PL168460B1 - Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodnikowego PL PL - Google Patents

Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodnikowego PL PL

Info

Publication number
PL168460B1
PL168460B1 PL92294400A PL29440092A PL168460B1 PL 168460 B1 PL168460 B1 PL 168460B1 PL 92294400 A PL92294400 A PL 92294400A PL 29440092 A PL29440092 A PL 29440092A PL 168460 B1 PL168460 B1 PL 168460B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
photosensitive material
groove
layer
grooves
mask
Prior art date
Application number
PL92294400A
Other languages
English (en)
Other versions
PL294400A1 (en
Inventor
Hermanus L Peek
Original Assignee
Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics Nv filed Critical Philips Electronics Nv
Publication of PL294400A1 publication Critical patent/PL294400A1/xx
Publication of PL168460B1 publication Critical patent/PL168460B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00—Charge transfer devices
    • H10D44/01—Manufacture or treatment
    • H10D44/041—Manufacture or treatment having insulated gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/36—Unipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/22—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/222—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
    • H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
    • H10P76/2041—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/014—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations
    • H10W10/0148—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations comprising introducing impurities in side walls or bottom walls of trenches, e.g. for forming channel stoppers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/17—Isolation regions comprising dielectric materials formed using trench refilling with dielectric materials, e.g. shallow trench isolations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/948—Radiation resist
    • Y10S438/949—Energy beam treating radiation resist on semiconductor

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

1. Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewod- nik) nikowego, w którym strukture pólprzewodnikowa umieszcza sie na powierzchni zaopatrzonej w przy- najmniej jeden rowek, siegajacy w glab struktury pólprzewodnikowej, przy czym w czesci rowka wytwarza sie strefe domieszkowana za pomoca implantacji jonowej przez maske, znamienny tym, ze na tej powierzchni i w rowku naklada sie warstwe pozytywnego materialu swiatloczulego, która to warstwe swiatloczula przez maskowanie chroni sie przed promieniowaniem w obszarach, w których wykonuje sie implantacje jonowa, a nie maskowane czesci warstwy materialu swiatloczulego poddaje sie napromieniowaniu, po czym napromieniowane czesci warstwy materialu swiatloczulego, w proce- sie odwracania obrazu przetwarza sie w czesci nie- rozpuszczalne podczas wywolywania, nastepnie warstwe m aterialu swiatloczulego poddaje sie powtórnemu napromieniowaniu w obszarze, na którym wykonuje sie implantacje jonowa, a nastep- nie te czesci warstwy materialu swiatloczulego, które byly maskowane podczas pierwszego napro- mieniowania, usuwa sie podczas wywolywania. FIG.3 (51) IntCl6: H01L 21/266 H01L 21/027 ( 1 2 ) OPIS PATENTOWY ( 1 9 ) PL (1 1 )168460 ( 1 3 ) B 1 RZECZPOSPOLITA POLSKA Urzad Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania przyrządu półprzewodnikowego.
W znanym rozwiązaniu, przyrząd półprzewodnikowy umieszczony zostaje na powierzchni zaopatrzonej w przynajmniej jeden rowek, sięgający w głąb struktury półprzewodnikowej, przy czym w części rowka wytwarza się strefę domieszkowaną, za pomocą implantacji jonowej przez maskę. Rowek ma kształt na przykład litery U lub V, może stanowić obszar oddzielny między obszarami aktywnymi, w postaci na przykład wyspy izolowanej w obwodach bipolarnych. W innym znanym rozwiązaniu, w rowku znajduje się warstwa przewodząca, tworząca elektrodę bramkową elementu ze sprzężeniem ładunkowym. Rozwiązanie tego rodzaju przedstawiono na przykład w Europejskim Zgłoszeniu Patentowym EP 0239 151. W rozwiązaniu tym kanał transportowy umieszczony jest w obszarze wyspy ograniczonym przez dwa równoległe rowki, przy czym transport ładunku odbywa się wzdłuż ścianek wysepki. Ścianki ukształtowane są lokalnie jako strefy określające miejsca magazynowania ładunków w kanale.
