnie do poziomu mniejszego od 3 Vbe, któremu jest równe napiecie na bazie tranzystora 372. W tym samym momencie tranzystor 376 przewodzi zasadniczo caly prad dostarczany przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmoc¬ nienia poprzez rezystor 366, a przy tym uklad polaryzacji powielajacy Vbe dostarcza prad spoczynkowy.Zmniejszenie napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej na laczu 360 wywoluje zmniejszenie napiecia doprowadzanego do baz tranzystorów 302 i 332 poprzez rezystory 382, 384 i 390, 392 odpowiednio, co z kolei powoduje zmniejszenie przewodnosci wzajemnej tranzystorów 306 i 336. Ze wzgledu na zmniejszenie przewodnosci wzajemnej tranzysto¬ rów 306 i 336 stale prady polaryzacji dostarczane do PIN diod 308 i 338 poprzez tranzystory 306 i 336 odpowiednio zmniejszaja sie, a rezystancje PIN diod 308 i 338 zwiekszaja sie. Zwiekszone impedancje emiterowe tranzystorów 306 i 336 powoduja zmniejszenie wzmocnienia wzmacniaczy kaskodowych 306, 312 i 336,342.8 127 575 Ponadto, poniewaz uklad powielania napiecia polaryzacji Vbe 600 jest zalaczony w celu utrzymania stalej róznicy (równej 6Vbe) napiec miedzy napieciem na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej i napieciem na bazach tranzystorów kaskodowych 312 i 342, mozna zaznaczyc, ze stalopradowe napiecie polaryzacji doprowadzone do tranzystorów 312 i 342 bedzie odwzorowywalo zmniejszajacy sie poziom napieciowy na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej.Prad dostarczany przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia bedzie zwiekszal sie wraz ze zwiekszeniem sie poziomu sygnalu wizyjnego, a zwiekszajacy sie spadek napiecia na rezystorze 366 bedzie zmniejszal poziom napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia czestotli¬ wosci posredniej na laczu 360. Zmniejszajace sie napiecie automatcznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej bedzie powodowalo zmniejszenie sie gm tranzystorów 306 i 336 wzmacnia¬ cza czestotliwosci posredniej, a rezystancje PIN diod 308 i 338 beda sie zwiekszac. Parametry gm tranzystorów 306 i 336 beda osiagac poziom minimalny, przy którym wzmocnienie napiecia wzmacniaczy czestotliwosci posredniej jest równe prawie jednosci i pelny zakres zmniejszenia wzmocnienia czestotliwosci posredniej moze byc przekreslony. Dowolne dalsze zmniejszenie wzmocnienia moze byc osiagniete w glowicy w wyniku oddzialywania napiecia sterujacego dostar¬ czanego przez dzialajacy z opóznieniem uklad 150 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotli¬ wosci radiowej.W miare, jak wzmacniacze czestotliwosci posredniej zblizaja sie do granicy zmniejszenia sie wzmocnienia czestotliwosci posredniej, male napiecie automatycznej regulacji wzmocnienia cze¬ stotliwosci posredniej, które jest doprowadzone do bazy tranzystora 154 poprzez rezystor odsprze- gajacy 102, powoduje, ze przewodnosc tranzystora zmniejsza sie. Napiecie na emiterze tranzystora 152 zmniejsza sie, gdy tranzystor zostaje odciety, co powoduje zmniejszenie przewodnosci tranzy¬ stora 160. Napiecie na kolektorze tranzystora 160 bedzie sie zwiekszalo z szybkoscia, wyznaczona nastawieniem regulowanego rezystora 190, gdy tranzystor 160 zostaje odciety.Napiecie na bazie tranzystora 166 osiaga poziom wystarczajacy na to, aby ustawic ten tranzystor w stan przewodzenia, co z kolei, powoduje, ze tranzystor 168 zaczyna przewodzic. Prad zaczyna przeplywac w obwodzie pierwszego emitera 170 tranzystora 168, który to prad moze byc wykorzystany do wytwarzania napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia dla glowicy odbior¬ nika telewizyjnego. Jednoczesnie prad bedzie przeplywal przez drugi emiter 172 tranzystora 168 co powoduje, ze tranzystor 180 zaczyna przewodzic. Prad zatem przeplywa w obwodzie kolektora tranzystora 180, a jego biegunowosc bedzie odwrotna do biegunowosci pradu przeplywajacego w obwodzie pierwszego emitera 170 tranzystora 168. Prad kolektorowy tranzystora 180 moze byc wykorzystywany do wytwarzania napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia dla glowicy o biegunowosci przeciwnej wzgledem biegunowosci pierwszego napiecia automatycznej regulacji wzmocnienia.Uklad polaryzacji 600 bedzie modyfikowal prad polaryzacji dostarczany przez rezystor 610 w funkcji temperatury w sposób, który kompensuje, w przypadku normalnych wartosci gm, zmniej¬ szenie wzmocnienia tranzystorów 306 i 336 wywolane zwiekszeniem temperatury. Jak uprzednio zaznaczono, kolektor tranzystora 602 jest spolaryzowany tak, ze punkt spoczynkowy tego tranzy¬ stora odpowiada 9 Vbc, co jest zapewnione zastepczym ukladem polaryzcaji 370 i ukladem polary¬ zacji 600, powielajacym Vbc. Tenpunkt polaryzacji charakteryzuje sie ujemnym wspólczynnikiem temperaturowym, który jest funkcja liczby przy potencjale polaryzacji Vbc w tym punkcie.Napiecie baza-emiter tranzystora moze byc wyrazone w pierwszym przyblizeniu jako Vbe=IL_ ln[(!f )] q Inas fidzie* Te — prad emitera, Inas — prad nasycenia tranzystora.Chociaz w liczniku znajduje sie czlon T wyrazenia kT/q, czlon Vbe w rzeczywistosci jest odwrotnie proporcjonalny do temperatury dzieki ekstremalnej zaleznosci temperaturowej czlonu Inas. Vbe tranzystora zmniejsza sie przy zwiekszeniu temperatury z powodu dominujacego wplywu czlonu Inas w wyrazeniu dlaVbc.s i 127575 9 Zaleznosc Vbe od' temperatury moze byc wyrazona dla stalych Ie. Z powodu zaleznosci temperaturowej pradumasycenia otrzymujemy nastepujacy wynik: dT Ie = const Stwierdzono, ze ta wartosc jest prawie stala dla wszystkich typów tranzystorów i dla wszyst¬ kich normalnych wartosci Ie. W konsekwencji punkt spoczynkowy polaryzacji 9 Vbe kolektora tranzystora 602 ma ujemny wspólczynnik temperaturowy równy -18mV/°C. Oznacza to, ze napiecie na kolektorze tranzystora 602 bedzie zmniejszac sie o 18 mV przy zwiekszeniu temperatury otoczenia o jeden stopien.Powyzej bylo zaznaczone, ze punkt 9 VbC pracy obwodu kolektorowegotranzystora 602 bedzie utrzymywany na poziomie okolo 6,3 V przy braku sygnalu automatycznego regulacji wzmocnienia przez uklad 400 automatycznej regulacji wzmocnienia i zastepczy uklad polaryzacji 370. Gdy napiecie na laczu 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej zmniejsza sie, napiecie w punkcie 9 Vbc równiez nieco sie zmniejsza, lecz utrzymuje sie na poziomie napieciowym, który jest o 6 VbC wiekszy od poziomu napieciowego na laczu automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posredniej. Napiecie na kolektorze tranzystora 602 bedzie zatem równe okolo 6 V.Gdy rezystancja rezystora 610 jest równa okolo 1000 fl, jak pokazano na rysunku, przedsta¬ wiajacym korzystny przyklad realizacji wynalazku, i gdy wykorzystuje sie 12-woltowe zródlo zasilania, mozna pokazac, ze spadek napiecia na rezystorze wynosi okolo 6 V. Przez ten rezystor przeplywa wówczas prad o natezeniu 6 mA do ukladu polaryzacji 600powielania napiecia Vbe. Ten prad przeplywa w kierunku lacza 360 automatycznej regulacji wzmocnienia czestotliwosci posred¬ niej przez uklad polaryzacji 600 piwielania napiecia Vbe i stad do masy przez tranzystor 376 zastepczego ukladu polaryzacji 370. ten prad o natezeniu 6 mA przeplywajacy przez tranzystor 376 bedzie odwzorowany przez wzmacniacze kaskodowe 306,312 i 336,342 w stosunku dwa do jednego w wyniku tego, ze stosunek obszarów emiterowych tranzystorów 306 i 336 do obszaru emiterowego tranzystora 376 wynosi dwa do jednego. Tak wiec prad o natezeniu 6mA przeplywajacy przez tranzystor 376 bedzie wywolywal przeplyw pradu o natezeniu 12 mA w obwodzie kolektorowym kazdego z tranzystorów 306 i 336.Gdy te wartosci podstawic w równanie (2) dla gm, dla temperatury pokojowej wynoszacej 290°K otrzymuje sie nastepujace wartosci: 0 - q T _(1,6X10"19)(12X10-3) kT (1,38X10'23)(290) gm = 4,79 X 10"1 A/V = 0,479 simensa.Poniewaz temperatura ukladu pokazanego na zalaczonym rysunku zwieksza sie od tempera¬ tury pokojowej do temperatury pokojowej do znamionowej temperatury roboczej wyzszej o prawie 55°C od temperatury pokojowej, to znaczy do temperatury 