PL164663B1 - Źródło plazmy - Google Patents

Źródło plazmy

Info

Publication number
PL164663B1
PL164663B1 PL29007291A PL29007291A PL164663B1 PL 164663 B1 PL164663 B1 PL 164663B1 PL 29007291 A PL29007291 A PL 29007291A PL 29007291 A PL29007291 A PL 29007291A PL 164663 B1 PL164663 B1 PL 164663B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
cathode
plasma source
control coils
solenoid
anode
Prior art date
Application number
PL29007291A
Other languages
English (en)
Other versions
PL290072A2 (en
Inventor
Krzysztof Miernik
Jan Walkowicz
Jerzy Smolik
Jan Bujak
Original Assignee
Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks filed Critical Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks
Priority to PL29007291A priority Critical patent/PL164663B1/pl
Publication of PL290072A2 publication Critical patent/PL290072A2/xx
Publication of PL164663B1 publication Critical patent/PL164663B1/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Źródło plazmy, składające się ze zbiornika próżniowego, wewnątrz którego znajduje się solenoid wraz z umieszczoną w nim katodą i anoda z układem inicjującym wyładowanie łukowe, znamienne tym, że posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące (5) umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody (2).

Description

Przedmiotem wynalazku jest źródło plazmy urządzenia stosowanego głównie do nanoszenia warstw materiałów jedno- i wieloskładnikowych metodą łukowego rozpylania w próżni.
Źródło plazmy urządzenia do nanoszenia cienkich warstw jedno- i wieloskładnikowych znane jest np. z patentu USA nr 3 625 848. Składa się ono z katody o kształcie walca otoczonej stożkowatą anodą, na której zamocowany jest układ inicjujący wyładowanie łukowe. Anoda wraz z układem inicjującym oraz katoda podłączone są do biegunów stałoprądowego zasilacza niskiego napięcia i umieszczone są w zbiorniku próżniowym.
Znane są też konstrukcje źródeł, w których dla lokalizacji plazmy na czołowej powierzchni katody, stosowane są ekrany elektrostatyczne lub układy magnetyczne. Układ magnetyczny w tego typu rozwiązaniach, stanowi elektromagnes wykonany w postaci solenoidu, wewnątrz którego umieszczona zostaje rozpylana katoda. Solenoid ten wytwarza nad powierzchnią katody pole magnetyczne o wektorze indukcji magnetycznej skierowanej prostopadle do rozpylanej powierzchni katody.
Źródło plazmy według wynalazku posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody.
Korzystne jest, gdy cewki sterujące umieszczone są poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody po stronie jej układu chłodzenia. Dodatkowe korzyści osiąga się, gdy czołowa powierzchnia katody ma kształt prostokątu lub wydłużonego owalu.
Zastosowanie rozwiązania według wynalazku pozwala na lepsze ukierunkowanie strumienia plazmy, oraz pełniejsze wykorzystanie materiału katody.
Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykładzie wykonania na rysunku, który przedstawia źródło plazmy o katodzie cylindrycznej wyposażone w cewki sterujące oraz centralny solenoid.
Wewnątrz zbiornika próżniowego 1 umieszczona jest katoda 2 oraz stożkowa anoda 3 urządzenia. Katoda 2 wyposażona w układ chłodzenia 6 umieszczona jest wewnątrz solenoidu 4. Dodatkowo, poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody, usytuowane są dodatkowe cewki sterujące 5.
Źródło działa w sposób następujący: Po odpompowaniu zbiornika próżniowego 1, do ciśnienia około 10 3xlO4Pa pomiędzy katodą 2 i anodą 3 inicjowane jest za pomocą urządzenia inicjującego 7 wyładowanie łukowe. Solenoid 4 wytwarza nad powierzchnią katody 2, prostopadłe do niej pole magnetyczne o indukcji 5^10mT. Dodatkowe pole magnetyczne wytwarzają cewki sterujące 5 nad tym obszarem katody 2, pod którym są one umieszczone. W wyniku lokalnego zwiększenia pola magnetycznego nad częścią katody 2, następuje zwiększenie jej szybkości rozpylania. Poprzez kolejne załączanie cewek sterujących 5, można zmieniać położenie wyładowania łukowego, a tym samym sterować obszarem erozji katody 2.
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 10 000 zł

Claims (3)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Źródło plazmy, składające się ze zbiornika próżniowego, wewnątrz którego znajduje się solenoid wraz z umieszczoną w nim katodą i anoda z układem inicjującym wyładowanie łukowe, znamienne tym, że posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące (5) umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody (2).
  2. 2. Źródło według zastrz. 1, znamienne tym, że cewki sterujące (5) umieszczone są poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody (2), po stronie jej układu chłodzenia (6).
  3. 3. Źródło według zastrz. 1, znamienne tym, że czołowa powierzchnia katody (2) ma kształt prostokąta lub wydłużonego owalu.
PL29007291A 1991-04-26 1991-04-26 Źródło plazmy PL164663B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL29007291A PL164663B1 (pl) 1991-04-26 1991-04-26 Źródło plazmy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL29007291A PL164663B1 (pl) 1991-04-26 1991-04-26 Źródło plazmy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL290072A2 PL290072A2 (en) 1992-01-27
PL164663B1 true PL164663B1 (pl) 1994-09-30

Family

ID=20054476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL29007291A PL164663B1 (pl) 1991-04-26 1991-04-26 Źródło plazmy

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL164663B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL290072A2 (en) 1992-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4264474B2 (ja) ペニング放電プラズマ源
US5417834A (en) Arrangement for generating a plasma by means of cathode sputtering
JP6305950B2 (ja) 真空アークプラズマを輸送するための方法
JP5160730B2 (ja) ビーム状プラズマ源
US4915805A (en) Hollow cathode type magnetron apparatus construction
JPS61190070A (ja) スパツタ装置
JPH0211760A (ja) マグネトロン式スパッタ装置
JPS60194072A (ja) 十字電磁界ダイオ−ド・スパツタリング・タ−ゲツト集成体
RU2030807C1 (ru) Источник ионов с замкнутым дрейфом электронов
US20120187843A1 (en) Closed drift ion source with symmetric magnetic field
ATE277204T1 (de) Lichtbogenverdampfer mit kraftvoller magnetführung für targets mit grosser oberfläche
US4597847A (en) Non-magnetic sputtering target
US4824540A (en) Method and apparatus for magnetron sputtering
US20090159441A1 (en) Plasma Film Deposition System
PL164663B1 (pl) Źródło plazmy
KR100274433B1 (ko) 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법
PL166223B1 (pl) Źródło plazmy
Sanders et al. Magnetic enhancement of cathodic arc deposition
RU2032766C1 (ru) Магнетронное распылительное устройство
PL166215B1 (pl) Źródło plazmy
PL166238B1 (pl) Źródło plazmy
JPH07233473A (ja) マグネトロンスパッタ装置
RU2074905C1 (ru) Способ ионноплазменной обработки длинномерных изделий
JPS63170832A (ja) イオンビ−ム装置
CN1004495B (zh) 复合磁控溅射靶及其镀膜方法