W opisie patentowym USA nr 4 446178 przedstawiono sposób, w którym ścianki są domieszkowane za pomocą implantacji ukośnej. Przy tym sposobie postępowania, strefy domieszkowane znajdują się na całej długości rowków. Czasem jednak pożądane jest zaopatrzenie ścianek i dna rowka, bądź rowków, tylko w lokalne strefy domieszkowane, które stanowią tylko część długości rowka.
W praktyce, główne wady znanych rozwiązań dotyczą implantacji lokalnej, to znaczy nie pokrywania całej długości rowka strefami domieszkowania, w przypadku rowków wąskich, stosunkowo głębokich w stosunku do szerokości. W takim przypadku, znanym sposobem jest zastosowanie maski implantacyjnej z materiału światłoczułego. Realizacja znanej maski z materiału światłoczułego, która pozostawia odsłoniętą tylko część dna rowka, w rowku o szerokości na przykład 2//m lub mniejszej i głębokości powyżej 3 μτη, jest praktycznie niemożliwa. W celu
168 460 naświetlenia materiału światłoczułego na dnie rowka, byłaby niezbędna na tyle duża wartość ekspozycji, że rozdzielczość maski przy powierzchni uległaby znacznemu pogorszeniu. Natomiast w przypadku mniejszych ekspozycji, materiał światłoczuły na dnie rowka mógłby być naświetlony τι/ ctr\r\mn ιηνΜν^η.αννν£,ιι> lir.
Z opisu patentowego USA nr 4 756 793 znany jest sposób, w którym w rowki wprowadza się tymczasowo światłoczuły materiał wypełniający, tak że otrzymuje się powierzchnię przynajmniej w przybliżeniu płaską. Na tę powierzchnię nakłada się maskę implantacyjną z metalu, na przykład Al, która ma jeden lub kilka otworów. Przez te otwory, w kolejnych etapach, do rowka, bądź rowków, wprowadza się domieszki. Następnie materiał wypełniający usuwa się z rowka, bądź rowków, przynajmniej na obszarze okien maski implantacyjnej lub całego rowka, bądź rowków. Następnie dokonuje się implantacji przez okna maski implantacyjnej, a w kolejnym etapie odbywa się zdjęcie maski implantacyjnej.
Sposób według wynalazku stosuje się do wytwarzania przyrządu półprzewodnikowego, w któryrn struktura, półprzewodnikowa znajduje się na powierzchni zaopatrzonej w przynajmniej jeden rowek, sięgający w głąb tej struktury półprzewodnikowej. W części rowka wytwarza się strefę domieszkowaną za pomocą implantacji jonowej przez maskę. Sposób tego rodzaju charakteryzuje się tym, że na powierzchni struktury półprzewodnikowej i w rowku nakłada się warstwę pozytywnego materiału światłoczułego. Tę warstwę światłoczułą przez maskowanie chroni się przed promieniowaniem w obszarach, w których wykonuje się implantację jonową. Nie maskowane części warstwy materiału światłoczułego poddaje się napromieniowaniu, po czym napromieniowane części warstwy materiału światłoczułego, w procesie odwracania obrazu przetwarza się w części nierozpuszczalne podczas wywoływania. Następnie, warstwę materiału światłoczułego poddaje się powtórnemu napromieniowaniu w obszarze, na którym wykonuje się implantację jonową. Następnie, te części warstwy materiału światłoczułego, które były maskowane podczas pierwszego napromieniowania, usuwa się podczas wywoływania.