345 K, parametr Vbe tranzystorów w ukladzie bedzie zmniejszal sie o 2 mV na kazdy °C zmiany temperatury. W konsekwencji punkt 3 Vbc kolektora tranzystora 376 bedzie zmniejszal sie o 330 mV przy zmianie temperatury o 55°C.Napiecie baza-emiter tranzystora 602 równiez zmniejsza sie w proporcji 2 mV na kazdy °C, co powoduje zmniejszenie spadku napiecia na rezystorze 606.Napiecie na rezystorze 604 dzielnika napiecia 604, 606 bedzie zmniejszac sie o wartosc wyznaczona stosunkiem rezystancji rezystorów tworzacych dzielnik napiecia, który to stosunek w przykladzie realizacji wynalazku przedstawionym na zalaczonym rysunku wynosi piec dojednego.Takwiec ogólny spadek napiecia w ukladzie 600 powielania napiecia polaryzacji Vbc bedzie równy 6 Vbe lub inaczej 660 mV przy zmianie temperatury o 55°C. Ogólny spadek napiecia w punkcie polaryzacji 9 Vbc na kolektorze tranzystora 602 bedzie z tego powodu równy okolo 1 V, który to wynik otrzymywany jest równiez przy zwiekszonym wspólczynniku temperaturowym do - 18mV/°C przy zmianie napiecia o 55°C.10 127 575 Takie zwiekszenie poziomu napiecia na kolektorze tranzystora 602 bedzie powodowalo, ze spadek napiecia na rezystorze 610 bedzie wynosil okolo 7 V, a przy tym bedzie przeplywal prad o natezeniu 7mA ku zastepczemu ukladowi polaryzacji 370 poprzez uklad 600 powielania napiecia polaryzacji Vbe. Przeplywajacy przez tranzystor 376 prad o natezeniu 7 m A bedzie odwzorowywany w stosunku dwa do jednego w tranzystorach 306 i 336, których prady kolektorowe beda równe w tym przypadku po 14 mA. Jezeli te wartosci podstawic w równanie (2) dla gm, otrzymamy wówczas nastepujace wyniki: B - q T _(1,6X10-19)(14X10"3) gm — lc — kT (1,38X10"23)(245) gm= 4,7X 10"1 A/V = 0,47 simensa.Jak widac, ten wynik jest identyczny z poprzednim, obliczonym dla pracy przy temperaturze pokojowej. Oznacza to, ze uklad 600 powielania napiecia polaryzacji Vbe wedlug przedstawionego na zalaczonym rysunku przykladu realizacji wynalazku bedzie stabilizowac gm wzmacniaczy czestotliwosci posredniej przy zmianie temperatury roboczej.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad kompensacji temperaturowej wzmocnienia wzmacniacza tranzystorowego z tranzy¬ storem wzmacniajacym majacym zlacze baza-emiter, przeznaczony do stabilizacji wzmocnienia w warunkach zmiennej temperatury roboczej, zawierajacy obwód polaryzacji ustalajacy punkt pracy tranzystora wzmacniajacego oraz zródlo napiecia zasilania majace pierwszy i drugi zaciski, zna¬ mienny tym, ze obwód polaryzacji sklada sie z polaczonych szeregowo i wlaczonym miedzy pierwszym zaciskiem, stanowiacym punkt o potencjale odniesienia ukladu, i drugim zaciskiem ( +V) zródla napiecia zasilania pierwszy obwód (370) przewodzacy prad, na którym zalezny od temperatury spdek napiecia jest równy spadkowi napiecia na zlaczu baza-emiter tranzystora wzmacniajacego (306), drugi obwód (600) przewodzacy prad, na którym spadek napiecia jest stala wielokrotnoscia wartosci spadku napiecia na pierwszym obwodzie (370) przewodzacym prad i zmienia sie w zaleznosci od zmian temperatury z zachowaniem stalej relacji wzgledem spadku napiecia na pierwszym obwodzie (370) przewodzacym prad, oraz trzeci obwód (610) przewodzacy prad odznaczajacy sie zasadniczo stala niezalezna od temperatury impedancja, przy czym obwód baza-emiter tranzystora wzmacniajacego (306) jest wlaczony miedzy punktem polaczenia pier¬ wszego (370) i drugiego (600) obwodów przewodzacych prad a pierwszym zaciskiem zródla zasilania bedacym punktem o potencjale odniesienia ukladu. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze tranzystor wzmacniajacy (306) oraz pierwszy (370), drugi (600) i trzeci (610) obwody przewodzace prad sa wytworzone w technologii ukladów scalonych na jednej monolitycznej plytce pólprzewodnikowej. 