Drugie napromieniowanie przeprowadza się przy wartości dawki napromieniowania większej, niż przy pierwszym napromieniowaniu. Strefę domieszkowaną wytwarza się na ściance rowka, przy czym implantację jonową przeprowadza się pod określonym kątem do powierzchni, mniejszym od 90°. Powierzchnię i ścianki rowka, przed nałożeniem warstwy materiału światłoczułego, pokrywa się warstwą izolacyjną. Strefę domieszkowaną wykonuje się w części ścianki półprzewodnikowego elementu układowego
Rozwiązanie według wynalazku jest objaśnione bardziej szczegółowo w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1-7 przedstawiają wytwarzany przyrząd półprzewodnikowy po kolejnych etapach procesu wytwarzania, a fig. 8a i 8b przedstawiają przyrząd półprzewodnikowy uzyskany sposobem według wynalazku, w widoku z góry.
Figury rysunku są schematyczne i sporządzone bez zachowania skali. Na fig. 1-7 przedstawiono schematycznie, jak sposobem według wynalazku dokonuje się implantacji jednej lub kilku stref domieszkowania, w bardzo wąskich i stosunkowo głębokich rowkach, tylko na części długości ścianek i/lub dna rowka, bądź rowków. W tym celu na fig. 5 przedstawiono część przyrządu w widoku perspektywicznym, fig. 2-4 oraz 6 przedstawiają przyrząd w przekroju odpowiadającym powierzchni czołowej tego przyrządu półprzewodnikowego z fig. 5, fig. 7b przedstawia przekrój wzdłuż rowka, a fig. 7a - ten sam przekrój, przy stosowaniu sposobu konwencjonalnego.
Materiałem wyjściowym jest korzystnie krzemowe podłoże półprzewodnikowe 1 (fig. 1). W powierzchni 2 wytrawione są rowki, z'-których na fig. 3 przedstawiono tylko dwa. Rowki te, które mają szerokość wynoszącą około 1 pm i głębokość około 4pm, i które zatem są bardzo wąskie w odniesieniu do głębokości, są korzystnie kształtowane znanym sposobem, na przykład za pomocą reaktywnego trawienia jonowego (RIE - Reaktive Ion Etching). Takie rowki są kształtowane do różnych celów, a często są wykorzystywne w charakterze rowków rozdzielających części monolitycznego układu scalonego. W niniejszym przykładzie, rowki 3 wytrawia się przy użyciu maski tlenkowej 4 na powierzchni 2, nałożonej na obszarze poza rowkiem. Warstwa tlenkowa 4 ma grubość 0,5pm. Na ściankach i dnie rowków 3 wytwarza się warstwę tlenkową 5 o grubości 20 nm, za pomocą słabego utleniania termicznego.
Następnie, na powierzchnię 2 nakłada się pozytywową warstwę 6 materiału światłoczułego dla maski implantacyjnej. Pozytywowa oznacza w tym przypadku materiał światłoczuły, którego
168 460 naświetlone części, przy normalnym wykorzystaniu, zdejmuje się podczas wywoływania po naświetleniu. W przedstawionym przykładzie na warstwę pozytywową 6 zastosowano materiał światłoczuły o nazwie HPR 204 firmy Hunt Company. Grubość warstwy pozytywowej 6 na zewnątrz icwkuw wynosi 1,3//ui (fig. 3).
Warstwę 6 materiału światłoczułego napromieniowuje się bądź naświetla, co zaznaczono na fig. 3 strzałkami 8, przez maskę 7, która osłania materiał światłoczuły pozytywowej warstwy 6 w obszarach, w których mają zostać ukształtowane otwory maski implantacyjnej. Natężenie oświetlenia dobiera się jako stosunkowo niewielkie, to znaczy, warstwa 6 materiału światłoczułego jest naświetlana efektywnie w rowkach nie na całą grubość, do dna rowków, lecz tylko w przybliżeniu do połowy ich głębokości, to znaczy na głębokość 1-2 μηι.Ι a stosunkowo niewielka ekspozycja zapewnia zachowanie dużej rozdzielczości maski implantacyjnej.
W następnym etapie dokonuje się odwracania obrazu, w którym naświetlona część materiału światłoczułego pozytywowej warstwy 6 staje się nierozpuszczalna podczas wykonywanego w następnym etapie wywoływania materiału światłoczułego. Taki proces odwracania obrazu jest znany. W materiale światłoczułym poddanym naświetlaniu powstaje kwas. Po naświetleniu, nad elementem przepuszcza się strumień gazu zawierający NH3, na przykład w ciągu 30 minut, przy temperaturze 105°C, tak że naświetlony obszar kwaśny materiału światłoczułego staje się nierozpuszczalny w wywoływaczu.
W następnym etapie (fig. 4) wykonuje się naświetlanie bez maski, co zaznaczono schematycznie strzałkami 9 na rysunku. Intensywność naświetlania dobiera się tak, że w danym czasie naświetlania warstwa 6 materiału światłoczułego zostaje naświetlona w całej grubości, również w rowkach 3. Części warstwy 6 materiału światłoczułego maskowane podczas etapu pierwszego naświetlania, w wyniku tego stają się nierozpuszczalne podczas następnego etapu wywoływania.
W przedstawionym przykładzie wykonania warstwa 6 materiału światłoczułego wywoływana była w roztworze 1:1 wywoływacza o nazwie LSI firmy Waycoat Company. Czas wywoływania dobiera się tak, aby materiał światłoczuły warstwy 6, przynajmniej częściowo naświetlony w etapie przedstawionym na fig. 4 mógł być usunięty na całej grubości, aż do dna rowków. Ponieważ materiał światłoczuły w etapie odwracania obrazu, w wyniku poprzedniego słabego naświetlenia, stał się nierozpuszczalny w rowkach, ale tylko w przybliżeniu do połowy głębokości rowka, to materiał światłoczuły jest usuwany przez wywoływacz również z rowka poniżej obszaru dostępnego przez maskę implantacyjną (fig. 5). Ponieważ podstawą maskowania jest efekt zacieniania, nie jest to wadą. Maska implantacyjna 10 utworzona jest przez pojedynczą warstwę materiału światłoczułego i zaopatrzona jest w okna 11 powyżej i wewnątrz rowków 3. Należy zauważyć, że na rysunku okna 11 kształtowane są tylko na obszarach rowków. Okno 11 w masce implantacyjnej może być jednak kształtowane jako położone całkowicie na zewnątrz rowków 3, jeżeli strefa przeznaczona do domieszkowania znajduje się w płaskiej części podłoża, to znaczy na przykład w obszarze między rowkami 3.
W następnym etapie (fig. 6), domieszki implantuje się w rowkach 3, co schematycznie przedstawiono strzałkami 12. Wprowadzane domieszki są typu n lub typu p. Przez odpowiedni dobór kąta, pod którym dokonuje się implantacji, określa się czy domieszkowane są ściany boczne, czy dna rowków. W przedstawionym przykładzie wykonania, kąt a jest dobrany tak, że strefa domieszkowana 13 znajduje się na ścianach bocznych rowków 3. Głębokość strefy 13 reguluje się za pomocą kąta implantacji. Jeżeli zachodzi potrzeba domieszkowania również ścianki przeciwległej, to strukturę półprzewodnikową należy obrócić o kąt 180°. Można stosować inne strefy, na przykład o innym typie przewodności, lub o tym samym typie przewodności lecz o innej koncentracji domieszek, przy czym dokonuje się powtórzenia opisanego procesu. Po implantacji, maskę implantacyjną 10 usuwa się, po czym element półprzewodnikowy poddaje się następnym niezbędnym etapom procesu.