3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trzeci obwód (610) przewodzacy prad zawiera pierwszy rezystor (610), drugi obwód (370) przewodzacy prad zawiera pierwszy tranzystor (376), drugi obwód przewodzacy prad (600) zawiera drugi tranzystor (602), przy czym obwody kolektor- emitery pierwszego (376) i drugiego (602) tranzystorów sa wlaczone szergowo, przy czym miedzy kolektorem i emiterem drugiego tranzystora (602) sa zalaczone polaczone szergowo drugi (604) i trzeci (606) rezystory, których punkt polaczenia jest dolaczony do bazy drugiego tranzystora (602), przy czym spadek napiecia na trzecim rezystorze (606) stanowi spadek napiecia na zlaczu baza- emiter drugiego tranzystora (602), a spadek napiecia na drugim rezystorze (604) znajduje sie w takiej relacji wzgledem spadku napiecia na trzecim rezystorze (606), którajest wyznaczona stosun¬ kiem rezystancji drugiego rezystora (604) do rezystancji trzeciego rezystora (606). 4. Uklad wedlug zastrz. 1 albo 3, znamienny tym, ze z kolektorem tranzystora wzmacniajacego (306) jest polaczony emiter trzeciego tranzystora (312), którego baza jest polaczona z punktem polaczenia pierwszego rezystora (610) i drugiego obwodu (600) przewodzacego prad, a kolektor — z drugim zaciskiem ( + V) zródla napiecia zasilania, przy czym tranzystor wzmacniajacy (306) i127575 11 trzeci tranzystor (312) tworza wzmacniacz kaskodowy (300), w którym stosunek rezystancji drugiego rezystora (604) do rezystancji trzeciego rezystora (606) jest wyznaczony w ten sposób, azeby potencjal bazy trzeciego tranzystora (312) byl zasadniczo równy polowie spadku napiecia miedzy pierwszym, a drugim ( + V) zaciskami zródla napiecia.. Uklad wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze kolektor pierwszego tranzystora (376) w pier¬ wszym obwodzie (370) przewodzacym prad jest polaczony z baza tranzystora wzmacniajacego (306), emiter pierwszego tranzystora (376) jest polaczony punktem o potencjale odniesienia ukladu poprzez pierwsza diode (378), natomiast emiter tranzystora wzmacniajacego (306)jest polaczony z punktem o potencjale odnisienia ukladu poprzez druga diode (308), przy czym prad polaryzacji przeplywajacy przez szeregowo galaz obwodu kolektor-emiter pierwszego tranzystora (376) i pierwsza diode (378) jest zalezny od pradu polaryzacji przeplywajacego przez polaczone szeregowo obwód kolektor-emiter tranzystora wzmacniajacego (306) i druga diode (308) tak, izjest proporcjo¬ nalny stosunkowi powierzchni obszaru emitera pierwszego tranzystora (376) do powierzchni obszaru emitera tranzystora wzmacniajacego (306). 6. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze punkt polaczenia pierwszego (370) i drugiego (600) obwodów przewodzacych prad jest polaczony z baza tranzystora wzmacniajacego (306) poprzez obwód sprzegajacy (382,384,302). 7. Uklad wedlug zastrz. 6, znamienny tym, ze obwód sprzegajacy (382, 384, 302) sklada sie z polaczonych szeregowo czwartego (382) rezystora, piatego rezystora (384) oraz zlacza baza-emiter czwartego tranzystora (302), którego emiter jest polaczony z baza tranzystora wzmacnajacego (306), a kolektor— z kolektorem trzeciego tranzystora (312) poprzez obwód, zawierajacy element (326), którego pojemnosc jest zalezna od przylozonego napiecia, przy czym baza czwartego tranzystora (302) jest polaczona ze zródelm (200) sygnalu wejsciowego, wzmacnianego przez tranzystor wzmacniajacy (306). 8. Uklad wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze miedzy kolektorem pierwszego tranzystora (376) w pierwszym obwodzie (370) przewodzacym prad, a baza tegoz tranzystora jest wlaczony obwód szeregowy skladajacy sie z szóstego rezystora (366), siódmego rezystora (364) i zlacza baza-emiter piatego tranzystora (372), któego emiter jest polaczony z baza pierwszego tranzystora (376) a kolektor — z zaciskiem (+ V) zródla napiecia zasilania, przy czym punkt polaczenia szóstego (366) i siódmego (364) rezystorów jest dolaczony do ukladu (400) automatycznej regulacji wzmocnienia.127575 + I.5RS—384 +V 6io4 ik H 382ilKTW_rj] 3.3Rv604 700A +V 606 I 59241.5K **»—, r-Jn WK) ; 39( 30f¥ ?700M35ftv :70on •340 pf 366-|470ft 362—|8 2K 374 402-4^400 Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PL PL PL PL PL