W celu objaśnienia sposobu według wynalazku, na fig. 7a przedstawiono przekrój podłużny rowka w części przyrządu półprzewodnikowego, zawierającej krawędź okna 11. Maska 10 nie ma prostej ścianki 14, prostopadłej do powierzchni 2, lecz ściankę o pewnym nachyleniu, tak że okno 11 w masce implantacyjnej 10 rozszerza się od góry ku dołowi. Część ścianki rowka, która ma być domieszkowana, w wyniku efektu cieniowego wyznaczana jest przez część ścianki maski znajdującą się na powierzchni 2. Granice między implantowaną i nie implantowaną częścią oznaczono na
168 460 fig. 7a linią przerywaną 15. Dla porównania, na fig. 7b przedstawiono ten sam przekrój, jak na fig. 7a, z maską 10 z materiału światłoczułego, wykonaną w sposób konwencjonalny. Maska 10 z materiału światłoczułego wykonana jest również z pozytywowego materiału światłoczułego, którego części usuwane wyznaczane są w zwykły sposob, przez pojedyncze naświetlanie i usuwanie przy wywoływaniu. Z powodu stosunkowo dużej grubości materiału światłoczułego w rowku 3 i zmniejszania się gęstości oświetlenia w kierunku w głąb rowka, maska 10 z materiału światłoczułego uzyskuje profil 14, przedstawiony na fig. 7b, przy czym okno 11 zmniejsza się w kierunku pionowym. Odpowiednio do tego, okno 11 jest mniejsze wewnątrz rowka, niż na powierzchni, tak że przeznaczony do implantacji obszar rowka nie jest wyznaczony dokładnie.
Należy zauważyć, że profil 14 materiału światłoczułego z fig. 7a mógłby w zasadzie powstać przy stosowaniu negatywowego materiału światłoczułego, przy pojedynczym naświetlaniu. Ogólnie biorąc jednak, stosowanie pozytywowych materiałów światłoczułych jest korzystniejsze w technologii półprzewodnikowej, ponieważ w przypadku negatywowych materiałów światłoczułych trudniejsze jest wykonanie bardzo małych okien, co narzuca ograniczenia na minimalne dopuszczalne wymiary wytwarzanego przyrządu półprzewodnikowego.
Na figurach 8a i 8b przedstawiono przyrząd półprzewodnikowy ze sprzężeniem ładunkowym, wytwarzany zgodnie ze sposobem według wynalazku, odpowiednio, w widoku z góry i wprzekroju wzdłuż linii b-b. Przyrząd ten zawiera kanał 21 o konstrukcji wyspowej, ograniczony w kierunku wzdłużnym dwoma rowkami 22. Ścianki i dno rowków pokryte są cienką warstwą tlenkową 5. W rowkach poza tym znajdują się ścieżki 23 z materiału przewodzącego, na przykład krzemu polikrystalicznego, który tworzy elektrody bramki przyrządu ze sprzężeniem ładunkowym. Przy pracy, ładunek przenoszony jest zygzakiem przez kanał, na fig. 8a z lewej strony na prawą, przeskakując w każdym z etapów z jednej strony wyspy na jej stronę przeciwległą. Boki struktury wyspowej, to znaczy ścianki rowków 22, w tym celu zaopatrzone są w strefy domieszkowane 24 i 25, które stanowią obszary odpowiednio, transferu i magazynowania. Strefy 24,25 mogą być tego samego typu przewodności, na przykład typu n, zakładając, że przyrząd półprzewodnikowy jest elementem z kanałem n, przy czym strefy 25 mają większą koncentrację domieszek, niż strefy 24. Strefy 24,25 mogą być kształtowane przez implantację jonową, przy czym strefy słabiej domieszkowane 24 wytwarza się wcześniej za pomocą fotomaski, ukształtowanej opisanym sposobem. Dla uniknięcia krytycznych etapów wyrównywania wzajemnych położeń, strefy te wykonuje się tak, że zachodzą na obszary stref 25 przeznaczone do wykonania późniejszego. Następnie nakłada się nową maskę implantacyjną materiału światłoczułego, która odsłania obszary stref 25 i te strefy 25 kształtuje się w drugiej implantacji.
Rozwiązanie według wynalazku nie ogranicza się do przedstawionych przykładów wykonania, lecz w zakresie wynalazku możliwych jest wiele odmian. Tak więce rowki mogą tworzyć izolowane między sąsiadującymi obszarami aktywnymi, przy czym w rowkach mogą znajdować się różne elementy obwodu. Możliwe jest stosowanie do opisanego sposobu również materiałów światłoczułych innych, niż wspomniane, jak również materiałów naświetlanych za pomocą strumienia elektronów, zamiast światła (widzialnego lub ultrafioletu). Przy naświetlaniu pozytywowego materiału światłoczułego wiązką elektronową, możliwe jest naświetlanie go aż do dna rowka. Dzięki temu otrzymuje się maskę implantacyjną 10 (fig. 5 i 6), która sięga do dna rowka 3.
21 23
FIG.6
FIG.1
' 7
FIG.2
Ιί B l·'
FIG.3
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz. Cena 1,50 zł

Claims (5)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Sposób wytwarzania przyrządu półprzewodnikowego, w którym strukturę półprzewodnikową umieszcza się na powierzchni zaopatrzonej w przynajmniej jeden rowek, sięgający w głąb struktury półprzewodnikowej, przy czym w części rowka wytwarza się strefę domieszkowaną za pomocą implantacji jonowej przez maskę, znamienny tym, że na tej powierzchni i w rowku nakłada się warstwę pozytywnego materiału światłoczułego, którą to warstwę światłoczułą przez maskowanie chroni się przed promieniowaniem w obszarach, w których wykonuje się implantację jonową, a nie maskowane części warstwy materiału światłoczułego poddaje się napromieniowaniu, po czym napromieniowane części warstwy materiału światłoczułego, w procesie odwracania obrazu przetwarza się w części nierozpuszczalne podczas wywoływania, następnie warstwę materiału światłoczułego poddaje się powtórnemu napromieniowaniu w obszarze, na którym wykonuje się implantację jonową, a następnie te części warstwy materiału światłoczułego, które były maskowane podczas pierwszego napromieniowania, usuwa się podczas wywoływania.
  2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że drugie napromieniowanie przeprowadza się przy wartości dawki napromieniowania większej, niż przy pierwszym napromieniowaniu.
  3. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że strefę domieszkowaną wytwarza się na ściance rowka, przy czym implantację jonową przeprowadza się pod określonym kątem do powierzchni, mniejszym od 90°.
  4. 4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że powierzchnię i ścianki rowka, przed nałożeniem warstwy materiału światłoczułego, pokrywa się warstwą izolacyjną:
  5. 5. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że strefę domieszkowaną wykonuje się w części ścianki półprzewodnikowego elementu układowego.
PL92294400A 1991-05-03 1992-04-30 Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodnikowego PL PL PL168460B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP91201052 1991-05-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL294400A1 PL294400A1 (en) 1992-11-16
PL168460B1 true PL168460B1 (pl) 1996-02-29

Family

ID=8207635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL92294400A PL168460B1 (pl) 1991-05-03 1992-04-30 Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodnikowego PL PL

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5306390A (pl)
EP (1) EP0512607B1 (pl)
JP (1) JP3242446B2 (pl)
KR (1) KR100256454B1 (pl)
CN (1) CN1029273C (pl)
DE (1) DE69220846T2 (pl)
PL (1) PL168460B1 (pl)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2611728B2 (ja) * 1993-11-02 1997-05-21 日本電気株式会社 動画像符号化復号化方式
KR100335546B1 (ko) * 1994-04-15 2002-10-11 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 지지바에 기초한 반도체 디바이스 제조 방법
US5668018A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 International Business Machines Corporation Method for defining a region on a wall of a semiconductor structure
US6440638B2 (en) 1998-09-28 2002-08-27 International Business Machines Corp. Method and apparatus for resist planarization
US6100172A (en) * 1998-10-29 2000-08-08 International Business Machines Corporation Method for forming a horizontal surface spacer and devices formed thereby
US6096598A (en) * 1998-10-29 2000-08-01 International Business Machines Corporation Method for forming pillar memory cells and device formed thereby
US6194268B1 (en) 1998-10-30 2001-02-27 International Business Machines Corporation Printing sublithographic images using a shadow mandrel and off-axis exposure
US6150256A (en) * 1998-10-30 2000-11-21 International Business Machines Corporation Method for forming self-aligned features
TW523860B (en) * 2002-03-22 2003-03-11 Nanya Technology Corp Manufacturing method for lower electrode plate of capacitors in memory
US6780736B1 (en) * 2003-06-20 2004-08-24 International Business Machines Corporation Method for image reversal of implant resist using a single photolithography exposure and structures formed thereby
US7041560B2 (en) * 2003-12-19 2006-05-09 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Method of manufacturing a superjunction device with conventional terminations
US7052982B2 (en) * 2003-12-19 2006-05-30 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Method for manufacturing a superjunction device with wide mesas
KR101983672B1 (ko) 2012-11-07 2019-05-30 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
CN103896204A (zh) * 2012-12-25 2014-07-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沟槽中的成膜工艺方法
US10854455B2 (en) * 2016-11-21 2020-12-01 Marvell Asia Pte, Ltd. Methods and apparatus for fabricating IC chips with tilted patterning

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4466178A (en) * 1981-06-25 1984-08-21 Rockwell International Corporation Method of making extremely small area PNP lateral transistor by angled implant of deep trenches followed by refilling the same with dielectrics
US4466180A (en) * 1981-06-25 1984-08-21 Rockwell International Corporation Method of manufacturing punch through voltage regulator diodes utilizing shaping and selective doping
EP0069191A1 (en) * 1981-06-25 1983-01-12 Rockwell International Corporation Complementary NPN and PNP lateral transistors separated from substrate by intersecting slots filled with substrate oxide for minimal interference therefrom and method for producing same
NL8502765A (nl) * 1985-10-10 1987-05-04 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL8600786A (nl) * 1986-03-27 1987-10-16 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
US4693781A (en) * 1986-06-26 1987-09-15 Motorola, Inc. Trench formation process

Also Published As

Publication number Publication date
DE69220846D1 (de) 1997-08-21
CN1029273C (zh) 1995-07-05
KR100256454B1 (ko) 2000-05-15
KR920022559A (ko) 1992-12-19
EP0512607A2 (en) 1992-11-11
US5306390A (en) 1994-04-26
JP3242446B2 (ja) 2001-12-25
PL294400A1 (en) 1992-11-16
EP0512607A3 (en) 1993-09-08
DE69220846T2 (de) 1998-02-12
JPH0620983A (ja) 1994-01-28
EP0512607B1 (en) 1997-07-16
CN1066530A (zh) 1992-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL168460B1 (pl) Sposób wytwarzania przyrzadu pólprzewodnikowego PL PL
US4394182A (en) Microelectronic shadow masking process for reducing punchthrough
US6982456B2 (en) Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same
EP0090447B1 (en) Masking process for semiconductor device manufacture
EP0106617B1 (en) Method for fabricating an eeprom
DE69429973T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Flash EPROM Anordungen
KR950008385B1 (ko) 반도체 소자의 워드라인 형성방법
EP0820103A1 (en) Single polysilicon level flash EEPROM cell and manufacturing process therefor
GB2111305A (en) Method of forming ion implanted regions self-aligned with overlying insulating layer portions
KR100297731B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
US4394181A (en) Methods of manufacturing a semiconductor device having a channel region spaced inside channel stoppers
KR20030009050A (ko) 반도체 메모리 및 반도체 메모리 프로그래밍 방법
US20030197219A1 (en) Flash memory device and fabricating method therefor
JP3461998B2 (ja) 電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置とその製造方法
KR0147592B1 (ko) 마스크-롬의 제조방법
KR100299595B1 (ko) 분할게이트플레쉬메모리셀구조
KR100901648B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JP3289363B2 (ja) 不揮発性半導体メモリ装置の製造方法
KR19990060607A (ko) 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR0147649B1 (ko) 불휘발성 반도체 메모리 장치 제조방법
KR930000909B1 (ko) Ldd 제조방법
KR950012908B1 (ko) 반도체 불순물 영역 형성방법
JP3722657B2 (ja) 半導体装置及びその製造製法
JPH08162548A (ja) 不揮発性半導体装置の製造方法
JPH023976A (ja) Ｍｉｓトランジスタ